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本發(fā)明公開了一種酶促化學(xué)發(fā)光試劑組合物,該組合物包含酶促化學(xué)發(fā)光底物II、長鏈季鹽表面活性劑及熒光表面活性劑,該酶促化學(xué)發(fā)光底物II具有如下的結(jié)構(gòu):。本發(fā)明提供的化學(xué)發(fā)光試劑組合物,應(yīng)用于酶免疫檢測(cè),具有酶免疫檢測(cè)所需的低噪音和高靈敏度的特點(diǎn),可廣泛應(yīng)用于大型自動(dòng)化酶免疫分析儀。本發(fā)明的化學(xué)發(fā)光試劑組合物用于酶免疫檢測(cè),底物用量減少到原傳統(tǒng)配方用量的十分之一;檢測(cè)波長范圍更窄,在530~540?納米之間,避免了傳統(tǒng)化學(xué)發(fā)光所發(fā)出的460~470納米波長光的干擾,大大降低了檢測(cè)噪音,提高了檢測(cè)信噪比,比傳統(tǒng)的化學(xué)發(fā)光試劑具有更優(yōu)異的性能。
本發(fā)明涉及一種中性的陰離子熒光化學(xué)傳感器,并提供了制備該中性陰離子熒光化學(xué)傳感器的方法及其用途,屬生物分析和醫(yī)藥生物學(xué)領(lǐng)域。本發(fā)明所述的一種中性陰離子熒光化學(xué)傳感器為一種以膽酸分子骨架為基礎(chǔ),同時(shí)引入兩個(gè)中性陰離子鍵合基和熒光探針分子,使得其在溶劑中對(duì)生物二羧酸陰離子具有特定的熒光響應(yīng)。具體而言是以膽酸分子為分子骨架,在其3位碳原子和24位碳原子上引入中性硫脲或脲基,作為鍵合單元;在3位碳原子和24位碳原子上或其他位置引入具有熒光化學(xué)官能團(tuán),作為信號(hào)單元,合成中性陰離子熒光化學(xué)傳感器。傳感器可以在溶液中選擇性靈敏響應(yīng)二羧酸陰離子,最低檢測(cè)濃度可達(dá)10-8mol/L,其靈敏性檢測(cè)在生物分析和醫(yī)藥生物學(xué)中具有重要價(jià)值。
一種測(cè)試條及其制備方法和利用該測(cè)試條同時(shí) 檢測(cè)藥物中蘆丁和維生素C的方法,其測(cè)試條是由一金基體電 極及一層修飾在金基體電極上的氨基乙硫醇構(gòu)成。測(cè)試條制備 時(shí)先打磨、拋光并用超純水清洗金基體電極表面;清洗過后的 金基體電極用水淋洗后置于 H2SO4溶液中在-0.2~1.5V的電位范圍內(nèi)進(jìn)行循環(huán)伏安掃描處 理;將處理好的金基體電極置于氨基乙硫醇水溶液中進(jìn)行自組 裝,自組裝完畢后取出、用水超聲清洗,再用水淋洗后即可。 本發(fā)明利用氨基乙硫醇在pH中性溶液中的荷正電性,使抗壞 血酸的氧化電位在修飾電極上較裸電極上發(fā)生了明顯的負(fù)移, 并與蘆丁的氧化電位相分開,實(shí)現(xiàn)了直接電化學(xué)檢測(cè)法、同時(shí) 測(cè)定藥物中蘆丁和維生素C的含量目的。
本發(fā)明公開了一種實(shí)現(xiàn)單管離子遷移譜儀同時(shí)檢測(cè)正負(fù)離子的高壓電源,包括控制區(qū)高壓和漂移區(qū)高壓兩部分,其特征在于,該高壓電源還包括高壓正負(fù)極性切換控制機(jī)構(gòu),所述的高壓正負(fù)極性切換控制機(jī)構(gòu)在離子遷移譜儀單次分析過程中將正負(fù)高壓先后加到漂移管上,且在正或負(fù)高壓下控制離子肼、門的時(shí)序,有效地完成單次分析過程中對(duì)正負(fù)離子的同時(shí)檢測(cè)。采用本發(fā)明提供的方案,能夠?qū)崿F(xiàn)單管離子遷移譜在一次分析10秒鐘的時(shí)間內(nèi)進(jìn)行40次以上的正負(fù)模式切換,交替進(jìn)行正負(fù)離子的檢測(cè),同時(shí)給出正負(fù)離子的檢測(cè)結(jié)果,達(dá)到同時(shí)檢測(cè)爆炸物、毒品、化學(xué)毒劑及有毒有害氣體的目的,為安檢工作提供便利。
本發(fā)明屬于分析技術(shù)領(lǐng)域,具體公開了一種電化學(xué)質(zhì)譜聯(lián)用儀,包括載氣進(jìn)樣系統(tǒng)、電化學(xué)池、多通道電化學(xué)工作站、多通道質(zhì)譜儀;所述電化學(xué)池為電池反應(yīng)發(fā)生的裝置;所述的多通道電化學(xué)工作站具有多通道分析接口,用于設(shè)置電化學(xué)池的工作參數(shù),提供電化學(xué)池里反應(yīng)的電化學(xué)分析數(shù)據(jù);所述的多通道質(zhì)譜儀具有多通道進(jìn)樣口,電子電離源,法拉第杯和電子倍增器雙檢測(cè)器,可實(shí)時(shí)記錄和顯示各個(gè)通道產(chǎn)物的成份、含量及其隨時(shí)間的變化情況,提供電化學(xué)池里反應(yīng)產(chǎn)物的質(zhì)譜分析數(shù)據(jù)。該電化學(xué)質(zhì)譜儀能夠?qū)崟r(shí)檢測(cè)反應(yīng)產(chǎn)物,滿足實(shí)驗(yàn)室和企業(yè)的需求。
本發(fā)明屬于生物芯片技術(shù)領(lǐng)域,具體為一種新型數(shù)字微流控技術(shù)的電化學(xué)傳感器芯片。該芯片由三部分構(gòu)成:從下至上依次為:液滴控制單元、液滴通道、電化學(xué)單元。其中液滴控制單元從下到上由第一襯底、第一絕緣層、第一電極層、第二絕緣層和第一疏水層構(gòu)成;電化學(xué)單元從下到上依次為:電化學(xué)電極組、第二疏水層,第二電極層,第三絕緣層和第二襯底;當(dāng)?shù)谝灰r底和第二襯底為絕緣材料時(shí),第一絕緣層和第三絕緣層省去;電化學(xué)電極組包括對(duì)電極、工作電極和參比電極,且所述電化學(xué)電極組覆蓋在第二疏水層的下表面;液滴通道為液滴控制單元和電化學(xué)單元中的空氣間隙。本發(fā)明結(jié)合了數(shù)字微流控技術(shù)和電化學(xué)傳感器技術(shù)的優(yōu)點(diǎn),為生化分析提供了一種新型的微分析器件,減少樣品需求量,提高了檢測(cè)速度,可實(shí)現(xiàn)檢測(cè)所需的多種液體樣本的輸送,并實(shí)現(xiàn)在線檢測(cè)。
本發(fā)明提供了一種鋁-碳復(fù)合材料界面反應(yīng)程度的定量檢測(cè)方法,所述方法利用界面反應(yīng)產(chǎn)物Al4C3易于水解的性質(zhì),首先藉助電化學(xué)反應(yīng)加速待測(cè)樣品溶解,然后通過氣相色譜分析對(duì)Al4C3水解所生成的CH4氣體濃度進(jìn)行精確測(cè)定,最終計(jì)算得到界面反應(yīng)程度。本方法不僅操作簡(jiǎn)單,而且檢測(cè)分析速度快、精度高,適用于對(duì)碳納米管、碳纖維、石墨烯、石墨鱗片及石墨顆粒、金剛石、碳化硅等各種碳質(zhì)材料增強(qiáng)鋁基復(fù)合材料的界面反應(yīng)程度進(jìn)行快速定量檢測(cè)。
本發(fā)明提供一種檢測(cè)裝置及其對(duì)檢測(cè)樣品進(jìn)行檢測(cè)的方法、檢測(cè)系統(tǒng),檢測(cè)裝置包括電化學(xué)傳感器、線圈和電路部件,所述電路部件連接所述電化學(xué)傳感器和所述線圈,通過所述線圈與外部讀寫器實(shí)現(xiàn)無線通信并獲取電能,以驅(qū)動(dòng)所述電化學(xué)傳感器對(duì)檢測(cè)樣品進(jìn)行檢測(cè),并將檢測(cè)結(jié)果通過無線通信的方式發(fā)送至所述外部讀寫器。本發(fā)明提供的檢測(cè)裝置與外部讀寫器進(jìn)行無線通信和非接觸供電,降低了外部讀寫器被檢測(cè)樣品污損和感染的風(fēng)險(xiǎn);且由于檢測(cè)裝置無需自帶電池和接觸式供電,使得其外形輕薄,能夠進(jìn)行方便的攜帶、存儲(chǔ)與運(yùn)輸,在使用后廢棄處理過程中,也會(huì)降低環(huán)境污染。
本發(fā)明公開了一種電化學(xué)生物傳感系統(tǒng),包括:一集成于手機(jī)中的電化學(xué)檢測(cè)器;一運(yùn)行于手機(jī)中的電化學(xué)分析模塊;一生物傳感芯片;一轉(zhuǎn)接器,用于連接所述電化學(xué)檢測(cè)器及所述生物傳感芯片。本發(fā)明的電化學(xué)生物傳感系統(tǒng)中的電化學(xué)檢測(cè)器與手機(jī)完全集成于一體,體積小巧、操作方便,便于攜帶。電化學(xué)分析模塊集成于手機(jī)內(nèi)部,避免了電化學(xué)檢測(cè)過程中外界環(huán)境的影響及干擾。該系統(tǒng)不僅具備手機(jī)的所有功能,且可以實(shí)現(xiàn)方便、快捷的電化學(xué)生物傳感檢測(cè),且能與手機(jī)其他功能及應(yīng)用兼容,可實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的實(shí)時(shí)處理、分析、多樣化傳輸及網(wǎng)絡(luò)共享。
本發(fā)明提供一種研磨?化學(xué)機(jī)械拋光氮化鎵晶圓片的方法,所述方法至少包括對(duì)所述氮化鎵晶圓片的鎵面進(jìn)行處理的步驟:首先將所述氮化鎵晶圓片固定于研磨平臺(tái)上,鎵面面向研磨頭;然后利用XRD測(cè)量方法確定所述氮化鎵晶圓片的研磨基面,將具有一定目數(shù)的研磨頭與所述研磨基面平行并壓覆于所述鎵面上,在研磨液作用下將所述鎵面研磨至第一粗糙度;接著更換研磨頭至更高目數(shù),重復(fù)上一步驟直至將所述鎵面研磨至第二粗糙度,所述第二粗糙度小于所述第一粗糙度;最后將所述氮化鎵晶圓片固定于化學(xué)機(jī)械拋光平臺(tái)上,將所述鎵面拋光至符合工藝要求的表面粗糙度。通過本發(fā)明的方法為直接研磨方式,簡(jiǎn)化了工藝步驟,降低物料消耗,縮短工藝時(shí)間,降低破損率。
本發(fā)明公開一種基于平推流反應(yīng)動(dòng)力模型的等溫化學(xué)氣相滲透(ICVI)的可編程控制器(PLC)-工控機(jī)(IPC)控制系統(tǒng),包括工控機(jī)IPC、與工控機(jī)IPC進(jìn)行通訊的PLC控制器、真空隔膜泵、加熱單元、質(zhì)量流量閥,以及流量、壓力和溫度傳感器和I/O接口,工控機(jī)IPC包括人機(jī)界面(HMI)、有效滯留時(shí)間計(jì)算單元和流量計(jì)算單元;PLC控制器包括三個(gè)控制回路,為壓力控制回路、溫度控制回路和流量控制回路。本發(fā)明基于工控機(jī)IPC和PLC控制器的優(yōu)勢(shì),對(duì)原有的控制系統(tǒng)進(jìn)行了全面的改造,將現(xiàn)有的詳細(xì)反應(yīng)機(jī)理應(yīng)用到氣相滲透爐的工藝參數(shù)控制和優(yōu)化中,通過平推流的動(dòng)力學(xué)模型對(duì)有效滯留時(shí)間這一中間測(cè)量量進(jìn)行實(shí)時(shí)的計(jì)算,達(dá)到對(duì)其有效的控制。
本發(fā)明公開了一種化學(xué)增幅光刻膠等效擴(kuò)散模型的建立方法,可同時(shí)考慮掩膜板圖形的圖形分布密度對(duì)于光刻膠擴(kuò)散長度的影響,從而可以建立更為準(zhǔn)確的光刻膠等效擴(kuò)散模型,提高對(duì)光刻工藝各項(xiàng)參數(shù)的模擬結(jié)果的精確度。包括以下步驟:(1)測(cè)量光刻膠對(duì)一組不同類型的測(cè)試圖形在不同圖形分布密度時(shí)的光刻工藝參數(shù);(2)通過空間像模擬解算出光刻膠光酸對(duì)所述不同類型的測(cè)試圖形在不同圖形分布密度時(shí)的等效擴(kuò)散長度值;(3)建立光刻膠光酸的等效擴(kuò)散長度對(duì)各種類型的測(cè)試圖形在不同圖形分布密度時(shí)的函數(shù)或者表格;(4)根據(jù)待模擬圖形的圖形類型及圖形分布密度,選擇該待模擬圖形相應(yīng)的最佳等效擴(kuò)散長度值。
本發(fā)明公開了一種化學(xué)機(jī)械研磨裝置以及化學(xué)機(jī)械研磨方法,該化學(xué)機(jī)械研磨裝置包括:研磨平臺(tái);驅(qū)動(dòng)裝置,與所述研磨平臺(tái)連接,用于驅(qū)動(dòng)所述研磨平臺(tái)旋轉(zhuǎn);傳感器,與所述研磨平臺(tái)連接,用于測(cè)量研磨平臺(tái)的轉(zhuǎn)速并將所述轉(zhuǎn)速轉(zhuǎn)換為轉(zhuǎn)速信號(hào);控制器,與所述傳感器連接,用于接收傳感器輸出的轉(zhuǎn)速信號(hào)并根據(jù)所述轉(zhuǎn)速信號(hào)輸出報(bào)警信號(hào),以啟動(dòng)報(bào)警裝置報(bào)警。所述傳感器可測(cè)量所述研磨平臺(tái)的實(shí)際轉(zhuǎn)速,一旦所述研磨平臺(tái)的轉(zhuǎn)速出現(xiàn)異常,所述控制器可根據(jù)傳感器輸出的轉(zhuǎn)速信號(hào)輸出報(bào)警信號(hào),操作人員即可知曉所述化學(xué)機(jī)械研磨機(jī)臺(tái)出現(xiàn)故障并及時(shí)處理晶片,從而避免晶片報(bào)廢。
本發(fā)明公開了一種STI CMP工藝窗口確定方法,首先,在最佳估計(jì)的研磨時(shí)間上下遞增和遞減時(shí)間,記錄下氮化硅殘留的膜厚以及相對(duì)應(yīng)的時(shí)間;然后對(duì)所有的硅片進(jìn)行光學(xué)顯微鏡觀察;接著,對(duì)所有無色差的硅片跳過氫氟酸腐蝕,直接用磷酸腐蝕,然后,對(duì)所有硅片進(jìn)行光學(xué)顯微鏡觀察;最后將CMP研磨時(shí)間工藝窗口的低段和高段之間的氮化膜的差以及所對(duì)應(yīng)的研磨時(shí)間段確定為STI CMP工藝窗口。本發(fā)明可以有效而快速地建立起STI CMP研磨時(shí)間的工藝窗口,為后續(xù)優(yōu)化工藝,縮短開發(fā)時(shí)間,提高產(chǎn)品良品率奠定基礎(chǔ)。適用于半導(dǎo)體集成電路制造中的STI工藝。
本發(fā)明提供一種化學(xué)消融導(dǎo)管、化學(xué)消融系統(tǒng)及醫(yī)療系統(tǒng),所述化學(xué)消融導(dǎo)管可以與外部化學(xué)消融控制單元、封堵控制單元、脈沖發(fā)生控制單元配合使用,可以封堵目標(biāo)組織,并向目標(biāo)組織注入化學(xué)消融介質(zhì)且釋放脈沖電場(chǎng),進(jìn)一步的還可與電生理信號(hào)記錄單元配合使用,標(biāo)測(cè)消融效果,因此,可簡(jiǎn)化現(xiàn)有Marshall靜脈化學(xué)消融的手術(shù)操作,提高消融的有效性和安全性。
本發(fā)明提供了一種化學(xué)氣相沉積設(shè)備的安裝方法及化學(xué)氣相沉積設(shè)備,其安裝方法包括步驟:將晶舟安裝在基座上,且在所述晶舟一側(cè)設(shè)置有投影板;在所述投影板設(shè)置參照物;第一光束照射所述晶舟,使所述晶舟投影到所述投影板上形成晶舟投影;沿所述基座的中心軸旋轉(zhuǎn)所述基座,且上述晶舟和所述基座一起旋轉(zhuǎn),測(cè)量在旋轉(zhuǎn)過程中所述晶舟投影與所述參照物之間的距離,當(dāng)旋轉(zhuǎn)過程中所述距離發(fā)生變化時(shí),則調(diào)整所述晶舟在所述基座上的位置,從而使得安裝時(shí)晶舟能位于反應(yīng)腔室中心。
本發(fā)明提供一種化學(xué)機(jī)械拋光方法及化學(xué)機(jī)械拋光裝置,充分考慮了化學(xué)機(jī)械拋光裝置上的晶片載體隨著長時(shí)間使用而導(dǎo)致的厚度變化對(duì)半導(dǎo)體晶片的拋光效果的影響,在設(shè)定用于半導(dǎo)體晶片拋光的工藝參數(shù)之前,先測(cè)量晶片載體的厚度,并計(jì)算出測(cè)得的晶片載體的厚度與待拋光的半導(dǎo)體晶片在完成拋光后的目標(biāo)厚度之間的差值(即晶片載體相對(duì)拋光后的半導(dǎo)體晶片的突出量或者拋光后的半導(dǎo)體晶片相對(duì)晶片載體的突出量),然后根據(jù)該差值設(shè)定用于半導(dǎo)體晶片拋光的工藝參數(shù),當(dāng)采用這組與該差值相關(guān)的半導(dǎo)體晶片拋光的工藝參數(shù)對(duì)該半導(dǎo)體晶片進(jìn)行拋光后,該半導(dǎo)體晶片最終拋光后的拋光面的平整度會(huì)增加,因而提高了拋光效果。
本發(fā)明提供了一種可利用高色度含醇廢水氫-電聯(lián)產(chǎn)的光化學(xué)電池裝置。包括:以疏水多孔膜將反應(yīng)器分為兩區(qū),陽極液為高色度含醇廢水,陰極液為酸性溶液;以沉積鉑黑的鍍鉑片作陰極;將負(fù)載TiO2光催化劑的旋鼓作陽極,通過轉(zhuǎn)軸控制轉(zhuǎn)速,在其表面形成微米級(jí)的液膜;激發(fā)光易于透過液膜照射到催化劑表面,產(chǎn)生空穴和電子,空穴氧化有機(jī)物后復(fù)合,可再被光激發(fā),電子則通過外電路流入陰極區(qū)還原產(chǎn)氫;對(duì)陰極區(qū)氫氣進(jìn)行取樣測(cè)定,并對(duì)外電路電流實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè),完成利用高色度含醇廢水實(shí)現(xiàn)氫-電聯(lián)產(chǎn)的過程。本發(fā)明實(shí)現(xiàn)了同步產(chǎn)電、產(chǎn)氫、處理高色度含醇廢水的三重功效;無需外加電壓,實(shí)現(xiàn)了將有機(jī)污染物的化學(xué)能轉(zhuǎn)化成氫能和電能等清潔的能源形式。
本發(fā)明提供了一種用于二氧化碳的電化學(xué)還原的電化學(xué)反應(yīng)器,該裝置屬于三腔室反應(yīng)器,由兩種隔膜(即陰離子導(dǎo)電聚合物薄膜和聚丙烯薄膜氣體擴(kuò)散電極)分隔三塊有精密尺寸凹槽和開孔的透明有機(jī)玻璃板材構(gòu)成;所述三腔室反應(yīng)器包含有:氣體腔室、陰極電解液腔室和陽極電解液腔室。所述氣體腔室包括聚丙烯薄膜氣體擴(kuò)散電極聚丙烯薄膜一側(cè),陰極電解液腔室包括由銀基催化劑作陰極的聚丙烯薄膜氣體擴(kuò)散電極催化層一側(cè),所述陽極電解液腔室包括具有混合金屬氧化物催化劑的陽極。本發(fā)明的電化學(xué)反應(yīng)裝置整體采用材質(zhì)透明、硬度較高、既耐堿性又耐酸性的有機(jī)玻璃,易于精密加工和組裝,便于直接監(jiān)控、觀測(cè)電化學(xué)反應(yīng),且反應(yīng)測(cè)試期間無二次污染。
濕化學(xué)共沉淀制備的氧化鋯(Mg—PSZ)的封接 工藝,介紹了一種用固體電解質(zhì)陶瓷(Mg—PSZ)與 玻璃、陶瓷及合金的封接,可分別采用煤氣—氧氣混 合焰的普通燈工吹制及退火技術(shù);中溫封接及中、低 溫范圍不同降溫速率的封接。 本發(fā)明工藝簡(jiǎn)單,封接件可達(dá)真空氣密或氦檢氣 密的要求。特別是由于Mg—PSZ可與合金進(jìn)行封 接,拓寬了Mg—PSZ作為氧敏器件的技術(shù)應(yīng)用范 圍。
一種化學(xué)機(jī)械拋光方法,包括:將待拋光的晶片放置于化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備中,對(duì)晶片進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光,還包括通過清洗溶液對(duì)晶片進(jìn)行清洗,實(shí)時(shí)測(cè)量清洗晶片后形成的處理溶液的開路電位,在處理溶液的開路電位達(dá)到開路電位閾值時(shí),停止清洗。相應(yīng)地,本發(fā)明還提供一種用于化學(xué)機(jī)械拋光的清洗裝置,包括清洗單元、取樣單元、實(shí)時(shí)測(cè)量單元、閾值測(cè)量單元和控制單元。本發(fā)明可以有效減少晶片表面的有機(jī)殘留物。
本發(fā)明為一種高純度10-羥基喜樹堿的化學(xué)半合成工藝,它以20(s)-喜樹堿為原料,經(jīng)過優(yōu)化的N-氧化和光化學(xué)重排反應(yīng),產(chǎn)物經(jīng)硅膠柱層析,即得到高純度的10-羥基喜樹堿。本工藝操作條件簡(jiǎn)便,反應(yīng)試劑可回收利用,生產(chǎn)成本低,10-羥基喜樹堿產(chǎn)品收率高,產(chǎn)物易分離,純度達(dá)98.5%,符合國家藥檢標(biāo)準(zhǔn)。
本發(fā)明涉及一種用于對(duì)樣氣進(jìn)行檢測(cè)的設(shè)備,設(shè)備包括火焰離子化檢測(cè)器,火焰離子化檢測(cè)器包括樣氣進(jìn)口、燃燒氣體進(jìn)口和助燃?xì)怏w進(jìn)口,在火焰離子化檢測(cè)器中,流入火焰離子化檢測(cè)器的樣氣在由燃燒氣體和助燃?xì)怏w生成的火焰的作用下發(fā)生電離,由此產(chǎn)生用于對(duì)樣氣進(jìn)行化學(xué)分析的信號(hào),設(shè)備還包括補(bǔ)償氣體供應(yīng)裝置,以向火焰離子化檢測(cè)器提供補(bǔ)償氣體,以消除或減輕由樣氣中本身存在的氧氣所造成的干擾,補(bǔ)償氣體為含氧氣體。本發(fā)明還提供一種借助火焰離子化檢測(cè)器對(duì)樣氣進(jìn)行檢測(cè)的方法。借助該設(shè)備和方法,可解決含氧氣的樣氣中的氧氣對(duì)檢測(cè)結(jié)果的干擾問題。
本發(fā)明涉及涂層導(dǎo)體Ni-5at.%W合金基帶的電化學(xué)拋光方法,以Ni-5at.%W合金基帶作為陽極,以純鎳片作為陰極,將Ni-5at.%W合金基帶在靜態(tài)下浸漬于電解拋光液中,開啟電源對(duì)Ni-5at.%W合金基帶進(jìn)行拋光處理,拋光處理后的合金基帶再經(jīng)去離子水反復(fù)沖洗,并用無水乙醇脫水、風(fēng)機(jī)吹干即可,電解拋光液為磷酸、硫酸、乙二醇按體積比為2-4∶3-5∶2-3混合而成的電解拋光液。與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明拋光后的合金基帶通過原子力顯微鏡分析,在5×5μm范圍內(nèi)RMS小于1納米,消除了由RABiTS制備基帶產(chǎn)生的晶界溝槽效應(yīng),且對(duì)原始基帶立方織構(gòu)無影響,滿足涂層導(dǎo)體對(duì)基帶表面平整度的要求。
本發(fā)明涉及一種基于MXene的紙基雙層電極電化學(xué)汗液傳感器及其制備方法,所述傳感器在紙基材料上具有多組雙層結(jié)構(gòu)的三電極體系,分別為參比電極、對(duì)電極和經(jīng)MXene材料修飾的工作電極,利用蠟打印技術(shù)使紙基材料親疏水區(qū)域通過折疊在層間形成多條微流控通道實(shí)現(xiàn)汗液的收集、流通、檢測(cè)和擴(kuò)散功能。本發(fā)明的傳感器實(shí)現(xiàn)了無創(chuàng)式多物質(zhì)同步檢測(cè)人體汗液的功能,具有廣泛的應(yīng)用前景。
本發(fā)明提供了一種低壓化學(xué)氣相沉積設(shè)備以及低壓化學(xué)氣相沉控制方法。根據(jù)本發(fā)明的低壓化學(xué)氣相沉積設(shè)備包括:真空泵;采集器;布置在真空泵與收集器之間的主閥門;工藝導(dǎo)管;以及布置在工藝導(dǎo)管中的氣流方向檢測(cè)裝置。根據(jù)本發(fā)明的低壓化學(xué)氣相沉積設(shè)備能夠在真空泵突然出現(xiàn)故障時(shí)防止工藝副產(chǎn)品的出現(xiàn)、并防止加工中的晶片報(bào)廢,因此,所述低壓化學(xué)氣相沉積設(shè)備能夠提高成品率,由此降低工藝成本。
本發(fā)明公開了一種化學(xué)機(jī)械研磨設(shè)備(CMP)及使用該CMP的研磨方法,其中CMP包括:用于固定待研磨的晶片的研磨頭;旋轉(zhuǎn)臺(tái)和固定在所述旋轉(zhuǎn)臺(tái)表面的研磨墊,所述旋轉(zhuǎn)臺(tái)旋轉(zhuǎn)研磨墊使得研磨墊與研磨頭之間相對(duì)運(yùn)動(dòng),以對(duì)晶片進(jìn)行研磨;用于供給磨料至研磨墊上的磨料供給裝置;用于調(diào)節(jié)供給至研磨墊上的磨料的分布的研磨墊整理器;以及用于檢測(cè)研磨墊整理器與研磨頭之間的距離的檢測(cè)器,以防止研磨墊整理器與研磨頭接觸。當(dāng)檢測(cè)到所述距離小于等于預(yù)定值時(shí),所述檢測(cè)器發(fā)出預(yù)警信號(hào)。本發(fā)明中的化學(xué)機(jī)械研磨設(shè)備在晶片研磨過程中能夠降低研磨墊整理器和研磨頭發(fā)生碰撞的幾率,提高研磨頭及研磨墊整理器的使用壽命,同時(shí)提高了CMP設(shè)備的使用壽命。
發(fā)明提供了一類化學(xué)發(fā)光強(qiáng)度高、波長長、穩(wěn)定性好的化學(xué)發(fā)光底物及其制備方法和應(yīng)用。所述化學(xué)發(fā)光底物具有式Ⅰ所示結(jié)構(gòu)。另外,本發(fā)明提供了所述化學(xué)發(fā)光探針在生理環(huán)境下的自發(fā)熒光波長及強(qiáng)度,及其在活體成像中的應(yīng)用。測(cè)試結(jié)果表明,本發(fā)明中提供的的化學(xué)發(fā)光探針具有長波長的自發(fā)熒光(600nm),能有效的穿透皮膚組織,高自發(fā)熒光強(qiáng)度(>107p/s/cm2/sr),優(yōu)異的熱穩(wěn)定性(不含1,2?二氧雜環(huán)丁烷結(jié)構(gòu))及多樣化的檢測(cè)基團(tuán)(適用于不同檢測(cè)模型)。
本發(fā)明涉及一種基于納米銀?氧化銅顆粒/石墨烯的無酶電化學(xué)葡萄糖傳感器的制備方法,包括以下步驟:(1)分別稱取銀鹽和銅鹽溶于水中,混合,得到銀銅前驅(qū)體溶液;(2)取氧化石墨烯分散于去離子水中,得到氧化石墨烯分散液;(3)將銀銅前驅(qū)體溶液和氧化石墨烯分散液混合后,調(diào)節(jié)pH,水熱反應(yīng),分離干燥,得到Ag?CuO納米顆粒/石墨烯復(fù)合材料,分散在無水乙醇中;(4)再取備用懸浮液滴加到玻璃碳電極上,干燥,即得到Ag?CuO納米顆粒/石墨烯電極;(5)再將其與對(duì)電極、參比電極組成三電極體系與電化學(xué)工作站相連形成電化學(xué)傳感器,即得到目的產(chǎn)物。與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明制備的傳感器對(duì)葡萄糖的檢測(cè)具有高的靈敏度,低的檢測(cè)限和寬的檢測(cè)范圍,而且成本低,環(huán)保無害等。
一種化學(xué)機(jī)械拋光裝置及化學(xué)機(jī)械拋光的方法,其中,化學(xué)機(jī)械拋光裝置包括:基座;固定于基座表面的研磨墊,研磨墊內(nèi)具有檢測(cè)窗,檢測(cè)窗表面與研磨墊表面齊平,檢測(cè)窗為透光材料;位于基座內(nèi)的光頭,光頭位于檢測(cè)窗下方,且光頭與檢測(cè)窗之間為空腔;固定于基座內(nèi)的位置調(diào)節(jié)裝置,位置調(diào)節(jié)裝置與光頭連接;位于研磨墊上方的檢測(cè)裝置,檢測(cè)裝置位于研磨墊上方,檢測(cè)裝置到研磨墊中心的水平距離、與第一檢測(cè)裝置到研磨墊中心的水平距離一致;分別與位置調(diào)節(jié)裝置和第一檢測(cè)裝置連接的控制器,控制器根據(jù)檢測(cè)裝置檢測(cè)的研磨墊減薄的厚度,控制光頭下降相同距離。所述化學(xué)機(jī)械拋光裝置光學(xué)終點(diǎn)檢測(cè)精確。
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