本發(fā)明提供與構(gòu)成LED的III-V族半導(dǎo)體晶體的線(xiàn)熱膨脹系數(shù)差較小且導(dǎo)熱性?xún)?yōu)良,適合作為高功率LED使用的LED發(fā)光元件用基板。如下制備LED發(fā)光元件用
復(fù)合材料基板:通過(guò)液態(tài)模鍛法、以30MPa以上的浸滲壓力使
鋁合金或純鋁浸滲多孔體,裁切和/或磨削加工成板厚為0.05-0.5mm、表面粗糙度(Ra)為0.01-0.5μm后,在表面形成含有選自Ni、Co、Pd、Cu、Ag、Au、Pt、Sn中的1種以上的金屬的金屬層,使得金屬層厚度達(dá)到0.5-15μm,所述多孔體由選自碳化硅、氮化鋁、氮化硅、金剛石、石墨、氧化釔及氧化鎂中的1種以上形成,氣孔率為10-50體積%,3點(diǎn)彎曲強(qiáng)度為50MPa以上。
聲明:
“用于LED發(fā)光元件的復(fù)合材料基板、其制造方法及LED發(fā)光元件” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專(zhuān)利(論文)的發(fā)明人(作者)