本發(fā)明提供一種測量注入層光刻對(duì)準(zhǔn)偏差的方法,該方法通過獲得當(dāng)?shù)谝浑x子注入?yún)^(qū)與第二離子注入?yún)^(qū)處于完全對(duì)準(zhǔn)狀態(tài)時(shí)的最大擊穿電壓以及利用本發(fā)明提供的測試結(jié)構(gòu)進(jìn)行正電壓掃描獲得的測試電流為1mA時(shí)的測試擊穿電壓來計(jì)算注入層光刻對(duì)準(zhǔn)偏差,其中注入層光刻對(duì)準(zhǔn)偏差=100%*(最大擊穿電壓?測試擊穿電壓)/最大擊穿電壓,提高對(duì)準(zhǔn)偏差測試準(zhǔn)確度和敏感度,大大節(jié)省失效分析的成本和時(shí)間。
聲明:
“測量注入層光刻對(duì)準(zhǔn)偏差的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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