本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種制備TEM樣品的方法,通過在獲取失效
芯片的失效點(diǎn)位置以及非失效芯片的失效分析參考點(diǎn)的位置后,將失效芯片沿垂直于選定側(cè)面的方向拋光至失效點(diǎn)的附近,并將非失效芯片沿垂直于該選定側(cè)面的方向拋光至失效分析參考點(diǎn)的附近,之后將失效芯片的正面和非失效芯片的正面粘合在一起形成一待測(cè)結(jié)構(gòu),并將待測(cè)結(jié)構(gòu)的拋光面朝上放入FIB機(jī)臺(tái)進(jìn)行TEM樣品的制備工藝,從而可以快速的制備出TEM樣品,且可以在拍攝高分辨率圖片時(shí)找到最合適的厚度,確保高分辨率圖片的質(zhì)量。
聲明:
“制備TEM樣品的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)