SO2浸出鈷的方法和系統(tǒng)與流程 676     

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一種so浸出鈷的方法和系統(tǒng)技術(shù)領(lǐng)域.本發(fā)明涉及濕法冶金技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種so浸出鈷的方法和系統(tǒng)。背景技術(shù).浸出-萃取-電積-除雜-沉鈷的濕法工藝是處理氧化銅鈷礦的常規(guī)工藝。氧化礦中的鈷一般以水鈷礦（coooh）形式存在，其中的co需在還原環(huán)境下才能用硫酸浸出。還原劑可采用so、naso和feso等，工業(yè)生產(chǎn)中常采用so氣體作為還原劑進行鈷浸出。.目前so氣體介入的常規(guī)工藝是采用進氣管直接將so氣體導入浸出槽。該介入技術(shù)存在以下缺點：（）so氣體不能充分溶于礦漿

礦熱電爐、電解短流程聯(lián)合冶煉精錫方法與流程 404     

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本發(fā)明屬于錫冶煉技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種礦熱電爐、電解短流程冶煉精錫方法。背景技術(shù)目前錫行業(yè)大多采用的煉錫方法為錫精礦經(jīng)電爐熔爐得到的粗錫進入電解得到焊錫，焊錫再經(jīng)過鉛錫分離得到精錫，由于鉛錫分離過程包括結(jié)晶分離和真空分離等，工藝過于復雜，投入成本較高，工人勞動強度較大，因此，開發(fā)一種礦熱電爐、電解短流程聯(lián)合冶煉精錫方法是非常有必要的。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明在于提供一種礦熱電爐、電解短流程聯(lián)合冶煉精錫方法。本發(fā)明的目的是這樣實現(xiàn)的，一種礦熱電爐、電解短流程聯(lián)合冶煉精錫方法，包括配料、熔煉、制作陽極板、制作

高效太陽能電池用大產(chǎn)能爐管式ICP-CVD裝置的制作方法 838     

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一種高效太陽能電池用大產(chǎn)能爐管式icp-cvd裝置技術(shù)領(lǐng)域.本發(fā)明涉及太陽能電池生產(chǎn)設備，尤其涉及一種高效太陽能電池用大產(chǎn)能爐管式icp-cvd裝置。背景技術(shù).目前高效太陽能電池主要膜系材料為單質(zhì)硅，晶體結(jié)構(gòu)為非晶或微晶狀態(tài)。而且希望的是更多的微晶狀態(tài)的單質(zhì)硅材料。目前主要的生長方式是采用平行平板式pecvd設備(ccp-cvd)，在一定真空度和溫度下，使用硅烷氣體分解得到，此方式由于產(chǎn)生的等離子體密度低，生成的單質(zhì)硅薄膜主要是非晶狀態(tài)且氫含量偏高。較好的方法是采用高密度等離子體放電技術(shù)比如

含釩廢石油催化劑兩級提取的資源化利用方法 944     

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.本發(fā)明屬于冶金技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種含釩廢石油催化劑兩級提取的資源化利用方法。背景技術(shù).在現(xiàn)代工業(yè)生產(chǎn)中，催化劑的作用越來越重要，被廣泛應用于煉油工業(yè)、化工行業(yè)、冶金工業(yè)。廢催化劑全世界年產(chǎn)約～萬噸，其中釩含量很高，部分催化劑中也含有一定量的鈷、鋁、鎳、鉬等，從資源利用和環(huán)境保護兩方面來看，回收催化劑中的金屬意義重大。.目前石油煉制和化學工業(yè)中廣泛使用加氫脫硫(hds)催化劑，hds催化劑的組分主要包括：鉬、鈷以及載體氧化鋁。在使用過程中，原料中金屬釩和鎳的沉積會使hds催化劑逐

高純無氧銅生產(chǎn)工藝的制作方法 789     

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.本發(fā)明涉及高純無氧銅生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種高純無氧銅生產(chǎn)工藝。背景技術(shù).銅及其合金在熔煉過程中，銅液具有吸氣性，這是銅及其合金熔煉的主要特性之一，也是生產(chǎn)高純無氧銅的技術(shù)難點；同時銅液中氧和氫的關(guān)系為：當銅液中氧含量增加時，氫的含量減少；反之，當銅液中氫含量增加時，氧含量將減少；因此當高純無氧銅在還原精煉時，隨著銅液中氧的含量降低到一定極限時，銅液再次從熔煉氣氛中吸收氫氣，造成氫的含量會急劇增加，因此如何保證高純無氧銅中同時具有極低的氫含量，則是高純無氧銅生產(chǎn)的技術(shù)難點。.現(xiàn)有高純無

采用溶劑置換結(jié)晶法從水溶液中結(jié)晶硫酸鎳的方法與流程 1180     

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本發(fā)明涉及濕法冶金技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種采用溶劑置換結(jié)晶法從水溶液中結(jié)晶硫酸鎳的方法。背景技術(shù)鎳是導致銅電導率下降的最糟糕的元素之一，因為它與銅形成了固溶體。鎳在銅陽極中的濃度范圍為14至6700ppm，而在銅陰極中鎳的最大允許濃度必須小于7ppm。大部分鎳在電解過程中與銅一起溶解，并在電解液中以硫酸鎳的形式積累，從除銅電解液中回收鎳是雜質(zhì)控制過程的最后一步。目前從硫酸銅電解液中除去硫酸鎳的方法是蒸發(fā)法結(jié)晶，這種技術(shù)既困難又昂貴。蒸發(fā)結(jié)晶是指水的蒸發(fā)，直到h2so4濃度充分增加，以確保幾乎完全

P204萃取除雜過程中減少硫酸鈣沉積的方法與流程 1204     

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本發(fā)明屬于濕法冶金技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種p204萃取除雜過程中減少硫酸鈣沉積的方法。背景技術(shù)隨著電動汽車的快速發(fā)展，三元電池材料的研究與生產(chǎn)也得到了突飛猛進的提升，高純度鎳鈷金屬需求量大幅增加，為滿足三元電池材料需求，鈷、鎳的萃取提純技術(shù)被大力發(fā)展?，F(xiàn)有的從富含鈷鎳的硫酸溶液中提純富集鈷、鎳的工藝流程包括：首先通過針鐵礦法除鐵，然后用p204萃取除雜，反萃取等。在進行p204萃取除雜過程中，需要對萃取后的p204有機相進行洗滌。廢水中的f-管控更加嚴格，基于此p204萃取除雜之前不能再用naf除

氫氧化鎳鈷制備硫酸鎳的方法與流程 2254     

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本發(fā)明涉及濕法冶金技術(shù)領(lǐng)域，具體而言，涉及一種氫氧化鎳鈷制備硫酸鎳的方法。背景技術(shù)目前紅土鎳礦濕法冶金產(chǎn)出大量mhp即氫氧化鎳鈷中間產(chǎn)品，為了得到最終產(chǎn)品硫酸鎳，現(xiàn)有的工藝中后續(xù)往往要將氫氧化鎳鈷中間產(chǎn)品以此經(jīng)過浸出—除雜—萃取除雜—鎳鈷分離等一系列處理工序，以除去其中的鈷元素以及錳、鐵、鈧、鋁和鉻等雜質(zhì)元素，得到硫酸鎳溶液。然而，鎳鈷分離需要在溶液體系中，采用如p204分離錳等雜質(zhì)，p507萃取劑萃取鈷，鎳剩余在萃余液中。這個過程，需要將含鎳鈷的全部液相經(jīng)過萃取體系，體積量大，且由于錳、鈷含量

制備硫化氫的方法以及裝置與流程 456     

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.本發(fā)明涉及有色金屬濕法冶金技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種制備硫化氫的方法。背景技術(shù).硫化氫是一種重要的化工原料，主要用于精細有機化學品和無機鹽的合成，如醫(yī)藥、農(nóng)藥品的制造、金屬的精制及各種工業(yè)試劑的制造。在涉及有色金屬污酸和污水的處理過程中，硫化氫被廣泛用作沉淀重金屬的藥劑，具有劇毒性。現(xiàn)在的有色金屬冶煉廠有采用硫氫化鈉/硫化鈉與稀硫酸反應制取硫化氫，但采用該方法存在著弊端：將鈉離子引入整個有色金屬生產(chǎn)體系中，進而導致后期處理困難。.現(xiàn)有技術(shù)中為克服硫化鈉或硫氫化鈉和稀硫酸反應制取硫化氫過程中給

從含砷酸性溶液中選擇性脫砷的方法與流程 424     

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.本發(fā)明涉及濕法冶金除砷技術(shù)領(lǐng)域，尤其是一種從含砷酸性溶液中選擇性脫砷的方法。背景技術(shù).砷在自然界及礦物原料中主要以三價砷和五價砷形式存在，濕法冶金用酸或堿浸出礦物時均能將物料中的砷浸出，而砷對冶金和環(huán)境的危害是眾所周知的，必須使溶液中的砷轉(zhuǎn)化為難溶砷酸鹽加以脫除。.目前，除砷方法主要是氫氧化鐵或氫氧化鋁吸附法，而且只是物理吸附，且主要吸附三價砷離子，當遇酸或遇水時，砷離子容易被溶解洗脫，造成二次砷污染。迄今為止，還沒有發(fā)現(xiàn)三價砷離子與鐵、鋁、錳、鋅等金屬離子生成難溶的亞砷酸鹽。因此，要優(yōu)

磷酸鐵鋰黑粉的浸出方法與流程 1440     

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本發(fā)明屬于濕法冶金領(lǐng)域，具體涉及一種磷酸鐵鋰黑粉的浸出方法。背景技術(shù)鋰離子電池由于自身所具有較高比電容、優(yōu)良的循環(huán)性、輕質(zhì)便攜等優(yōu)點，從而廣泛應用于移動電話、筆記本電腦以及新能源汽車等諸多領(lǐng)域。隨著新能源汽車的爆發(fā)式增長，鋰離子電池的需求也在迅猛增長。步入2020年，首批新能源汽車電池也開始陸續(xù)進入退役期，報廢的鋰離子電池的數(shù)量將隨著使用年限的增加日益增長，且電池中所包含的金屬元素和電解液，如不采取科學合理的方式處理，將會對所放置地的安全性和環(huán)境造成極大的威脅和污染。將報廢磷酸鐵鋰電池中的鋰元素

硫酸錳溶液萃取脫氟凈化中復合反萃劑的使用方法與流程 1097     

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.本發(fā)明涉及濕法冶金技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種硫酸錳溶液萃取脫氟凈化中復合反萃劑的使用方法。背景技術(shù).硫酸錳是錳系動力鋰電池正極材料最重要、最基礎的錳源材料。有研究報告表明，電池用高純硫酸錳的需求量將隨著三元材料的爆發(fā)式增長而穩(wěn)步增長。由于原材料中的鈣、鎂等雜質(zhì)對鋰離子電池的高溫形貌及循環(huán)性能有重要影響，因此動力電池的發(fā)展對硫酸錳中雜質(zhì)含量的要求相當苛刻。.目前，硫酸錳溶液鈣、鎂離子的去除主要通過添加氟化物形成氟化鈣、氟化鎂沉淀經(jīng)壓濾去除。然而在除鈣鎂階段，由于鈣鎂離子很容易與氟離子形成絡合物，

從鎳鈷鎂混合溶液中萃取分離鎳、鈷、鎂的方法與流程 888     

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本發(fā)明涉及電池技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種從鎳鈷鎂混合溶液中萃取分離鎳、鈷、鎂的方法，具體地說主要是紅土鎳礦濕法冶金中間品混合氫氧化鎳鈷(mhp)經(jīng)酸浸、水解除鐵鋁、吸附除硅、p204萃取除雜等步驟后，鎳含量為50～100g/l、鈷含量為5～20g/l、鎂含量為3～15g/l的鎳鈷鎂混合溶液萃取分離鎳、鈷、鎂三種元素的方法。背景技術(shù)隨著新能源汽車的高速發(fā)展，以及三元材料在動力領(lǐng)域安全性的逐步成熟和消費市場對于續(xù)航里程的提升需求，鎳鈷錳三元材料和鎳鈷鋁三元材料將成為未來新能源汽車正極材料應用的主流。預計到2

生產(chǎn)電積鈷的方法與流程 1948     

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.本發(fā)明涉及濕法冶金技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種生產(chǎn)電積鈷的方法。背景技術(shù).目前，電積鈷的生產(chǎn)以氯化體系為主，電積過程中會產(chǎn)生大量的cl，稍有不慎即會造成cl泄露，不僅會對環(huán)境造成重大污染，同時嚴重影響生產(chǎn)人員的身體健康，同時還會縮短生產(chǎn)電積鈷設備的使用年限。與氯化體系生產(chǎn)電積鈷相比，采用電積coso生產(chǎn)電積鈷的方法不會產(chǎn)生cl，但存在鈷板質(zhì)量較差，電流效率較低的缺陷。.其中，專利cn公開了一種非鹽酸電解質(zhì)生產(chǎn)電積鈷的方法，該專利制取的cocl溶液通過萃取轉(zhuǎn)型、脫氯、

950度高溫鈦合金離子氮化爐的制作方法 351     

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.本實用新型屬于氮化爐生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域，具體為度高溫鈦合金離子氮化爐。背景技術(shù).氮化處理是指一種在一定溫度下一定介質(zhì)中使氮原子滲入工件表層的化學熱處理工藝。經(jīng)氮化處理的制品具有優(yōu)異的耐磨性、耐疲勞性、耐蝕性及耐高溫的特性。往氮化爐內(nèi)不銹鋼真空密封罐中通入氨氣，加熱到℃，保持適當?shù)臅r間；根據(jù)工件材質(zhì)和滲層要求?小時不等，使?jié)B氮工件表面獲得含氮強化層，得到高硬度，高耐磨性，高疲勞極限和良好的耐磨性。.但是常見的氮化爐在加熱時氮化爐的外壁溫度非常高，氮化爐的外部缺少保護裝置，從而使

金屬氟氧化物的處理方法及清潔方法與流程 613     

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本發(fā)明涉及使金屬氟氧化物mo(6-x)/2fx(0＜x＜6、m＝w或mo)與含氟氣體進行化學反應而轉(zhuǎn)換為mf6的處理方法及使用該處理方法去除金屬氟氧化物(metaloxyfluorides)的沉積物等的清潔方法。背景技術(shù)作為化學氣相沉積鎢(w)及鎢化合物、鉬(mo)或鉬化合物時的前體，已知有六氟化鎢或六氟化鉬。作為這些前體的工業(yè)制造方法，已知有如反應式(1-1)～(1-2)、反應式(2-1)～(2-2)所示，使金屬鎢與氟或三氟化氮、使金屬鉬與氟或三氟化氮接觸的方法。w(s)+3f2(g)→wf6

鈷系統(tǒng)新型除鐵凈化工藝方法與流程 645     

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.本發(fā)明涉及鈷系統(tǒng)新型除鐵凈化工藝技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種鈷系統(tǒng)新型除鐵凈化工藝方法。背景技術(shù).鈷，元素符號co，銀白色鐵磁性金屬，表面呈銀白略帶淡粉色，在周期表中位于第周期、第ⅷ族，原子序數(shù)，原子量.，密排六方晶體，常見化合價為、。鈷是具有光澤的鋼灰色金屬，比較硬而脆，有鐵磁性，加熱到℃時磁性消失。在常溫下不和水作用，在潮濕的空氣中也很穩(wěn)定。在空氣中加熱至℃以上時氧化生成coo，在白熱時燃燒成coo。氫還原法制成的細金屬鈷粉在空氣中能自燃生成氧化鈷

碳化硅化學氣相沉積爐的進氣裝置的制作方法 428     

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本發(fā)明涉及氣相沉技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種碳化硅化學氣相沉積爐的進氣裝置。背景技術(shù)化學氣相沉積(chemicalvapourdeposition，cvd)常用來生產(chǎn)各種高純固體材料?；瘜W氣相沉積碳化硅是通過含有硅、碳元素的小分子前驅(qū)物在沉積室內(nèi)一定條件下分解、反應生成的薄膜材料。一甲基三氯硅烷(mts)是一種工業(yè)上常用的化學氣相沉積碳化硅液態(tài)前驅(qū)物，反應方程式如下：ch3sicl3→sic+3hcl，在制備過程中通常會用到氫氣和氬氣，其中氫氣參與中間反應過程，作為反應氣體使用，氬氣經(jīng)常作為稀釋氣體使

圓柱滾子的倒角加工方法與流程 1134     

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本發(fā)明涉及一種倒角加工方法，具體涉及一種圓柱滾子的倒角加工方法。背景技術(shù)圓柱滾子軸承在工況比較復雜，潤滑條件差，轉(zhuǎn)速高情況下運轉(zhuǎn)時，如果滾子精度不高、不平衡量較大時，在工作會出現(xiàn)滾子運轉(zhuǎn)不平穩(wěn)、出現(xiàn)異常磨損和振動現(xiàn)象，這些因素都制約著軸承使用壽命的提高。軸承出現(xiàn)異常磨損的原因一部分是因為軸承滾子倒角跳動量偏大，滾子高速運轉(zhuǎn)失穩(wěn)，產(chǎn)生擺動，與內(nèi)圈擋邊異常接觸磨損。因此要提高滾子倒角的加工精度，減小滾子倒角對滾子外徑的跳動量，改善滾子倒角的加工形狀。圓

預埋釬劑復合板及其制備方法和用途與流程 708     

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.本發(fā)明屬于復合材料技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種鋁合金復合材料，具體涉及一種預埋釬劑復合板及其制備方法和用途。背景技術(shù).鋁合金復合釬焊材料被廣泛的應用于汽車熱交換器中，如汽車發(fā)動機冷卻系統(tǒng)的中冷器、散熱器，和空調(diào)系統(tǒng)的暖風、冷凝器等。各類熱交換器產(chǎn)品一般都由多個零部件組成，如主板、管料和翅片等，各零部件之間通過高溫釬焊最后形成金屬接頭連接。.鋁合金復合板通常包含芯層和釬料層。釬料層在高溫下會優(yōu)先融化形成焊接接頭，從而實現(xiàn)各零部件的金屬連接。然而，由于鋁合金表面有一層致密的氧化膜會阻礙釬料層的融化和流

靶材結(jié)構(gòu)及其制作方法與流程 988     

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.本發(fā)明涉及靶材加工領(lǐng)域，具體涉及一種靶材結(jié)構(gòu)及其制作方法。背景技術(shù).濺射鍍膜靶材在半導體集成電路(vlsi)、光碟、平面顯示器以及工件的表面涂層等方面都得到了廣泛的應用，鍍膜靶材是通過磁控濺射、多弧離子鍍或其他類型的鍍膜系統(tǒng)在適當工藝條件下濺射在基板上形成各種功能薄膜的濺射源。.半導體工業(yè)中，靶材主要分為圓柱靶材和平面靶材，平面靶材多采用磁控濺射技術(shù)沉積；磁控濺射即pvd(physicalvapordeposition：物理氣相沉積)是指在真空條件下，采用中電壓、大電流的電弧放電技術(shù)

鑄件澆口切割機的制作方法 752     

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本實用新型涉及切割機技術(shù)領(lǐng)域，具體領(lǐng)域為一種鑄件澆口切割機。背景技術(shù)目前，我國鑄造行業(yè)通常采用氧氣加液化氣的氣切割，來對澆口和鑄件進行分離。工人切割時需要手持鑄件和切割裝置，來對鑄件進行切割。工人需要大力握緊鑄件，手部和面部距離切割裝置極近，危險系數(shù)高。使用氧氣和液化氣，有爆炸風險，十分不安全，會對工作人員造成危害，而且切割面不光滑，難以打磨，工人勞動強度大，工作效率低，依賴人工技能進行操作。另外，目前還會使用手工切割機來進行切割，但是手工切割質(zhì)量差、尺寸誤差大、材料浪費大、后續(xù)加工工作量大，同

高韌性高鉻高碳鑄鋼及其熱處理方法與流程 525     

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.本發(fā)明屬于金屬及其熱處理技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種高鉻高碳鑄鋼及其多階段熱處理方法。背景技術(shù).高鉻高碳鑄鋼具有許多吸引人的性能，如高強度、高硬度、抗合金元素溶解和碳化物析出引起的變形。常規(guī)成分采用常規(guī)的冶金路線加工這種鋼特別困難。主要的挑戰(zhàn)是，傳統(tǒng)的靜態(tài)鑄錠鑄造相對緩慢的冷卻過程會形成粗大的網(wǎng)狀共晶碳化物，這些連續(xù)的含鉻的網(wǎng)狀碳化物結(jié)構(gòu)在大尺寸鑄錠的熱變形過程中會引起明顯的裂紋。雖然高鉻高碳鋼也進行常規(guī)熱處理，采用簡單的淬火-回火處理，可以獲得較高的硬度，但網(wǎng)狀碳化物依然不能被消除，影響后續(xù)的

抑制稀土鋼連鑄過程中水口堵塞的方法及其裝置 354     

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.本發(fā)明涉及鋼鐵冶金領(lǐng)域，特別是涉及一種抑制稀土鋼澆鑄過程水口結(jié)瘤的裝置及方法。背景技術(shù).稀土元素非?；顫?，與氧、硫有很強的親和力，加入鋼液后可以置換鋼中硫化錳、氧化鋁等夾雜物中的氧和硫，形成稀土夾雜物，這些稀土夾雜物具有良好的形態(tài)，有利于減小對晶粒連續(xù)性的影響，從而提高機械性能。此外這些稀土夾雜物可以吸收鋁酸鹽復合夾雜中的部分al、ca元素形成鋁酸鹽稀土夾雜，其曲率半徑較大，硬度、彈性模量與基體接近，承受疲勞載荷時與周圍基體配合更加緊密，變形及傳遞應力的特性與基體接近，減少了應力的集中，并

超高溫超高壓孔道式換熱器/蒸發(fā)器設計方案的制作方法 897     

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(一)技術(shù)領(lǐng)域：本發(fā)明是一種適用于極端高溫或極端高壓的新型換熱器/蒸發(fā)器設計方案，利用換熱單元模塊內(nèi)部設置的特制孔道進行換熱，稱作孔道式換熱器/蒸發(fā)器。以傳熱材料熱傳導為主的小孔或微孔的孔道間熱量交換，傳熱系數(shù)高，傳熱溫差小，在極端高溫或極端高壓條件下孔道間可安全穩(wěn)定傳熱，具有高效簡易、安全可靠的特點，屬于傳熱設備技術(shù)領(lǐng)域，主要應用領(lǐng)域為核電火電、石油化工、化工醫(yī)藥、冶金能源、食品電子等。(二)背景技術(shù)：核電蒸汽發(fā)生器(steamgenerator)是產(chǎn)生汽輪機所需蒸汽的換熱設備，在核反應堆中，

向鋼水中加入稀土的方法與流程 480     

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本發(fā)明屬于鋼鐵冶金技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及到一種向鋼水中加入稀土的方法。背景技術(shù)連鑄，即連續(xù)鑄鋼，是不斷地將精煉后的鋼水加入到結(jié)晶器中，并凝固成型后從結(jié)晶器下方拉出的鋼水成型技術(shù)。相對傳統(tǒng)模鑄工藝，連鑄工藝是一項重大的技術(shù)進步。適量稀土加入到鋼中主要有三大作用：凈化鋼液、變質(zhì)夾雜、微合金化，可提高鋼的韌塑性特別是橫向沖擊韌性，改善鋼材的各向異性；例如稀土可使高硬度的氧化鋁夾雜轉(zhuǎn)變成球狀硫氧化物和鋁酸稀土，顯著提高鋼的抗疲勞性能；稀土在晶界的偏聚能抑制磷硫和低熔點雜質(zhì)鉛、錫、砷、銻、鉍在晶界的偏析或與這

底濾法水沖渣系統(tǒng)及工藝方法與流程 815     

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本發(fā)明屬于廢棄物環(huán)保處理技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種水淬和渣水分離系統(tǒng)。背景技術(shù)國內(nèi)的高爐煉鐵爐渣水淬處理有機械法和底濾法兩種方式。機械法存在過濾不干凈，系統(tǒng)故障率高、檢修維護工作量大，運行成本高，一次性投資高等缺點。而現(xiàn)有的底濾法水渣存在以下缺點：①熔渣水淬溝渠、過濾池上方蒸汽彌漫，對環(huán)境污染大；②濾層板結(jié)嚴重，更換難度大，影響高爐的生產(chǎn)節(jié)奏；③需要人工抓渣，自動化程度低；④池內(nèi)液位檢測不準，難以實現(xiàn)連鎖控制，造成設備故障，系統(tǒng)癱瘓；⑤濾層厚度大，需要大量鵝卵石，建設及生產(chǎn)維護造成資源浪費。發(fā)明內(nèi)容

高爐熱風爐煙氣/煤氣/空氣雙預熱器的制作方法 453     

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本實用新型屬于鍋爐設備領(lǐng)域，特別涉及一種高爐熱風爐煙氣/煤氣/空氣雙預熱器。背景技術(shù)目前，國內(nèi)的高爐熱風爐煙氣/煤氣/空氣雙預熱器、或者是煙氣/空氣單預熱器、煙氣/煤氣單預熱器均采用以熱管作為傳熱元件的熱管式換熱器。熱管式換熱器具有一定的優(yōu)點，如流體流動阻力小、熱側(cè)和冷側(cè)都可以加翅片擴展傳熱面等。但是，熱管元件的材質(zhì)一般均采用碳鋼，熱管內(nèi)的工作介質(zhì)采用水，這樣做成的傳熱元件就是水-碳鋼熱管，在工程上使用極為普遍。在高溫條件下，碳鋼中的鐵Fe和水會發(fā)生化學反應，生成Fe3O4、Fe2O3，同時釋放

蓋板硬質(zhì)涂層鍍膜工藝方法與流程 866     

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.本發(fā)明涉及光學薄膜，具體涉及一種蓋板硬質(zhì)涂層鍍膜工藝方法，是一種超現(xiàn)有光學薄膜，實現(xiàn)超強力學特性（鉛筆硬度＞h，莫氏硬度≥h，鋼絲絨摩擦次后水滴角＞°），無膜厚限制和穩(wěn)定的可靠性測試的鍍膜工藝方法。背景技術(shù).光學薄膜的應用無處不在，從眼鏡鍍膜到手機、電腦、電視的液晶顯示再到led照明等等，它充斥著我們生活的方方面面，并使我們的生活更加豐富多彩。.查閱各種文獻資料，結(jié)合國內(nèi)外相關(guān)專利資料，磁控機鍍制功能性涂層sin/sio循環(huán)結(jié)構(gòu)膜層硬度最高是h，力學特性存在不穩(wěn)

用于沉積氮化硅膜的組合物和方法與流程 1117     

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本申請要求于2015年7月31日提交的申請?zhí)?2/199593的權(quán)益。申請?zhí)?2/199593的公開內(nèi)容通過引用并入本文。技術(shù)領(lǐng)域本文描述了用于使用環(huán)二硅氮烷前體沉積保形的、化學計量或非化學計量的氮化硅膜的方法和組合物。更特別地，本文描述了使用環(huán)二硅氮烷前體的沉積工藝，例如但不限于等離子體增強原子層沉積(“PEALD”)、等離子體增強循環(huán)化學氣相沉積(“PECCVD”)，以及包含環(huán)二硅氮烷前體的用于沉積氮化硅膜的組合物。背景技術(shù)低壓化學氣相沉積(LPCVD)工藝是半導體工業(yè)使用的用于氮化硅膜沉積