本發(fā)明涉及一種超薄平面透射電鏡樣品的制備方法。包括以下步驟:提供具有待觀測的失效分析點(diǎn)的
芯片;對芯片進(jìn)行截取得到TEM樣品;在TEM樣品上靠近失效分析點(diǎn)處形成停止標(biāo)記,并研磨TEM樣品的橫截面至停止標(biāo)記;在TEM樣品橫截面的失效分析點(diǎn)上鍍Pt保護(hù)層;在第二薄膜層上靠近失效分析點(diǎn)處挖凹坑,并減薄第二薄膜層;將TEM樣品放置在沸騰的膽堿配比溶液中反應(yīng);采用聚焦離子束對TEM樣品進(jìn)行切斷,得到目標(biāo)層樣品。本發(fā)明的一種超薄平面透射電鏡樣品的制備方法,既可以準(zhǔn)確定位樣品,又可以得到厚度在十幾個納米的TEM目標(biāo)層樣品,避免了平面透射電鏡受到前層
多晶硅或者后層多晶硅對待觀察區(qū)域的干擾,大大提高了失效分析中判斷定位的準(zhǔn)確性。
聲明:
“超薄平面透射電鏡樣品的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)