本發(fā)明公開(kāi)了一種可用于高溫環(huán)境下壁面剪應(yīng)力測(cè)量的底層隔板微傳感器及其制造方法,屬于傳感器技術(shù)領(lǐng)域。該微傳感器主要包括凸出隔板2、懸臂梁3、梁根部4、U型環(huán)凹槽5、力敏電阻6、基體7、導(dǎo)線8和焊盤9;該底層隔板微傳感器的制備材料為器件層厚度小于1微米的SOI硅片,微傳感器的敏感電阻制備在絕緣層上,保持相互獨(dú)立且僅通過(guò)耐高溫金屬薄膜連接,能夠有效降低由于高溫引起的敏感電阻及金屬引線失效問(wèn)題,實(shí)現(xiàn)類似于發(fā)動(dòng)機(jī)進(jìn)氣道、燃燒室等的冷流高溫環(huán)境下的壁面剪應(yīng)力測(cè)量;且傳感器量程不受制于SOI硅片器件層厚度;工藝簡(jiǎn)化、難度低;懸臂敏感梁正向和反向撓曲時(shí)傳感器輸出一致性強(qiáng);結(jié)構(gòu)魯棒性強(qiáng)。
聲明:
“可用于高溫環(huán)境下壁面剪應(yīng)力測(cè)量的底層隔板微傳感器及其制造方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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