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檢測淺溝槽隔離區(qū)空洞缺陷的方法

942 編輯：管理員來源：中冶有色技術網(wǎng)

2023-03-19 09:00:05

一種檢測溝槽隔離區(qū)空洞缺陷的方法，其包括：在晶圓上參照正常工藝流程完成雙柵氧刻蝕；在完成雙柵氧刻蝕的所述晶圓表面生長一層氮化硅；對表面生長一層氮化硅的晶圓進行快速熱處理；用去熱磷酸將晶圓表面氮化硅去除，并通過光學顯微鏡掃描淺溝槽空洞缺陷的位置；制備所述淺溝槽空洞缺陷的樣品并通過透射電鏡精確檢測淺溝槽空洞缺陷。因此，本發(fā)明提供的檢測方法簡單且高效，其能實時在線檢測淺溝槽空洞缺陷并能快速準確的檢測到淺溝槽空洞缺陷的位置，從而有效地解決了半導體器件中因存在淺溝槽空洞缺陷而導致CMOS器件失效和良率下降的問題。

聲明：

“檢測淺溝槽隔離區(qū)空洞缺陷的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術所有人。

我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)