應(yīng)用于NVM芯片的失效位圖分析方法 702     

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本發(fā)明公開了一種應(yīng)用于NVM芯片的失效位圖分析方法，該方法從芯片外部由具有位圖分析功能的測試儀輸入HV信號，測試芯片的擦除、編程、讀取功能，用位圖分析方法進(jìn)行分析，存儲單元陣列中，缺陷附近的行或列在位圖中表現(xiàn)為讀取錯(cuò)誤，遠(yuǎn)離缺陷的行或列在位圖中表現(xiàn)為讀取正確，根據(jù)位圖反映的缺陷特征信息分析失效機(jī)理和定位失效位置。本發(fā)明通過改進(jìn)常規(guī)的失效位圖分析方法，將HV信號由芯片內(nèi)部Pump電路模塊產(chǎn)生改為由芯片外部測試儀輸入，從而在NVM存儲陣列全部存儲單元Read失效的情況下，得到了失效芯片的具有缺陷特征的位圖信息，不僅突破了常規(guī)位圖分析方法的限制，而且大大提高了位圖分析定位的有效性和適用范圍。

用于分析可靠性失效的太陽能組件的方法及相應(yīng)裝置 862     

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本發(fā)明涉及一種用于分析可靠性失效的太陽能組件的方法，包括：(1)將失效組件置于高溫、暗光環(huán)境中并保持電注入預(yù)設(shè)時(shí)間；(2)再次進(jìn)行EL測試和功率測試，獲得處理后的EL測試結(jié)果和功率測試結(jié)果；(3)將處理后的EL測試結(jié)果與初始狀態(tài)的EL測試結(jié)果相比較，并將處理后的功率測試結(jié)果和初始狀態(tài)的功率測試結(jié)果相比較，若處理后的EL測試結(jié)果相對于初始狀態(tài)的EL測試結(jié)果在第一預(yù)設(shè)范圍內(nèi)且處理后的功率測試結(jié)果相對于初始狀態(tài)的功率測試結(jié)果在第二預(yù)設(shè)范圍內(nèi)，則分析該失效組件為電池片失效；其他比較結(jié)果，則分析該失效組件為封裝材料導(dǎo)致或電池片漿料接觸導(dǎo)致的失效。本發(fā)明還提供了相應(yīng)的裝置。

電容的失效分析方法 1047     

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本發(fā)明提供了一種電容的失效分析方法，包括以下步驟：A、對需要進(jìn)行分析的電容樣品進(jìn)行外觀觀察，分析可能的實(shí)效原因；B、對需要進(jìn)行分析的電容樣品進(jìn)行X-Ray透視檢查，確認(rèn)電容的內(nèi)部結(jié)構(gòu)；C、使用小刀將電容劃開，取出電容樣品中的薄膜；D、將需要進(jìn)行分析的電容樣品制作成金相切片樣品；E、使用掃描電子顯微鏡對金相切片好的樣品進(jìn)行觀察分析；F、綜合分析上述步驟得出的結(jié)果，確定電容失效的原因。本發(fā)明帶來的有益效果是：本發(fā)明方法步驟簡單清晰，可準(zhǔn)確分析出電容失效的原因，不會造成誤判。

人工耳蝸植入體的失效分析方法 1071     

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本發(fā)明提供了一種人工耳蝸植入體的失效分析方法。該人工耳蝸植入體失效分析方法包括：ID遙測、阻抗遙測、順應(yīng)性測試及刺激輸出的測試。本發(fā)明提供的人工耳蝸植入體的失效分析方法，旨在解決現(xiàn)有人工耳蝸耳蝸植入體失效分析方法的失效原因定位難、定位不準(zhǔn)的問題，有效提升人工耳蝸植入體產(chǎn)品量產(chǎn)的合格率。

在半導(dǎo)體器件中進(jìn)行失效分析的方法 767     

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一種在半導(dǎo)體器件中進(jìn)行失效分析的方法,包括:提供待測的半導(dǎo)體器件,所述半導(dǎo)體器件包括晶片和封裝覆層;在封裝覆層的一側(cè)形成暴露晶片正面的開口;在暴露的晶片正面進(jìn)行失效分析;填充所述開口;在封裝覆層的另一側(cè)進(jìn)行研磨直至暴露晶片背面;在暴露的晶片背面進(jìn)行失效分析。與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明采用先在晶片正面開口,后在晶片背面研磨的方法,實(shí)現(xiàn)在晶片的正背面分別進(jìn)行一次失效分析,提高了失效分析的準(zhǔn)確性,增強(qiáng)了失效分析的效果,改善了晶片的利用率。

摻雜失效的分析方法 825     

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本發(fā)明公開了一種摻雜失效的分析方法，包括步驟：提供一良品硅片；對良品硅片和待測樣品硅片進(jìn)行處理直至露出襯底表面；將良品硅片和待測樣品硅片分別放置在一導(dǎo)電底座上并用錫焊固定；分別在良品硅片和待測樣品硅片上選定一測試圖形；進(jìn)行測試條件設(shè)置；采用單針分別對良品硅片和待測樣品硅片上的測試圖形進(jìn)行認(rèn)證測試；對良品硅片和待測樣品硅片的測試數(shù)據(jù)進(jìn)行比較并判斷待測樣品硅片的摻雜是否失效。本發(fā)明能準(zhǔn)確快速驗(yàn)證摻雜相關(guān)的失效，能大大減少測試圖形尺寸、實(shí)現(xiàn)小尺寸圖形的摻雜失效分析，能大大節(jié)省芯片失效分析的時(shí)間和確保失效分析的準(zhǔn)確性，為明確工藝原因及提升相關(guān)產(chǎn)品的良率發(fā)揮重大作用。

銅基針型散熱器化鍍件異常失效的綜合分析方法 700     

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本發(fā)明為一種銅基針型散熱器化鍍件異常失效的綜合分析方法。具體為：了解化鍍件基材的性質(zhì)、表面處理工藝以及化鍍工藝；了解化鍍件的運(yùn)行工況；對失效的銅基針型散熱器化鍍件進(jìn)行外觀檢查；采用顯微鏡等對失效的銅基針型散熱器化鍍件進(jìn)行更細(xì)致的觀察；對失效的銅基針型散熱器化鍍件的基材及化鍍層的成分與性能進(jìn)行表征分析；對同種工藝制作的銅基板表面質(zhì)量進(jìn)行分析；對冷卻液等介質(zhì)進(jìn)行成分分析；綜合以上的分析步驟，確定銅基針型散熱器化鍍件異常失效的根本原因。本發(fā)明可準(zhǔn)確且迅速地判斷出銅基針型散熱器化鍍件失效的原因，進(jìn)而采取有效的改進(jìn)措施。本方法對電子元件、機(jī)械加工、醫(yī)療器械等其他領(lǐng)域化鍍件的失效預(yù)防也具有重要的參考價(jià)值。

在芯片失效分析過程中去除層次的方法 643     

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一種在集成電路芯片失效分析過程中去除層次的方法，用于暴露具有多層結(jié)構(gòu)的集成電路芯片的至少一預(yù)設(shè)目標(biāo)層，其中，目標(biāo)層中包含需檢測的目標(biāo)樣品，其包括如下步驟：采用截面研磨的方式，選取集成電路芯片的一個(gè)截面作為被研磨截面，將被研磨截面研磨至最終停止截面；將被研磨出截面的芯片樣品，放入聚焦離子束裝置的工藝腔中，并將研磨出的截面與聚焦離子束發(fā)射方向相對設(shè)置，以使預(yù)設(shè)的目標(biāo)層與聚焦離子束發(fā)射方向相平行；使用聚焦離子束，從集成電路芯片的表面層開始去除預(yù)設(shè)目標(biāo)層之上的各層次；通過對聚焦離子束中的電子束的檢測，選擇停留在預(yù)設(shè)目標(biāo)層表面。因此，本發(fā)明獲得很好的層次去除效果。

單向閥失效檢測裝置及用于檢測單向閥失效的方法 1123     

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本發(fā)明提供一種單向閥失效檢測裝置，包括：密封的儲液罐，在儲液罐內(nèi)容納有部分液體，液體從儲液罐的外部是可見的；檢測管路，檢測管路的一端與待檢測的單向閥的測試端口相連通，檢測管路的與所述一端相對的另一端被在放置于儲液罐內(nèi)的液體中；負(fù)壓源，其設(shè)置成與位于儲液罐中的氣體相連通，以向儲液罐提供負(fù)壓；單向閥失效檢測裝置能通過待檢測的單向閥的經(jīng)由檢測管路在儲液罐的液體中給出的視覺指示來確定待檢測的單向閥的失效。借助檢測裝置，只需觀察儲液罐的液體中給出的視覺指示來判斷單向閥是否失效即可，其結(jié)構(gòu)簡單、對壓力計(jì)和管路真空度的要求更低、觀察更方便直觀，整個(gè)檢測時(shí)間短。本發(fā)明還提供一種用于檢測單向閥失效的方法。

材料失效分析方法 1178     

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本發(fā)明公開了一種材料失效分析方法，其中，包括以下步驟：獲取失效零件的失效背景；對失效零件進(jìn)行外觀檢查，得到失效零件的失效信息；在材料失效分析數(shù)據(jù)庫中查找與所述失效背景和/或所述失效信息匹配的材料失效數(shù)據(jù)，得到所述失效零件的預(yù)估失效原因；根據(jù)預(yù)估失效原因，對所述失效零件進(jìn)行斷口觀察，得到所述失效零件的失效形式；采用材料分析法對所述失效零件與未失效零件進(jìn)行對比分析，得到對比結(jié)果；根據(jù)所述失效形式和所述對比結(jié)果，確定所述失效零件的失效原因。利用本發(fā)明可提高材料失效分析人員的效率和水平。

集成電路的背面光學(xué)失效定位樣品制備方法及分析方法 869     

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本發(fā)明公開了一種集成電路的背面光學(xué)失效定位樣品制備方法，包括：步驟1、對樣品進(jìn)行開、短路測試，使用測試儀ATE機(jī)臺施加一個(gè)電流，來判斷電壓是否在正常的范圍，確定開短路測試電壓是在正常的范圍后進(jìn)行下一步分析；步驟2、使用手動研磨機(jī)臺對失效樣品的背面塑封材料進(jìn)行研磨；步驟3、開封后使用超聲波清洗器對器件進(jìn)行清洗，將殘留在芯片背面的殘?jiān)サ?，并選用常溫恒溫，進(jìn)行8～15分鐘超聲清洗，得到干凈的樣品并自然干燥；步驟4、再次使用ATE(自動測試儀)測量樣品的電學(xué)特性參數(shù)，確認(rèn)樣品的特性與制樣前完全一致。本發(fā)明能大大提高無損開封的成功率及失效分析的速度。本發(fā)明還涉及該樣品的失效分析方法。

零部件多失效模式相對風(fēng)險(xiǎn)定量分析方法 958     

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本發(fā)明涉及一種零部件多失效模式相對風(fēng)險(xiǎn)定量分析的方法，分別建立高周疲勞性能預(yù)測模型、低周疲勞壽命預(yù)測模型、斷裂壽命預(yù)測模型、蠕變壽命預(yù)測模型、失效風(fēng)險(xiǎn)分析模型，將待分析零部件數(shù)據(jù)根據(jù)結(jié)構(gòu)特點(diǎn)輸入對應(yīng)的預(yù)測模型中進(jìn)行識別，識別過程中離散變量數(shù)據(jù)分類存入數(shù)據(jù)庫對應(yīng)類別，失效風(fēng)險(xiǎn)分析模型中各個(gè)分析模塊根據(jù)設(shè)定調(diào)用數(shù)據(jù)庫中數(shù)據(jù)，結(jié)合預(yù)測模型識別結(jié)果對待分析零部件失效概率進(jìn)行多維度分析。將概率分析模型與傳統(tǒng)力學(xué)模型結(jié)合，將零部件結(jié)構(gòu)在材料性能和幾何外形等固有參數(shù)上呈現(xiàn)的數(shù)據(jù)離散性納入考慮，得到的零部件失效分析不再是單一地給出“是”或“否”的二值判斷，而是返回一個(gè)失效的累積概率分布函數(shù)，更符合實(shí)際工程應(yīng)用的經(jīng)驗(yàn)。

微光顯微鏡芯片失效分析方法及系統(tǒng) 804     

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本發(fā)明公開了一種微光顯微鏡芯片失效分析方法,利用硬件描述語言開發(fā)芯片測試激勵(lì);用軟件對芯片測試激勵(lì)進(jìn)行仿真,仿真正常后將芯片測試激勵(lì)燒入FPGA基板;FPGA基板輸出多個(gè)激勵(lì)pattern輸出到待分析芯片的多個(gè)引腳,使待分析芯片電路進(jìn)入故障激發(fā)模式;通過微光顯微鏡捕捉亮點(diǎn),最后對亮點(diǎn)進(jìn)行電路分析和失效分析。本發(fā)明還公開了一種微光顯微鏡芯片失效分析系統(tǒng)。本發(fā)明的微光顯微鏡芯片失效分析方法及系統(tǒng),能實(shí)現(xiàn)多通道復(fù)雜測試向量施加,實(shí)現(xiàn)微光顯微鏡芯片缺陷定位,降低了芯片失效分析成本并提高分析效率。

膜電極的失效分析裝置 683     

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本發(fā)明公開了一種膜電極的失效分析裝置，涉及膜電極檢測領(lǐng)域，解決了現(xiàn)有的膜電極不方便進(jìn)行失效分析，沒有合適的裝置能夠單獨(dú)對膜電極進(jìn)行失效性分析的問題，現(xiàn)提出如下方案，其包括箱體、氣管、氣缸筒、把手、箱蓋、膜電極槽、槽體、密封墊、上極板、上安裝板、電動氣缸，每個(gè)所述電動氣缸的輸出端與上安裝板的下端面均固定連接有第一鉸接座，且相鄰的所述第一鉸接座之間轉(zhuǎn)動連接有第一轉(zhuǎn)桿，所述箱體的下內(nèi)壁固定安裝有限位臺，所述上極板的下方設(shè)置有下極板，所述下極板的下飯陣列安裝有下安裝板，每個(gè)所述下安裝板的下端面與限位臺之間均設(shè)置有調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)。本裝置具有方便對膜電極進(jìn)行單獨(dú)的失效分析檢測，同時(shí)通用性好的特點(diǎn)。

電腦主機(jī)板失效分析方法 965     

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本發(fā)明涉及一種電腦主機(jī)板失效分析方法,其包括以下步驟:1)、對電腦主機(jī)板進(jìn)行外觀光學(xué)檢查,判斷其是否有污染;2)、對步驟1)中判斷有污染的電腦主機(jī)板進(jìn)行電性隔離測試,判斷其是否有電性異常;3)、對步驟2)中判斷有電性異常的電腦主機(jī)板進(jìn)行SEM/EDS分析,判斷其是否有導(dǎo)電性元素;4)、對步驟3)中判斷有導(dǎo)電性元素的電腦主機(jī)板進(jìn)行超聲波清洗。本發(fā)明所述的電腦主機(jī)板失效分析方法,其通過對電腦主機(jī)板進(jìn)行外觀光學(xué)檢查、電性隔離測試、SEM/EDS分析以及超聲波清洗,可以有效、快速地檢測出電腦主機(jī)板產(chǎn)生的失效現(xiàn)象。

MIM電容器件失效分析方法 719     

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本發(fā)明涉及一種MIM電容器件失效分析方法，MIM電容器件位于一硅襯底上并包括一上極板、一下極板和一位于上極板與下極板之間的絕緣層，硅襯底上還至少包括一位于MIM電容器件上方的金屬層，上、下極板分別與金屬層的第一、第二電路區(qū)電連接，該方法包括如下步驟：a)確定下極板有無接地，若沒有，則執(zhí)行步驟b)；否則，執(zhí)行步驟d)；b)尋找與MIM電容器件層間距離最近的電源總線；其中，電源總線包括一接地引線；c)形成一連接下極板與電源總線的電路通路；d)通過電壓襯度檢測確定MIM電容器件的漏電區(qū)域。其在通過電壓襯度檢測MIM電容漏電區(qū)域時(shí)，不會漏過漏電程度較小的情況，便于觀測、也更加可靠。

齒輪箱油位計(jì)聚碳酸酯玻璃板失效的綜合分析方法 899     

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本發(fā)明為一種用于高鐵裝置油位計(jì)聚碳酸酯玻璃板失效原因的綜合分析方法。具體步驟為：實(shí)地調(diào)查和了解玻璃板的工藝參數(shù)、運(yùn)行工況；對失效的玻璃板進(jìn)行外觀檢查；采用三維體視顯微鏡或掃描電鏡對失效的玻璃板的斷面和內(nèi)外側(cè)表面進(jìn)行細(xì)致的觀察和分析；采用表征方法對玻璃板表面清洗劑進(jìn)行成分分析；采用表征方法對失效玻璃板的成分、性能進(jìn)行分析；檢查和檢測玻璃板的尺寸與凹槽之間的尺寸關(guān)系；綜合以上從宏觀到微觀、從現(xiàn)象到本質(zhì)，確定玻璃板失效的根本原因。本發(fā)明通過對高鐵齒輪箱油位計(jì)玻璃板進(jìn)行系統(tǒng)的綜合分析后，可以快速、準(zhǔn)確地判斷玻璃板失效的原因，進(jìn)而采取針對性的預(yù)防措施。本方法對其他運(yùn)輸領(lǐng)域聚砜、聚醚砜等高性能玻璃板的安全使用也具有實(shí)用參考價(jià)值和指導(dǎo)意義。

PCB板失效分析方法 813     

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本發(fā)明涉及一種PCB板失效分析方法,其包括以下步驟:1)、對PCB板進(jìn)行外觀光學(xué)檢查,判斷其是否有污染或開裂現(xiàn)象;2)、對步驟1)中判斷有污染或開裂現(xiàn)象的PCB板進(jìn)行電性能檢測,判斷其是否有電性異常;3)、對步驟2)中判斷有電性異常的PCB板進(jìn)行X-RAY射線檢測,判斷其上的焊接是否良好;4)、對步驟3)中判斷有焊接異常的PCB板進(jìn)行電子掃描顯微鏡觀察;5)、對經(jīng)過步驟4)處理的PCB板進(jìn)行能譜分析。本發(fā)明所述的PCB板失效分析方法,其通過對PCB板進(jìn)行外觀光學(xué)檢查、電性能檢測、X-RAY射線檢測以及電子掃描顯微鏡觀察,可以有效、快速地檢測出PCB板產(chǎn)生的失效現(xiàn)象。

光耦失效分析方法 928     

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本發(fā)明提供了一種光耦失效分析方法,該方法包括以下步驟:A、對失效光耦進(jìn)行外觀檢查,查看是否有明顯磨損、開裂等現(xiàn)象;B、對比失效光耦和良品光耦的電性測試圖,分析可能的失效原因;C、對比失效光耦和良品光耦的X-Ray透射圖片,尋找可能的失效原因;D、對失效光耦進(jìn)行機(jī)械開封和化學(xué)開封,對開封后的失效光耦進(jìn)行掃描電子顯微鏡觀察和能譜儀分析;E、綜合分析,確定失效光耦的具體失效原因。本發(fā)明有如下優(yōu)點(diǎn):本發(fā)明方法借助有限的分析儀器,在短時(shí)間內(nèi)快速找到光耦失效的原因。

芯片失效分析方法 923     

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本發(fā)明提供一種芯片失效分析方法,用于檢測芯片柵極的缺陷特征,其步驟包括:通過機(jī)械研磨去除進(jìn)行失效分析的芯片的襯底和有源區(qū)的大部分;通過濕法刻蝕去除芯片殘存的襯底和有源區(qū);通過干法刻蝕去除芯片的柵氧層的大部分,保留的部分柵氧層用于保護(hù)柵極第一多晶硅層;檢測所述第一多晶硅層是否存在缺陷特征。本發(fā)明方法可將芯片準(zhǔn)確剝離至柵極第一層多晶硅的底部,測得其底部的精確尺寸參數(shù),并可大大提高工作效率,節(jié)省時(shí)間成本。

芯片失效分析方法、裝置、電子設(shè)備及存儲介質(zhì) 1155     

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本申請實(shí)施例公開一種芯片失效分析方法、裝置、電子設(shè)備及存儲介質(zhì)，該方法包括：將主板的多個(gè)真實(shí)跌落姿態(tài)輸入到訓(xùn)練完成的芯片失效分析模型；主板包括一個(gè)或多個(gè)測試芯片；通過芯片失效分析模型輸出每個(gè)真實(shí)跌落姿態(tài)下各個(gè)測試芯片受到的預(yù)測應(yīng)力值，并根據(jù)每個(gè)真實(shí)跌落姿態(tài)下各個(gè)測試芯片受到的預(yù)測應(yīng)力值生成與每個(gè)真實(shí)跌落姿態(tài)對應(yīng)的預(yù)測應(yīng)力值數(shù)組；從主板中檢測到一個(gè)或多個(gè)失效芯片時(shí)，根據(jù)每個(gè)失效芯片在多個(gè)真實(shí)跌落姿態(tài)分別對應(yīng)的預(yù)測應(yīng)力值數(shù)組中的預(yù)測應(yīng)力值，確定出導(dǎo)致失效芯片失效的目標(biāo)跌落姿態(tài)。實(shí)施本申請實(shí)施例，能夠準(zhǔn)確、高效地復(fù)現(xiàn)芯片的失效場景，從而實(shí)現(xiàn)對芯片的失效分析。

對柵氧化層進(jìn)行失效分析的方法 734     

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為了解決現(xiàn)有技術(shù)中失效晶片檢測過程極為復(fù)雜、檢測周期相對較長、容易產(chǎn)生失敗檢測結(jié)果、檢測成本較高等一系列問題,本發(fā)明提供一種對柵氧化層進(jìn)行失效分析的方法,包括:用熱凝膠將失效晶片倒貼在基片上,所述失效晶片包括襯底及襯底上的柵氧化層;將所述失效晶片的襯底研磨至一定厚度或全部去除所述襯底;用堿性溶液浸泡所述晶片表面;對所述失效晶片進(jìn)行觀測,所述控制柵有損壞時(shí),所述柵氧化層有缺陷;所述控制柵沒有損壞時(shí),所述柵氧化層完好。本發(fā)明的失效晶片檢測方法簡單、用時(shí)較短、不易失敗、成本較低。

基于高溫光發(fā)射顯微分析技術(shù)的失效點(diǎn)定位方法 1097     

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本發(fā)明提供一種基于高溫光發(fā)射顯微分析技術(shù)的失效點(diǎn)定位方法，屬于失效分析技術(shù)領(lǐng)域，包括：提供一具有承載平臺的加熱裝置、一溫度監(jiān)測裝置、一電壓激勵(lì)源以及一檢測組件，將測試樣品放置于承載平臺上，并將電壓激勵(lì)源連接測試樣品；通過加熱裝置將測試樣品加熱到預(yù)定溫度，溫度監(jiān)測裝置提供給測試者監(jiān)測測試樣品的實(shí)時(shí)溫度，在實(shí)時(shí)溫度到達(dá)預(yù)定溫度時(shí)通過電壓激勵(lì)源向測試樣品施加預(yù)定數(shù)值的電壓激勵(lì)，通過檢測組件進(jìn)行基于光發(fā)射顯微分析技術(shù)的檢測操作得到失效點(diǎn)的定位信息。本發(fā)明的有益效果：定位處于高溫狀態(tài)下的測試樣品的漏電失效點(diǎn)，以找到失效原因，提升經(jīng)濟(jì)效益。

失效檢測方法以及失效檢測裝置 1081     

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一種失效檢測方法以及失效分析裝置,用于檢測導(dǎo)電體上的缺陷,所述失效檢測方法包括:在待測導(dǎo)電體上設(shè)置至少兩個(gè)輸出端,且所述輸出端電勢位相等;依次向所述待測導(dǎo)電體上沿預(yù)定路徑排列的檢測點(diǎn)輸入恒定的檢測電流;檢測各輸出端的輸出電流;基于各檢測點(diǎn)的位置信息以及各輸出端的輸出電流信息,建立輸出端輸出電流與檢測點(diǎn)位置之間的對應(yīng)關(guān)系;根據(jù)所述對應(yīng)關(guān)系判定檢測點(diǎn)是否存在缺陷。本發(fā)明所提供的失效檢測方法,能夠精確進(jìn)行缺陷定位;并且使用帶電粒子束作為檢測電流源以避免照射點(diǎn)的尺寸限制,滿足了小尺寸失效分析的需求。

高階芯片失效分析物理去層分析方法 1127     

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本發(fā)明公開了一種高階芯片失效分析物理去層分析方法，包括：提供芯片及芯片上待進(jìn)行物理去層的關(guān)注區(qū)域，芯片包括自下而上制備于襯底上的第一金屬層、第二金屬層、……、第N-2金屬層、第N-1金屬層以及第N金屬層，其中，8≤N≤10；自上而下依次刻蝕第N金屬層、第N-1金屬層、第N-2金屬層、……、第二金屬層以及第一金屬層；其中，刻蝕第N-1金屬層，包括：采用BOE刻蝕劑以第一刻蝕時(shí)間刻蝕關(guān)注區(qū)域內(nèi)的第N-1金屬層上的氧化層；采用反應(yīng)離子刻蝕法以第二刻蝕時(shí)間刻蝕第N-1金屬層上的氧化層至關(guān)注區(qū)域內(nèi)的第N-1金屬層露出金屬銅；研磨金屬銅至關(guān)注區(qū)域內(nèi)的第N-1金屬層完全去除。

半導(dǎo)體器件失效分析樣品制作方法及分析方法 1029     

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一種半導(dǎo)體器件失效分析樣品的制作方法，本發(fā)明所提供的半導(dǎo)體器件失效分析樣品的制作方法包括：提供待測的半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件包括晶片和封裝覆層；去除晶片背面的封裝覆層，直至暴露晶片焊墊；去除晶片焊墊；去除晶片背面的封裝覆層，暴露引腳框架，不暴露晶片內(nèi)的引線。相應(yīng)地，本發(fā)明還提供一種半導(dǎo)體器件失效分析方法。采用本發(fā)明所提供的半導(dǎo)體器件失效分析樣品制作方法和分析方法可以有效提高實(shí)效分析的效率，并且在暴露晶片背面的時(shí)候能夠避免對晶片造成損傷。

半導(dǎo)體功率器件失效分析的失效點(diǎn)定位方法 948     

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本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體功率器件失效分析的失效點(diǎn)定位方法，包括以下步驟：利用化學(xué)腐蝕剝層技術(shù)對覆蓋在功率器件表面的金屬鋁層進(jìn)行化學(xué)腐蝕，將鋁層完全腐蝕去除，同時(shí)完整保留金屬鋁下層的阻擋層；利用微光顯微鏡和光束誘導(dǎo)電阻變化技術(shù)對功率器件進(jìn)行正面定位，模擬失效情況下的電性條件，以及使用點(diǎn)針的方法進(jìn)行加電，模擬電性條件，找出可能的失效點(diǎn)；利用電子封裝組裝失效分析工具對之前步驟的定位結(jié)果進(jìn)行電子封裝組裝失效分析的物理驗(yàn)證，找出最終的物理失效點(diǎn)。本發(fā)明有以下優(yōu)點(diǎn)：有效地對金屬鋁層進(jìn)行剝離，同時(shí)保持了阻擋層的完整性；極大地加快了半導(dǎo)體功率器件失效點(diǎn)定位工作的速度和效率，同時(shí)保持了很高的精度。

失效點(diǎn)的定位方法及芯片的失效分析方法 983     

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本申請?zhí)峁┝艘环N失效點(diǎn)的定位方法及芯片的失效分析方法。其中，芯片包括襯底和位于襯底的器件，該定位方法包括：對芯片的背面進(jìn)行減薄處理至接近器件；對減薄處理后的芯片的背面進(jìn)行離子束轟擊，以使得離子束穿過器件；以及對離子束轟擊處理后的芯片的正面進(jìn)行電子束掃描，以定位芯片中的失效點(diǎn)的位置。該定位方法通過對減薄處理后的芯片的背面進(jìn)行離子束轟擊，以使得離子束穿過器件并使器件中產(chǎn)生擊穿區(qū)域，從而在利用電子束對芯片的待測表面進(jìn)行掃描時(shí)，待測表面上產(chǎn)生的表面電荷能夠從器件表面沿著擊穿區(qū)域被釋放掉，減少了表面電荷對器件表面電勢的影響，進(jìn)而能夠精確地獲得器件中失效點(diǎn)的位置。

半導(dǎo)體器件失效分析樣品制作方法以及分析方法 809     

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本發(fā)明揭露了一種半導(dǎo)體器件失效分析樣品制作以及分析方法，采用化學(xué)試劑去除部分芯片背面的封裝覆層，不暴露封裝覆層內(nèi)的引線，保持引線框架和引腳的完整。這樣，可以同時(shí)檢測芯片上多個(gè)引腳之間的功能單元和金屬互連線，無須以引線為終端來檢測。并且能在芯片工作的狀態(tài)下進(jìn)行整個(gè)芯片的檢測和失效分析，大大提高了效率。此外，還能避免機(jī)械的開蓋方法對芯片背面造成損害。

失效分析中晶圓級背面失效定位的樣品制備方法 959     

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本發(fā)明公開一種失效分析中晶圓級背面失效定位的樣品制備方法，其特征在于，包括有晶圓，在所述晶圓的前面尋找目標(biāo)點(diǎn)，在接近所述晶圓的目標(biāo)點(diǎn)以及所述晶圓的背面粘貼膠帶，然后在所述膠帶上粘貼傳導(dǎo)帶，并在所述目標(biāo)點(diǎn)以及所述傳導(dǎo)帶上連接電線，最后在所述晶圓背面的傳導(dǎo)帶上使用探針進(jìn)行探測。使用本發(fā)明一種失效分析中晶圓級背面失效定位的樣品制備方法，通過本發(fā)明能夠得到一種好的背面失效定位的結(jié)果，而無需將晶圓切碎，有效地節(jié)約失效分析費(fèi)用成本，同時(shí)，提高了質(zhì)量。本發(fā)明有效地保證了晶圓的完整性，并且實(shí)現(xiàn)背面失效定位。