芯片失效分析方法、裝置、電子設備及介質 780     

 0

本申請?zhí)峁┮环N芯片失效分析方法、裝置、電子設備及介質。該方法在獲取第一狀態(tài)的熱熔蠟后，第一狀態(tài)為軟化狀態(tài)，采用預設嵌入方式，將待研磨樣品嵌入第一狀態(tài)的熱熔蠟的一側，并對第一狀態(tài)的熱熔蠟的另一側進行塑型，得到第一狀態(tài)的研磨體；研磨體中待研磨樣品保持水平；基于第一狀態(tài)的研磨體，獲取第二狀態(tài)的研磨體，第二狀態(tài)為凝固狀態(tài)；在固定第二狀態(tài)的研磨體上塑型的熱熔蠟后，對研磨體中的待研磨樣品進行研磨，得到待分析芯片；對待分析芯片進行失效分析，得到分析結果。該方法提高了研磨穩(wěn)定性和安全性，也提高了失效分析效率。

嵌入在FMEA系統(tǒng)中的失效分析方法及裝置 738     

 0

本申請公開了一種嵌入在FMEA系統(tǒng)中的失效分析方法及裝置，方法包括：采集目標企業(yè)的問題數(shù)據(jù)并存入企業(yè)失效問題庫，分析企業(yè)失效問題庫的問題數(shù)據(jù)以生成經(jīng)驗內容，并基于經(jīng)驗內容生成經(jīng)驗庫；利用魚骨圖和產品設計原因圖對問題數(shù)據(jù)分析，得到失效原因，并根據(jù)失效原因生成至少一個失效措施；調用經(jīng)驗庫的經(jīng)驗內容，生成待分析FMEA項目中的失效模式及失效原因，并將與失效原因對應的至少一個失效措施帶入FMEA項目中，經(jīng)驗內容可被橫向展開到產品族FMEA中。該方法解決了在做FMEA時，僅針對當前項目產品進行分析，歷史經(jīng)驗教訓難被識別應用在新項目中，導致生產問題、質量問題重復再發(fā)，造成質量損失，影響企業(yè)聲譽的問題，從而可以有效防止問題再發(fā)。

半導體芯片失效分析的方法 790     

 0

本發(fā)明提供一種半導體芯片失效分析的方法，用于對半導體芯片上的若干半導體結構進行分析，包括：提供待分析半導體芯片，所述半導體芯片中包括多個半導體結構；利用不同的分析方法分別對所述多個半導體結構進行失效分析。本發(fā)明的分析方法能夠對同一半導體芯片上的不同的三明治結構采用不同的分析方法進行失效分析。

汽車電子中電動機轉子漆包線斷裂的失效分析方法 1136     

 0

本發(fā)明提供了一種汽車電子中電動機轉子漆包線斷裂的失效分析方法,包括以下步驟:A、使用掃描電子顯微鏡對需要進行失效分析的漆包線樣品斷裂處的金屬斷口進行觀察,分析可能的失效原因;B、使用X射線特征粒子能量譜儀分析漆包線樣品表面的元素,通過對比漆包線導線材質設計規(guī)格書,分析出可能的失效原因;C、制作漆包線樣品的金相切片樣品;D、使用掃描電子顯微鏡觀察制作好的金相切片樣品,查看漆包線樣品是否符合設計規(guī)范要求書的指標;E、綜合以上步驟得到的結論,分析漆包線樣品的失效原因及其失效機理。本發(fā)明方法步驟簡單清晰易操作,有效對電動機轉子漆包線斷裂的失效原因進行分析,促進漆包線生產工藝的改進,提高產品質量。

半導體器件的機械力失效分析方法 817     

 0

本發(fā)明涉及一種半導體器件的機械力失效分析方法，其特征在于，包括以下步驟：對失效器件分析手段，找到失效點，確定失效器件的失效形貌；將失效器件的失效形貌分三大類；對判定為第三類的失效器件做進一步分析；通過復現(xiàn)試驗及應力分析，明確器件失效機理，分辨出碰撞力和板級應力失效；根據(jù)器件失效機理，針對性的提出碰撞力和板級應力失效的改善措施。

制備半導體失效分析樣品的方法 1104     

 0

本發(fā)明提出一種制備半導體失效分析樣品的方法，首先對所述測試芯片進行切割形成初始樣品并在所述初始樣品的一角暴露出所述測試區(qū)的切割面，其次再對所述初始樣品暴露出所述測試區(qū)切割面的一角進行切割，使切割面與所述測試區(qū)的排列方向垂直，從而可以準確的測量出所述測試區(qū)的特征尺寸。

制備失效分析樣品的方法 887     

 0

一種制備失效分析樣品的方法,包括:提供樣品,所述樣品包括待分析結構,所述樣品具有第一表面,所述第一表面暴露出待分析結構;在所述第一表面上形成第一預定厚度的重金屬層;在形成第一預定厚度的重金屬層后,將所述樣品一分為二,選擇其中之一作為待分析樣品,所述待分析樣品具有與所述第一表面相鄰的第二表面,所述第二表面暴露出所述待分析結構;在所述待分析樣品的第二表面上形成第二預定厚度的重金屬層;所述重金屬層的材料選自金、鉑或者鉻。在對該方法制備的樣品進行失效分析時,基本能消除引起低介電常數(shù)材料、超低介電常數(shù)材料引起變形的因素,可以保持樣品原狀,提供有效的分析數(shù)據(jù)。

失效分析去層方法 739     

 0

本發(fā)明提供一種失效分析去層方法，截取樣品并將其放入激光切割機，確定樣品的失效分析區(qū)域和目標位置；目標位置所在失效分析層為Mx；利用激光切割機制作環(huán)繞目標位置的多個溝槽；溝槽底部位于金屬層Mx+2層上或其以下深度的位置；環(huán)繞目標位置的多個溝槽相鄰彼此相互貫通，溝槽環(huán)繞目標位置的失效分析區(qū)域相對于樣品其他區(qū)域被劃分為基于失效分析的獨立區(qū)域；將樣品置于拋光機上，針對被溝槽環(huán)繞的失效分析區(qū)域進行去層研磨并利用光學顯微鏡觀察研磨位置，研磨至去除失效分析層Mx以上金屬層，并將失效分析上Mx中的目標位置暴露為止。本發(fā)明的失效分析去層方法在保證芯片去層精確性、有效性的同時縮短磨樣時間，增強效率。

基于SysML模型的級聯(lián)失效傳播效應動態(tài)分析方法 894     

 0

一種基于SysML模型的級聯(lián)失效傳播效應動態(tài)分析方法，基于SysML模型構造系統(tǒng)功能運行狀態(tài)模型并從中提取出功能邏輯關系和運行狀態(tài)級聯(lián)關系，生成模型交互關系矩陣集合；再根據(jù)級聯(lián)失效搜索算法從集合中的交互信息中生成失效傳播鏈條；最后將失效傳播鏈條整合為級聯(lián)失效動態(tài)圖形化結構以實現(xiàn)失效傳播路徑和影響范圍的可視化。本發(fā)明能夠對于復雜綜合系統(tǒng)失效傳播過程的動態(tài)描述與影響分析，達到失效傳播路徑和失效影響范圍的可視化。

Flash產品的ONO薄膜缺陷的失效分析方法 1045     

 0

本發(fā)明公開了一種Flash產品的ONO薄膜缺陷的失效分析方法，包括對待分析Flash樣品的上表面各層進行減薄處理，露出含有ONO薄膜缺陷的儲存單元的第一多晶硅層區(qū)域，使用選擇性化學溶液對第一多晶硅層進行腐蝕去除，露出ONO薄膜，在ONO薄膜缺陷處，通過化學溶液繼續(xù)對該缺陷下方的第二多晶硅層進行腐蝕去除，對被腐蝕的ONO薄膜缺陷處進行定位，并制備缺陷平面樣品，供進一步進行缺陷觀察及失效分析。本發(fā)明可以更方便、準確且更精細地分析Flash產品的ONO薄膜缺陷，大大提高失效分析的效率，從而幫助迅速提高Flash產品的良率和可靠性。

芯片失效的數(shù)據(jù)分類分析方法及其裝置 996     

 0

本發(fā)明提供一種芯片失效的數(shù)據(jù)分類分析方法及其裝置,其方法為:確定芯片尺寸和類型;確定芯片失效模式;對芯片進行掃描,將芯片中失效位的信息作為原始數(shù)據(jù),存儲在數(shù)據(jù)庫中;將原始數(shù)據(jù)格式轉換成統(tǒng)一的標準數(shù)據(jù)格式;對所述標準數(shù)據(jù)進行分析并分類;顯示分類結果。與現(xiàn)有的技術相比,本發(fā)明提供的芯片失效的數(shù)據(jù)分類分析方法及其裝置通過確定芯片尺寸和類型;確定芯片失效模式,然后采用一維聚類算法分別將橫向和縱向的失效位統(tǒng)計出來,再將其合并,從而大大減少統(tǒng)計的運算量,提高系統(tǒng)的性能,從而能應用于分析具有大容量的存儲產品。

功率器件的失效分析方法 673     

 0

本申請公開了一種功率器件的失效分析方法，包括：去除集成有功率器件的晶圓的正面的第一金屬層；通過失效點定位機臺對正面失效區(qū)域進行定位后，對正面失效區(qū)域進行標記，得到正面失效標記；通過失效點定位機臺在背面查找到正面失效標記，對背面失效區(qū)域進行定位，背面失效區(qū)域是正面失效區(qū)域在背面的對應區(qū)域；通過失效點定位機臺對背面失效區(qū)域進行標記，得到背面失效標記；根據(jù)背面失效標記對背面失效區(qū)域進行失效分析。本申請實現(xiàn)了對晶圓的背面進行失效分析，提高了失效分析的準確度。

用于SEM/ FIB失效分析的樣品座 806     

 0

本實用新型公開了一種用于SEM/FIB失效分析的樣品座，包括定位圓柱、樣品存放臺和固定螺絲，所示定位圓柱設置在樣品存放臺底部，所述樣品存放臺上表面開設有至少四個樣品槽，每個樣品槽分別對應有固定螺絲，所述固定螺絲從樣品存放臺側部分別伸入到各個樣品槽內。本實用新型通能同時觀測多個樣品，提高物性失效分析的效率；可以把多個銅工藝樣品盡快放入真空室內避免被氧化污染；避免多次置換樣品，保持真空值提高分辨率；改進樣品固定螺絲美觀且容易控制力度，避免樣品被夾碎。

失效分析方法 1111     

 0

本發(fā)明提供了一種失效分析方法，包括：第一步驟：將封裝樣品的背面的封裝膠研磨至芯片焊墊露出；第二步驟：去除芯片下銀膠和芯片焊墊；第三步驟：執(zhí)行研磨處理以露出所需測試的引腳對應的框架邊緣；第四步驟：使用定位設備，通過點針在露出的引線框架上對芯片進行背面的失效定位分析，以找到失效點。

制備失效分析樣品的方法 818     

 0

本申請?zhí)峁┝艘环N制備失效分析樣品的方法。該方法包括：步驟S1.提供樣品，該樣品的待測表面分為第一表面區(qū)域和第二表面區(qū)域；步驟S2.利用油性物質將第一表面區(qū)域覆蓋；步驟S3.在第二表面區(qū)域設置多個通孔，通孔延伸至樣品的基底表面；步驟S4.在待測表面和通孔中設置金屬；以及步驟S5.去除油性物質。本申請?zhí)峁┑姆椒ㄍㄟ^在去除覆蓋在第一表面區(qū)域的油性物質時同時去除附著在其上的金屬，從而使第一表面區(qū)域的樣品表面裸露；而第一表面區(qū)域在受到轟擊時產生二次電子，與二次電子對應的正電荷被位于其周圍的金屬導出，由此產生的二次電子成像能夠反映該處的原始表面形貌。

用于低壓斷路器振動激勵失效的力學分析方法 869     

 0

本發(fā)明公開了一種用于低壓斷路器振動激勵失效的力學分析方法，其包括如下步驟：a)建立低壓斷路器的力學特性模型，包括如下操作步驟：①對振動激勵下的低壓斷路器進行力學分析；②對經(jīng)過步驟①力學分析后的低壓斷路器進行數(shù)學建模；③對建立的低壓斷路器的數(shù)學模型確定邊界條件；b)分析低壓斷路器在振動激勵下的響應特性。本發(fā)明首次提供了一種用于低壓斷路器振動激勵失效的力學分析方法，通過建立低壓斷路器的數(shù)學模型、研究振動激勵與低壓斷路器之間的力學關系，從而可掌握振動激勵對低壓斷路器力學性能的影響，進而統(tǒng)計在外部環(huán)境和自身內部振動激勵的影響下低壓斷路器的失效特性，為變載荷下載運工具的可靠性測試提供理論依據(jù)。

互連結構失效分析樣品的制作方法 706     

 0

一種互連結構失效分析樣品的制作方法,包括:對樣品橫截面進行物理濺射工藝;通過電子顯微鏡對所述樣品進行測試。本發(fā)明有利于失效分析對工藝參數(shù)的準確表征。

失效分析樣品的制備方法 1066     

 0

本發(fā)明提供了一種失效分析樣品的制備方法，包括以下步驟：步驟S1、提供一待分析樣品，所述待分析樣品的一截面設置有集成電路，所述集成電路中設有一凹槽，且該集成電路除凹槽以外部分表面覆蓋有一保護層；步驟S2、利用一填充材料將所述凹槽完全填充并將該凹槽所在截面完全覆蓋；步驟S3、對所述待分析樣品進行研磨，并對所述集成電路進行觀測和分析。本發(fā)明以去除保護層時保證了良好的均勻性，樣品的制備過程簡單快速，且成本極低，該樣品可以順利地進行后續(xù)失效分析，同時提高了觀測效率及準確率，為提高產品良率提供依據(jù)。

仿真分析低壓開關端蓋振動沖擊失效的方法 898     

 0

本發(fā)明公開了一種仿真分析低壓開關端蓋振動沖擊失效的方法，所述方法包括如下步驟：a)建立低壓開關端蓋的有限元模型；b)對步驟a)所建立的有限元模型施加連續(xù)瞬態(tài)載荷；c)分析求解低壓開關端蓋的內部應力大小及分布；d)根據(jù)分析結果，對低壓開關端蓋的結構進行優(yōu)化。通過本發(fā)明方法能夠得到低壓開關端蓋在受到連續(xù)瞬態(tài)沖擊載荷下，其內部的應力及分布情況，從而為避免低壓開關端蓋在振動沖擊情況下發(fā)生失效進行結構優(yōu)化和設計提供依據(jù)；本發(fā)明應用性強，對低壓開關的性能監(jiān)測具有重要價值。

共享字線的分柵式閃存的失效分析方法及系統(tǒng) 947     

 0

本發(fā)明提供一種共享字線的分柵式閃存的失效分析方法及系統(tǒng)，不僅關注失效存儲位單元本身，還將與失效存儲位單元共享字線的同行同列存儲位單元的影響、失效存儲位單元所在字線(行)、位線(列和IO接口電路)以及控制柵極線的影響等考慮在內，根據(jù)失效存儲位單元的功能驗證及其相鄰存儲位單元的電流信息前后比對，確定出失效存儲位單元的失效模式是自身缺陷引起的功能失效，還是與其共享字線的同行同列存儲位單元和其所在的字線、位線以及IO接口電路等周圍環(huán)境缺陷引起的失效，并給出其具體失效模式，整個分析過程可自動完成，無需專業(yè)人員在場，能節(jié)約人力資源與測試機時及提高失效分析效率和結論準確性。

半導體失效檢測結構及形成方法、檢測失效時間的方法 914     

 0

一種導體失效檢測結構以及形成方法和檢測方法，所述檢測結構包括：基底，所述基底具有核心器件區(qū)和外圍器件區(qū)，所述核心器件區(qū)的基底上具有分立的第一金屬層和待測金屬層，通過待測導電插塞相互連接；所述外圍器件區(qū)的基底上具有若干重疊排布的測試焊盤和若干加載焊盤并通過貫通介質層內的測試導電插塞和加載導電插塞進行連接；在待測金屬層的同一層具有焊盤金屬層，所述焊盤金屬層通過測試導電插塞和加載導電插塞分別與測試焊盤、加載焊盤連接，所述焊盤金屬層通過至少兩個頂層導電插塞與第一金屬層連接。所述檢測結構能夠在不破壞標準焊盤結構以及不擴大設計區(qū)域面積的情況下，提高電遷移檢測的準確性。

摻雜失效分析方法 1147     

 0

本發(fā)明公開了一種摻雜失效的分析方法，包括步驟：提供良品硅片；對良品硅片和待測樣品硅片進行處理直至露出襯底表面；將良品硅片和待測樣品硅片放置在底座上；在良品硅片和待測樣品硅片上選定測試圖形；設定進行SRP的條件；分別對良品硅片和待測樣品硅片上的測試圖形進行SRP并得到電阻率或載流子濃度的數(shù)據(jù)；對良品硅片和所述待測樣品硅片的電阻率或載流子濃度的數(shù)據(jù)進行比較，判斷待測樣品硅片的摻雜是否失效，估算待測樣品硅片的摻雜劑量失效大小。本發(fā)明能準確快速驗證摻雜相關的失效，以及確認摻雜雜質的差異程度，能大大節(jié)省芯片失效分析的時間和確保失效分析的準確性，為明確工藝原因及提升相關產品的良率發(fā)揮重大作用。

芯片的失效分析方法 830     

 0

本申請公開了一種芯片的失效分析方法，該失效分析方法包括：定位芯片中產生漏電流的硅通孔結構；沿垂直芯片表面的方向研磨芯片至接近硅通孔結構，標記為與芯片的上表面垂直的橫截面；在橫截面上依次間隔設定標記點；在硅通孔結構和芯片中的襯底之間施加測試電壓，獲取硅通孔結構產生漏電流的位置，將其在橫截面上對應的位置標為熱點；將與熱點相鄰的兩個標記點記為第一標記點和第二標記點，通過熱點與第一標記點和第二標記點之間的深度關系定位漏電流的深度。該方法能夠準確地獲取芯片中漏電流的深度位置，進而有效地指導接下來的物理失效分析方法和工藝改進。同時，該方法所用的機臺均為已有的傳統(tǒng)機臺，不需額外增加機臺預算。

用于動態(tài)抓點的芯片失效分析的方法 978     

 0

本申請公開了一種用于動態(tài)抓點的芯片失效分析的方法，涉及芯片失效分析領域。該方法包括將待測芯片安裝在PCB板上，所述PCB板上至少設置有芯片連接座、電池和芯片引腳插針；將所述待測芯片通過所述PCB板上的引腳插針與測試機連接；將所述測試機、所述待測芯片與所述電池連接；通過所述測試機向所述待測芯片發(fā)送激勵模式，所述激勵模式用于令所述待測芯片進入預定激發(fā)狀態(tài)中的一種；斷開所述測試機與所述待測芯片、所述PCB板的連接；解決了目前進行動態(tài)抓點時需要搬動測試機的問題；達到了避免搬動測試機臺，不限制測試機的位置，維持芯片狀態(tài)方便進行動態(tài)抓點的效果。

用于失效分析的方法 688     

 0

本發(fā)明提供一種用于失效分析的方法。所述方法包括：在待測芯片的特定位置引入失效；測試出失效位置的電性地址；以及基于所述特定位置和所述電性地址確定電性失效地址與物理失效地址之間的轉換關系。本發(fā)明所提供的用于失效分析的方法可以有效確認電性失效地址與物理失效地址之間的對應關系，從而可以基于測試到的電性失效地址精確計算出芯片上實際失效的物理單元的地址，為下一階段的物理失效分析提供良好基礎。

高鐵用聚氨酯彈性體防護擋板失效的綜合分析方法 1139     

 0

本發(fā)明為一種高鐵用聚氨酯彈性體防護擋板失效的綜合分析方法。具體為：了解擋板的工藝參數(shù)、運行工況；對失效的擋板進行外觀檢查；采用三維體視顯微鏡等方法對失效的擋板進行更為細致的觀察；采用表征方法對清洗擋板用到的清洗劑的成分進行分析；采用表征方法對失效擋板的成分、性能進行分析；采用將全新?lián)醢搴唵谓菰谇逑磩┲械姆绞綄θ聯(lián)醢暹M行實驗，對浸泡結果進行收集和總結以模擬失效過程，驗證實驗結論；綜合以上步驟，從現(xiàn)象到本質，從實驗事實到最終結論，確定擋板失效的主要原因。本發(fā)明可以準確、快速地判斷出擋板失效的原因，進而采取針對性的預防。本方法對軌道車輛領域聚氨酯防護擋板的安全使用也具有實用參考價值。

新的全自動檢測泵失效的方法 1005     

 0

本發(fā)明公開一種新的全自動檢測泵失效的方法，其中，硅片是依次傳送至工藝腔室中以進行制造過程，并且泵是用于為工藝腔室抽取一定的真空度，其特征在于，在上一片硅片在工藝腔室中結束制造后，下一片硅片還沒有進入工藝腔室前，增加泵的底壓檢測的步驟，用于檢測位于工藝周期中的泵的底壓狀態(tài)。本發(fā)明一種新的全自動檢測泵失效的方法，通過在工藝程式結束前增加設定特定的條件步驟，用來自動檢測泵的底壓，有效地實現(xiàn)泵的全自動底壓檢測，并防止由于泵失效產生的顆粒導致的硅片報廢。從而避免人工停機人工檢測所帶來的資源消耗與機時的浪費，同時也解決傳統(tǒng)的檢測方法的頻率太低所帶來的產能風險。

用于失效分析的線路板上的元器件拆除方法 1034     

 0

一種用于失效分析的線路板上的元器件拆除方法,其步驟包括預處理,預熱,拆除元器件,焊料整平,清洗干燥。在預處理中通過機械方法拆除非焊接連接的元器件;將線路板進行預熱;在拆除元器件和焊料整平中將線路板在一定溫度的高溫介質中加熱至焊料熔化,然后在液體介質中,拆除線路板上的元器件并將線路板表面焊盤上的焊料整平。然后將干凈平整的線路板用于飛針或夾具電測試,從而找到線路板的失效網(wǎng)絡進行失效分析。本發(fā)明與現(xiàn)有方法相比,大大提高了拆除效率,而且可以避免對線路板可能造成的損傷、焊錫粘連造成的線路板大量短路、以及焊盤表面不平整而不能用于線路板飛針或夾具電測試等缺陷。

失效分析定位方法 1040     

 0

本發(fā)明公開了一種失效分析定位方法，其屬于半導體領域的技術，包括：步驟S1，預先在所述重復性結構區(qū)域設置一目標區(qū)域；步驟S2，以所述目標區(qū)域為中心在所述被測芯片表面設置一點陣圖形，所述點陣圖形中的組成點的面積和所述組成點與所述目標區(qū)域之間的距離成正相關；步驟S3，對所述目標區(qū)域進行失效分析以定位所述目標區(qū)域中的失效點，在進行所述失效分析之前根據(jù)所述點陣圖形定位所述目標區(qū)域。該技術方案的有益效果是：本發(fā)明能夠減少抓取失效點的時間，以便快速的進行失效分析，提高了失效分析的效率，實現(xiàn)了對芯片上的重復性結構區(qū)域中的失效點的快速定位與分析。

晶振失效分析的方法 841     

 0

本發(fā)明提供了一種晶振失效分析的方法，包括以下步驟：A、對需要分析的晶振樣品進行外觀分析，尋找可能的失效原因；B、對需要分析的晶振樣品進行電學測試，測出頻率、等效串聯(lián)電阻和最大阻抗；C、對需要分析的晶振樣品進行開封，并進行電學測試；D、使用光學顯微鏡對開封后的晶振樣品進行內部觀察；E、使用掃描電子顯微鏡對開封后的晶振樣品進行內部觀察；F、綜合分析上述步驟得到的結果，總結出晶振樣品失效的原因。本發(fā)明有如下優(yōu)點：本發(fā)明利用有限的分析儀器，在短時間內快速找到晶振元件失效的原因，分析詳盡完整，為晶振的工藝生產的改進提供有效信息。