本發(fā)明提供了一種電荷產(chǎn)生層、電致發(fā)光器件及其制備方法。本發(fā)明的電荷產(chǎn)生層,由n型半導(dǎo)體摻雜層和p型半導(dǎo)體摻雜層組合而成,所述n型半導(dǎo)體摻雜層的主體材料選自4,7?二苯基?1,10?菲啰啉、4,7?二苯基?1,10?菲啰啉的衍生物、9,10?二(6?苯基吡啶?3?基)蒽、8?羥基喹啉?鋰、1,3,5?三(1?苯基?1H?苯并咪唑?2?基)苯中的任意一種,摻雜材料選自Ag,Zn,Cr中的任意一種;所述p型半導(dǎo)體摻雜層的主體材料選自TAPC、m?MTDATA、TCTA、NPB、4P?NPB、MCP、CBP和并五苯中的任意一種。本發(fā)明提供的電荷產(chǎn)生層有優(yōu)異的產(chǎn)生和轉(zhuǎn)移電荷的能力。
聲明:
“電荷產(chǎn)生層、電致發(fā)光器件及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)