本發(fā)明提供一種新型半導(dǎo)體器件的制備方法,包括:在第一襯底上形成防缺陷結(jié)構(gòu),其中,所述防缺陷結(jié)構(gòu)包括疊層結(jié)構(gòu)和圖形化結(jié)構(gòu)中的任意一種或兩種的組合;在防缺陷結(jié)構(gòu)上形成第一
功能材料,以形成低缺陷襯底。本發(fā)明提供的新型半導(dǎo)體器件的制備方法,能夠以疊層結(jié)構(gòu)或者圖形化結(jié)構(gòu)降低膜層中的缺陷,同時(shí),阻擋位錯(cuò)的移動(dòng),避免穿透位錯(cuò)的形成。
聲明:
“新型半導(dǎo)體器件的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)