本發(fā)明公開了一種
芯片存儲單元擾碼地址的驗(yàn)證方法,包含:第一步,在芯片量產(chǎn)過程中,在線缺陷檢測中捕捉到存儲器內(nèi)部的失效缺陷或者利用聚焦離子轟擊等手段人為制造缺陷導(dǎo)致存儲器失效;第二步,記錄失效芯片在晶圓上的地址及其失效缺陷在存儲單元內(nèi)的物理地址;第三步,繼續(xù)完成芯片的制造;第四步,進(jìn)行普通電學(xué)測試,得到失效單元的電學(xué)地址;第五步,根據(jù)存儲器結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和測試原理編寫轉(zhuǎn)換公式得到物理失效地址;第六步,將上述物理失效地址與第二步記錄的物理失效地址進(jìn)行比對。本方法無需破片進(jìn)行物理地址的確認(rèn),縮短了制樣周期,提高了存儲單元擾碼地址驗(yàn)證的成功率。
聲明:
“芯片存儲單元擾碼地址的驗(yàn)證方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)