MF型微波高溫馬弗爐是實驗室專用的標準微波高溫設(shè)備,適用于空氣氣氛條件下微波合成、微波灰化、微波膨化、微波熱處理、微波焙燒、微波煅燒、微波燒結(jié)等工藝實驗研究。
SKJ-M50-16金屬晶體生長爐是用坩堝下降法生長金屬晶體的設(shè)備,可在真空、大氣、惰性氣體或其他保護氣氛下、在可控的局部壓力狀態(tài)下運行。根據(jù)金屬的屬性,本機可采用中頻感應(yīng)加熱電源,以及石墨電阻加熱兩種加熱方式;采用歐陸微處理器與熱電偶閉環(huán)控制爐溫,使結(jié)晶體按照一定的直徑進行控制。
GSL-1000X-S是一款微型管式爐(管徑:20mm),最高溫度可達到1000℃,標配內(nèi)包含不銹鋼密封法蘭與石英管,客戶接通電源即可立即使用。30段可編程精密溫度控制器,可根據(jù)不同的客戶需求來設(shè)定升降溫程序。爐體可垂直或水平放置以滿足不同的應(yīng)用,如樣品熱處理、VSL、CVD 以及氣體分析等實驗工藝中。
VIMC-150熔煉鑄造爐適用于鉑、鈀、鈦、黃金、K金、銀和銅等金屬鑄造,廣泛應(yīng)用于學校、實驗室、珠寶首飾、牙科鑄造和工藝品鑄造等相關(guān)行業(yè)領(lǐng)域,采用智能西門子控制系統(tǒng) ,可連續(xù)24小時工作;在真空和惰性氣體保護下,全自動真空倒模成形,成品無氧化、密度高和無沙孔;全自動鑄造過程,融化時間5-6分鐘;鑄造方法是反轉(zhuǎn)式真空加壓鑄造方式。
GSL-1100X-50-LVT 是一款已通過CE認證的1100℃分體式真空管式爐. 標配內(nèi)包含KF25 轉(zhuǎn)接口、 進口數(shù)顯真空計 、雙旋片機械泵 、 油霧過濾器,另外配有OMEGA 測溫儀及K 型熱電偶 一套, 可將K型熱偶從左端法蘭安裝于爐管內(nèi)部從OMEGA測溫儀上讀取樣品實時溫度. 30段可編程溫度控制儀,可按不同客戶的實驗要求設(shè)置所需要的升溫速率,控溫精度±1℃.爐體在加熱過程中真空不能高于1E-2 Torr使用,否則容易造成爐管的損壞。
1700℃立式高溫管式爐GSL-1700X-80VT采用硅鉬棒進行加熱,最高溫度可以達到1700℃,專門針對于材料在真空或氣氛保護環(huán)境下的燒結(jié)。溫控系統(tǒng)采用PID控制器,可設(shè)置30段升降溫程序,控溫精度為± 1℃。
1200℃三溫區(qū)可傾斜旋轉(zhuǎn)爐OTF-1200X-5L-R-III主要針對于粉料的混燒,爐管可360°轉(zhuǎn)動,且內(nèi)部設(shè)有4片揚料板,可增加粉料燒結(jié)的均勻性,因而適合于實驗室中較多粉料的燒結(jié),特別是鋰電材料的燒結(jié),如LiFePO3、LiMnNiO3等。
1200℃立式真空小管式爐OTF-1200X-S-VT是一款小型開啟式立式管式爐,適合于對樣品在真空或氣氛保護環(huán)境下吊燒和淬火。采用PID控制器進行溫度調(diào)節(jié),可設(shè)置30段升降溫程序,控溫精度為± 1℃。
混氣系統(tǒng)4路質(zhì)子GSL-4Z是用于控制一種到四種的氣體流經(jīng)真空密封的管式爐,這種氣體控制系統(tǒng)安裝在移動架內(nèi),管式爐可以放在移動架上面,氣體控制系統(tǒng)的前面板上有控制并顯示氣體流量的調(diào)節(jié)閥,可以用于CVD系統(tǒng)及退火爐,用來研究氣體環(huán)境對材料的影響,在半導體和集成電路工業(yè)、特種材料學科、化學工業(yè)、石油工業(yè)、醫(yī)藥、環(huán)保和真空等多種領(lǐng)域的科研和生產(chǎn)中有著重要的作用,廣泛應(yīng)用于電子工藝設(shè)備,如擴散、氧化、外延、CVD、等離子濺射以及鍍膜設(shè)備、光纖熔煉、混氣配氣系統(tǒng)及其它分析儀器。
高真空鉭加熱爐是高溫電阻加熱爐。以鉭為加熱元件,適用于高真空狀態(tài)下對金屬、非金屬及其化合物進行燒結(jié)、熔化,也可以對小型樣品進行真空釬焊的操作,如硬質(zhì)合金、鎳基合金、粉末冶金、鎳鈷合金、合金鋼、不銹鋼、稀土釹鐵錋等。高真空鉭加熱爐極限工作溫度為2000℃,工作最高溫度1800℃,工作過程中的加熱速度可以通過溫控表進行設(shè)置,但升溫速度過快會使鉭爐膽的壽命會有所降低,為了延長爐子的使用壽命,推薦每分鐘的升溫速度為20℃,在500℃以下可以適當加快升溫速度。
1200℃開啟式雙溫區(qū)管式爐OTF-1200X-II最高溫度可達到1200℃,并可通過調(diào)節(jié)兩個獨立的控溫程序,使爐管內(nèi)溫度場形成一梯度。本機可用CVD方法來生長納米材料和制作各種薄膜。
1200℃單管滑動快速加熱冷卻爐OTF-1200X-80SL底部安裝一對滑軌,可手動進行爐體移動,最高工作溫度達1200℃,加熱和冷卻速率在真空或者惰性氣體環(huán)境下可以達到10℃/s。為獲得最快加熱,可預先加熱爐子到設(shè)定的溫度,然后移動爐子到樣品位置;為獲得最快冷卻,可在樣品加熱后移動爐子至另一端,本機是低成本進行快速熱處理的理想設(shè)備。
1500℃三溫區(qū)開啟式管式爐OTF-1500X-III是高溫管式爐,最高溫度可達1500℃,三個溫區(qū)分別用三個獨立的溫控系統(tǒng)控制,每個溫區(qū)都可以設(shè)置30段升降溫程序,并設(shè)有過熱和斷偶保護功能,控溫精度高達±1℃。本機特別適合于在氣氛保護或真空環(huán)境下對樣品進行退火和燒結(jié)。
QS型微波氣氛燒結(jié)爐是標準化多功能微波高溫實驗工作站,適用于各種氣氛、真空條件下的合成、焙燒、熱處理、燒結(jié)等工藝研究。
RC-Ti-100小型鈦金屬反應(yīng)釜是由純鈦金屬制作而成,最大可耐4Mpa的壓力,是制備先進材料,尤其是水熱法合成生物材料的理想工具。
1200℃開啟式立式爐OTF-1200X-80-VT是可垂直開啟式管式氣氛爐,能夠?qū)崿F(xiàn)在真空或氣氛保護條件下對樣品快速升降溫。本機可垂直安裝在可移動的支架上,方便爐管的取放。
KSL-1700X-H2 是一款通過 CE 認證的高溫箱式爐,此款儀器專門針對于材 料在氫氣環(huán)境或惰性氣體環(huán)境進行燒結(jié)或是退火,其最高溫度可高達 1700℃。 KSL-1700X-H2采用氧化鋁纖維作為爐膛材料(爐膛尺寸為200 x 200 x 200 mm), 以鉬絲作為加熱元件,爐體頂部密封板中嵌有冷卻水管,以保證儀器工作時的密 封性能。對需在惰性氣體或還原性氣體環(huán)境下燒結(jié)的材料(如熒光材料,鈦合金 等),KSL-1700X-H2 是一個非常好的選擇。
雙管滑動快速加熱冷卻爐OTF-1200X-4-C4LVS是特殊的雙管CVD系統(tǒng),是專為在金屬箔上生長薄膜而設(shè)計的,特別適用于新一代能源——柔性金屬箔電極方面的研究。本機可通過滑動爐體,實現(xiàn)快速加熱和冷卻。
1800℃小型箱式爐(1.7L)KSL-1800X-S是一款微型箱式爐,采用Kanthal Super-1900型硅鉬棒和氧化鋯內(nèi)襯爐膛,可在1750℃下連續(xù)使用,最高溫度可達1800℃。本機具有體積小巧、節(jié)約能源的優(yōu)點,下開式爐門更易于樣品裝載,并加裝通氣口,可在氧氣或惰性氣氛下操作使用。
IMCS-1500RC-1500℃氣氛保護連續(xù)鑄造爐是一款感應(yīng)加熱的連續(xù)鑄造爐,可在氣氛保護環(huán)境下各種合金進行熔煉和連續(xù)鑄造,可鑄造出棒材,管材和金屬板材,最高熔煉溫度可達1500℃。
1700℃箱式爐(3.4L)KSL-1700X-A1采用側(cè)開式爐門,以硅鉬棒為加熱元件,智能溫度調(diào)節(jié)儀和B型雙鉑銠熱電偶配套使用,對爐內(nèi)溫度進行測溫調(diào)節(jié)和自動控制,最高工作溫度可達1700℃。
1200℃雙溫立式爐OTF-1200X-4-VT-II是雙溫區(qū)可垂直開啟式立式管式爐,其爐管直徑可制作為100mm,適合于在真空或氣氛保護環(huán)境下對樣品進行吊燒和淬火。爐體下端裝有一移動架,以便移動。
2100℃高溫鎢加熱爐HVF-2100W-60適用于高真空狀態(tài)下對金屬、非金屬及其化合物進行燒結(jié)、熔化,也可以對小型樣品進行真空釬焊的操作,如硬質(zhì)合金、鎳基合金、粉末冶金、鎳鈷合金、合金鋼、不銹鋼、稀土釹鐵錋等。2100℃高溫鎢加熱爐HVF-2100W-60工作過程中的加熱速度可以通過溫控表進行設(shè)置,但升溫速度過快對鎢爐膽的壽命會有所降低,為了延長爐子的使用壽命,每分鐘的升溫速度不宜超過40℃。
1700℃箱式爐(36L)KSL-1700X-A4采用側(cè)開式爐門,以硅鉬棒為加熱元件,智能溫度調(diào)節(jié)儀和B型雙鉑銠熱電偶配套使用,對爐內(nèi)溫度進行測溫調(diào)節(jié)和自動控制,最高工作溫度可達1700℃,與同系列其他型號相比,具有更大的有效爐膛。
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