本發(fā)明提供了一種晶圓缺陷的監(jiān)控方法,應(yīng)用于半導(dǎo)體領(lǐng)域中。其首先根據(jù)每種半導(dǎo)體工藝的不同特點(diǎn)建立與不同半導(dǎo)體工藝相對應(yīng)的可能出現(xiàn)在晶圓上的缺陷特征,且該缺陷特征所需執(zhí)行的加掃規(guī)則的對應(yīng)關(guān)系的數(shù)據(jù)庫,之后,當(dāng)不同批次lot晶圓在原始缺陷掃描中出現(xiàn)缺陷時,就可以通過該缺陷自動啟動本發(fā)明提供的缺陷加掃機(jī)制,已對存在缺陷的批次lot晶圓進(jìn)行加掃缺陷掃描,而無需像現(xiàn)有技術(shù)那樣在發(fā)現(xiàn)了不同批次lot晶圓在初始缺陷掃描中出現(xiàn)缺陷問題后,需要人工手動Run card進(jìn)站進(jìn)行缺陷監(jiān)控,進(jìn)而避免了現(xiàn)有技術(shù)中人為因素多、監(jiān)控效率較低、以及存在一定監(jiān)控失效概率的問題,也就實(shí)現(xiàn)了提高晶圓的監(jiān)控效率的目的。
聲明:
“晶圓缺陷的檢測方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)