本發(fā)明公開了一種可用在核聚變實驗裝置中的鋰硅復合射頻壁處理工藝,主要是為高性能等離子體物理實驗創(chuàng)造優(yōu)化的壁條件。本發(fā)明的特征在于根據裝置壁涂層成分與結構設計理論,使用等離子體輔助化學氣相沉積PACVD方法,在HT-7超導托卡馬克射頻硅化過程中通入鋰蒸汽,實現原位射頻鋰硅復合壁處理,該種功能涂層不僅具有鋰化的高效能,而且能將一般鋰化幾炮的使用壽命提高到幾百炮以上,從而為高功率、長脈沖等離子體物理實驗創(chuàng)造很好的壁條件。同時這種壁處理可在縱場線圈不退磁的情況下進行,是更適合于今后國際熱核聚變實驗堆ITER及未來聚變反應堆的一種壁處理模式。
聲明:
“可用在核聚變實驗裝置中的鋰硅復合射頻壁處理工藝” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯系該技術所有人。
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