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集成MOSFET及二極管的半導(dǎo)體裝置

981   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-19 00:26:42
本發(fā)明公開了一種集成MOSFET及二極管的半導(dǎo)體裝置,包括基底,基底的上端設(shè)置有漂移層,漂移層的上端設(shè)置有支撐層,支撐層的上端設(shè)置有導(dǎo)電部,導(dǎo)電部的右側(cè)設(shè)置有連通部,連通部的右側(cè)設(shè)置有出電部。本發(fā)明通過通過兩個接觸層傳導(dǎo)電壓,即使當其中一個接觸層長期使用后失效,也可以通過另一個接觸層進行電壓傳導(dǎo),導(dǎo)電陶瓷材質(zhì)的陶瓷導(dǎo)電板在起到了導(dǎo)電效果的同時,保證了較好的結(jié)構(gòu)剛性,當通過較強的電壓時,不會被高電壓擊穿,起到了保護效果,圓板內(nèi)部的鎳錳酸鋰是一種高抗壓材料,當通過高電壓的時候,不會將第一導(dǎo)電管和第二導(dǎo)電管損壞,延長了第一導(dǎo)電管與第二導(dǎo)電管的使用壽命。
聲明:
“集成MOSFET及二極管的半導(dǎo)體裝置” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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