一種制作至少一個半導(dǎo)體器件的方法,它包括下 列步驟:提供一個鋁酸鋰(LiAlO2) 的犧牲性生長襯底;鄰近犧牲性生長襯底形成至少一個包括III 族氮化物的半導(dǎo)體層;將安裝襯底與犧牲性生長襯底相反地固 定到至少一個半導(dǎo)體層附近;以及清除犧牲性生長襯底。此方 法還可以包括將至少一個接觸與安裝襯底相反地加入到至少 一個半導(dǎo)體層的表面上,并將安裝襯底和至少一個半導(dǎo)體層分 割成多個獨立的半導(dǎo)體器件。為了制作最終的器件,此方法還 可以包括將各個獨立的半導(dǎo)體器件的安裝襯底鍵合到熱沉。清 除犧牲性襯底的步驟可以包括對犧牲性生長襯底進行濕法腐 蝕。
聲明:
“Ⅲ族氮化物器件的制作方法以及由其制作的器件” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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