本發(fā)明公開了一種高階
芯片失效分析物理去層分析方法,包括:提供芯片及芯片上待進(jìn)行物理去層的關(guān)注區(qū)域,芯片包括自下而上制備于襯底上的第一金屬層、第二金屬層、……、第N-2金屬層、第N-1金屬層以及第N金屬層,其中,8≤N≤10;自上而下依次刻蝕第N金屬層、第N-1金屬層、第N-2金屬層、……、第二金屬層以及第一金屬層;其中,刻蝕第N-1金屬層,包括:采用BOE刻蝕劑以第一刻蝕時(shí)間刻蝕關(guān)注區(qū)域內(nèi)的第N-1金屬層上的氧化層;采用反應(yīng)離子刻蝕法以第二刻蝕時(shí)間刻蝕第N-1金屬層上的氧化層至關(guān)注區(qū)域內(nèi)的第N-1金屬層露出金屬銅;研磨金屬銅至關(guān)注區(qū)域內(nèi)的第N-1金屬層完全去除。
聲明:
“高階芯片失效分析物理去層分析方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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