膠焊連接方法 1081     

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一種膠焊連接方法屬于材料工程技術領域。涉及一種采用膠接和熔焊相復合的新型連接技術。其過程是,在兩層待焊材料表面的搭接區(qū)域,涂上一層膠劑,然后采用熔化焊接熱源進行搭接焊,從而實現(xiàn)接頭的良好連接。本發(fā)明所達到的有益效果是,此種連接技術能夠實現(xiàn)機械結合、冶金結合、化學結合的有效統(tǒng)一。導致結構件的承載載荷、疲勞強度、剪切強度均有較大幅度的提高。解決了難焊同種金屬及異種金屬的連接問題,降低材料損耗,提高材料利用率,能夠滿足實際工程的要求。適用于鎂合金、鋁合金、鈦合金、鋼鐵等金屬同種之間以及與異種金屬之間的連接,可以獲得高性能連接接頭。

多晶硅定向凝固設備 682     

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本發(fā)明一種多晶硅定向凝固設備屬于用物理冶金技術提純多晶硅的技術領域,特別涉及一種用定向凝固方法熔煉多晶硅的設備。該設備外殼的內(nèi)腔為真空室,真空室內(nèi)由上耐熱纖維保溫套、方形側耐熱纖維保溫套、下耐熱纖維保溫套構成封閉的保溫區(qū)間;在下耐熱纖維保溫套中部開有一個錐形孔,與拉桿固定相連的耐熱纖維散熱屏插入其中;多晶硅定向凝固設備有一個支撐臺,它由框架形支架和安裝在框架形支架上的左、右滑動拉桿構成;設備外殼固定在框架形支架上。該設備有效控制液態(tài)多晶硅的散熱方式,保證溫度梯度始終保持一個方向,使液態(tài)多晶硅沿底部單一方向散熱,完成多晶硅的定向凝固。具有能耗低、側境污染小的特點。

真空感應熔煉去除硅粉中磷及金屬雜質(zhì)的方法及設備 767     

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本發(fā)明屬于冶金法提純多晶硅領域。一種真空感應熔煉去除硅粉中磷及金屬雜質(zhì)的方法,首先,在高真空狀態(tài)下,利用感應加熱方式熔煉硅粉,去除多晶硅中的磷雜質(zhì),然后進行拉錠,利用定向凝固技術將硅粉中的金屬雜質(zhì)去除。本發(fā)明方法簡單,同時應用真空感應熔煉和定向凝固技術來去除多晶硅中的磷及金屬雜質(zhì),實現(xiàn)了硅粉的熔煉,除雜效果良好,去除效率高,有效地利用了感應線圈加熱溫度高的特點,方法簡單易行,集成了除磷和除金屬的雙重效果,產(chǎn)量大,適合大規(guī)模生產(chǎn)工業(yè)生產(chǎn),提純效果穩(wěn)定。

開孔Al-Cu吸聲材料及其制備方法 993     

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本發(fā)明公開一種開孔Al-Cu吸聲材料及其燃燒反應合成的制備方法,改進了現(xiàn)有材料及制備方法存在的問題。開孔Al-Cu吸聲材料的成分是Al-Cu金屬間化合物,材料內(nèi)部小孔相互聯(lián)結貫通,孔隙率約為62.5%,吸聲系數(shù)最高可達到0.735。制備采用燃燒反應合成法工藝:粉末原料Al粉和Cu粉、造孔劑NaCl和無水K2CO3混合均勻;采用粉末冶金模壓制得圓柱狀試樣;將裝好試樣和鑄造砂的不銹鋼容器放到高頻電磁感應線圈內(nèi)加熱燒結;試樣冷卻后超聲清洗、烘干;檢測試樣的吸聲性能。本發(fā)明具有如下優(yōu)點:Al-Cu吸聲材料具有良好吸聲性能;燃燒反應合成法工藝簡單、反應過程時間短、燒結溫度可控制、成本低、效率高、節(jié)能環(huán)保。

帶潤滑回油的伺服液壓缸 1099     

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本發(fā)明所述的一種帶潤滑回油的伺服液壓缸,屬于冶金機械領域液壓系統(tǒng)中的液壓設備,特別涉及一種帶潤滑回油的粗軋伺服液壓缸。其結構是在液壓缸缸體中裝有液壓缸活塞,在其活塞桿前端依次裝有止推軸承、球面墊、連接體、壓下螺絲。液壓缸活塞通過缸蓋密封連接在液壓缸缸體內(nèi),壓下螺絲同安裝在固定機架上的固定螺母相配合,在液壓缸活塞桿上固裝有環(huán)形的防塵板,在其一側具有透孔,潤滑回油管密封安裝在透孔內(nèi),在防塵板的上端和固定螺母的下端裝有軟體防塵保護罩;通過固定螺母中的注油孔進入分油孔流入到壓下螺絲和固定螺母的轉動配合部的潤滑油,以及通過壓下螺絲中的注油孔注入到球面墊部位的潤滑油,最后均匯入到潤滑回油管中流出。

基于固/氣共晶定向凝固制備多孔材料的方法 859     

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一種固/氣定向共晶凝固制備多孔材料的方法。利用本發(fā)明的設備和工藝,通過提高工作壓力、增加和控制冷卻速度、降低非金屬雜質(zhì)含量,使熔煉速度比現(xiàn)有技術提高2～10倍,并可直接監(jiān)測金屬熔化及澆鑄的全過程。制備的多孔材料,孔隙均勻(無論鑄件徑向上還是軸向上),材料內(nèi)部孔隙尺寸可以相同,也可以不同,還可以形成變截面的錐形孔腔。可應用于冶金機械、石油化工、能源環(huán)保、國防軍工、核技術和生物制藥等工業(yè)過程中的流體滲透與過濾控制、高效燃燒、強化傳質(zhì)傳熱、阻燃防爆、人工骨骼、輻射吸收和消音控制等,是實現(xiàn)各種技術突破的關鍵技術。

一株絲孢酵母菌及其在金納米顆粒合成中的應用 665     

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一株絲孢酵母菌及其在金納米顆粒合成中的應用，屬于微生物技術領域。該菌株分離自實驗室反應器污泥，2015年1月19日保藏于中國微生物菌種保藏管理委員會普通微生物中心，保藏號為CGMCC?No.10368。該菌株經(jīng)26S?rRNA基因序列測定，其與Trichosporon具有最高的相似性(99％)，因此該菌分類命名為Trichosporon?montevideense，菌株26S?rRNA基因序列的GenBank登錄號為KP676895。該菌株在改良馬丁培養(yǎng)基中生長的最適溫度為30℃，最適pH為6。該菌株具有快速合成金納米顆粒的能力，可催化氯金酸3至6分鐘內(nèi)開始合成金納米顆粒，10分種即可達到合成的峰值，顯示了其在生物冶金領域具有潛在的應用價值。

防止發(fā)生應力腐蝕開裂的合金化犧牲陽極膜及其制法 803     

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本發(fā)明涉及合金膜,特別是防腐合金鍍膜,另外本發(fā)明還涉及合金的制法。防止發(fā)生應力腐蝕開裂的合金化犧牲陽極膜,其是鋅基合金中含有鋁、鎂、鈦和稀土元素。本發(fā)明CPF金屬涂層具有捕獲效應、自封閉效應和固定床效三重與以往單一金屬不同的防腐形式,因此顯現(xiàn)出與以往不同的防腐效果(因勢利導)。同時金屬熱噴涂層與鋼基體結合是半熔融的冶金結合與機械鍵結合,比有機涂層與鋼基體的結合力大。封閉劑采用專用封閉劑,可耐-1.33v電位電壓,耐油品、耐堿性好、附著力強,不會由于涂層下陰極反應產(chǎn)生OH-或H+而起泡發(fā)生陰極剝離。

爐外精煉劑及其制法 804     

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一種爐外精煉劑,含有鈣、硅、鋁、鎂、鈉、硼、鋇等元素的氧化物及氟化鈣,是用天然硅灰石、硅石、方解石、長石、螢石等原料經(jīng)粉碎、混合而后投入爐窯中,以燃氣加熱,在1000-1600℃燒制,然后用自然冷卻或水淬法冷卻,經(jīng)研碎而成。這種人造硅灰石可以作為冶金澆注保護材料,爐外精煉脫硫和脫磷劑,以及粉體固化劑,電焊條涂料等。

燒結環(huán)冷機物料溫度控制方法 1047     

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一種燒結環(huán)冷機物料溫度控制方法，屬于冶金工業(yè)測控技術領域。本發(fā)明：通過設置在環(huán)冷機各鼓風段的非接觸式測溫裝置，測得冷卻過程中各鼓風段環(huán)冷機臺車上物料表面的溫度值，并將該溫度值輸送至中央控制器，以獲得環(huán)冷機溫度場實際溫度變化值；通過設置在各鼓風機出口處的流量計，測得冷卻過程中各鼓風機出口處的通風量，并將該通風量輸送至中央控制器，以獲得鼓風機出口處流量變化值；依據(jù)燒結環(huán)冷機的熱工參數(shù)技術要求，設定生產(chǎn)進程中所需的理想溫度曲線，即確定初始溫度設定值，以環(huán)冷機溫度場實際溫度變化值與初始溫度設定值的偏差作為系統(tǒng)的擾動，以鼓風機出口處流量變化值為系統(tǒng)的反饋，通過控制鼓風機的風門開度控制鼓風機的通風量。

人造硅灰石及其制法 970     

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一種人造硅灰石,含有鈣、硅、鋁、鎂、鈉、硼、鋇等元素的氧化物及氟化鈣,是用天狀硅灰石、硅石、方解石、長石、熒石等原料經(jīng)粉碎、混合而后投入爐窯中,以燃氣加熱,在1000—1600℃燒制,然后用自然冷卻或水淬法冷卻,經(jīng)研碎而成。這種人造硅灰石可以作為冶金澆注保護材料,爐外精煉脫硫和脫磷劑,以及粉體固化劑,電焊條涂料等。

連續(xù)熔煉去除多晶硅中磷和硼的方法及裝置 855     

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本發(fā)明屬于用物理冶金技術提純多晶硅的技術領域,特別涉及一種利用電子束熔煉技術將多晶硅中的雜質(zhì)磷和硼去除的方法。該方法使用兩把電子槍發(fā)射電子束分別對多晶硅進行熔煉,同時采用雙重工藝去除多晶硅中的磷和硼,首先去除多晶硅中雜質(zhì)磷,將低磷的多晶硅進一步熔煉蒸發(fā)除硼,收集蒸發(fā)到沉積板上的低磷低硼的多晶硅的方法。所采用的裝置由真空蓋、真空圓桶構成裝置的外殼,真空圓桶的內(nèi)腔即為真空室,真空室由左右兩個腔組成,中間由隔離板分割。本發(fā)明有效提高了多晶硅的純度,達到了太陽能級硅的使用要求,其提純效果好,技術穩(wěn)定,效率高。

電子束及渣濾熔煉提純多晶硅的方法及設備 1045     

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本發(fā)明屬于用物理冶金技術提純多晶硅的技術領域。一種電子束及渣濾熔煉提純多晶硅的方法,在熔煉坩堝中加熱熔化造渣劑形成造渣劑熔液,并保持其液態(tài),同時通過加料裝置向水冷銅坩堝中連續(xù)加入高磷、高硼和高金屬的多晶硅料,硅料在電子束轟擊下熔化成硅熔液,并熔煉去除雜質(zhì)磷;除磷后的低磷硅熔液導流進入到造渣劑熔液之中,在熔入的過程中,硅熔液中的雜質(zhì)硼與造渣劑反應去除雜質(zhì)硼,加滿料后將熔煉坩堝中的熔液加熱保持液態(tài)熔煉3-10分鐘,定向凝固,切去硅錠頂部廢渣及金屬含量較高的硅塊即可。本發(fā)明綜合利用電子束熔煉除磷、渣濾熔煉除硼及定向凝固除金屬的技術去除多晶硅中的磷、硼和金屬雜質(zhì),提純效果好,生產(chǎn)效率高,適合批量生產(chǎn)。

鋁基碳化硼中子吸收板的制備方法 875     

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本發(fā)明涉及一種鋁基碳化硼中子吸收板的制備方法,是針對核裝置保護的要求,采用鋁粉、碳化硼粉、硅粉、鈦粉、硼酸晶體混合,進行粉末冶金,制成矩形板,然后在壓力機上、在加熱狀態(tài)下、在模具內(nèi)進行熱擠壓成型,制得致密的鋁基碳化硼中子吸收復合板,中子吸收復合板為灰白色,中子吸收率≥90%,碳化硼分布均勻,顆粒與基體結合緊密,基體顯微硬度達185.8HV,顆粒顯微硬度達2022.2HV,表面耐腐蝕電位為-0.45V,抗彎曲角度為≥10°,抗拉強度≥200MPa,斷后伸長率≥1.8%,斷后收縮率≥1.0%,此制備方法工藝先進合理,參數(shù)準確翔實,是較為理想的制備鋁基碳化硼中子吸收板的方法。

銅包鋁扁線的制造方法 1076     

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本發(fā)明涉及一種銅包鋁線生產(chǎn)方法,特別是一種銅包鋁扁線的制造方法,其工藝步驟如下:(1)在惰性氣體保護下銅鋁包覆焊接;(2)經(jīng)拉絲機的一系列拉絲模拉制,拉制時線的溫度應低于240℃,并達到預定的總變形量;(3)裝入有惰性氣體保護的退火爐中進行限制擴散層退火,達到預定溫度后,保溫60-150分鐘;(4)在軋輥直徑與線徑比相匹配的兩輥平輥軋機上至少軋制一次,并達到預定尺寸;(5)在拉拔機上用矩形拉絲模進行成品拉拔,達到成品的幾何尺寸;(6)在惰性氣氛中進行軟化退火、收線。具有節(jié)省銅材53-60%,性能穩(wěn)定可靠,并把銅鋁兩者的優(yōu)點有機融為一體,接觸表面達到冶金結合,減輕自重。

電子束淺熔池熔煉提純多晶硅的方法及設備 683     

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本發(fā)明屬于用物理冶金技術提純多晶硅領域。一種電子束淺熔池熔煉提純多晶硅的方法,先將需提純的大塊高磷、高金屬多晶硅錠置于水冷升降托盤之上,后通過電子束熔化硅錠的頂部,熔化的硅熔液在由硅錠頂部、水冷銅套以及石墨套環(huán)形成的空間內(nèi)形成淺熔池,熔煉一定時間后,去除雜質(zhì)磷,此后升高水冷升降托盤,低磷硅熔液液面升高后通過導流口流入石英坩堝中,在保溫作用下向下拉錠,進行定向凝固生長,金屬雜質(zhì)向硅錠頂部富集,凝固后切除硅錠頂部,去除金屬雜質(zhì)。本發(fā)明綜合電子束淺熔池熔煉和定向凝固去除硅中的雜質(zhì)磷和金屬。多晶硅的純度達到太陽能級硅的使用要求,節(jié)約能源,工藝簡單,生產(chǎn)效率高,適合批量生產(chǎn)。

銅鐵基摩擦材料的制備方法 1094     

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本發(fā)明提供一種銅鐵基摩擦材料的制備方法，屬于制動摩擦復合材料制備技術領域。在銅包鐵粉基體中添加強化組元Ni 1wt％?3wt％，合金組元Mn和Cr 0.5wt％?1wt％，摩擦組元WC 2wt％?6wt％，潤滑組元銅包石墨4wt％?10wt％，利用粉末冶金方法制備出了制動低磨損銅鐵基摩擦材料。本發(fā)明以銅包石墨代替石墨粉末作為潤滑組元，在燒結過程中有效改善了銅與石墨潤濕性較差的缺點，使得石墨能均勻分布在整個摩擦材料中，并通過組分優(yōu)化設計和工藝探索，所得粉末冶金銅鐵摩擦材料孔隙率低且分布均勻，使得摩擦材料具有高強度、低磨損率、穩(wěn)定摩擦系數(shù)的特點。

電子束分次熔煉提純多晶硅的方法 629     

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本發(fā)明屬于用物理冶金技術提純多晶硅的技術領域。一種電子束分次熔煉提純多晶硅的方法,首先備料:將洗凈烘干后的硅料置于電子束熔煉爐中;再預處理:對坩鍋水冷、電子槍預熱;最后提純:采用以200-300mA的小束流電子束熔化并熔煉一段時間,然后降低束流為零,待硅錠完全變暗,硅蒸氣回凝入熔池后,再次以200-300mA的小束流熔煉多晶硅一段時間后停止束流,重復小束流熔煉和停止束流的操作多次,最后冷卻凝固即可得到磷含量很低的多晶硅錠。本發(fā)明的顯著效果是采用了電子束分次熔煉的技術,一方面降低硅的蒸發(fā)損失量,此方法提純效果好,技術穩(wěn)定,工藝簡單,節(jié)能降耗,周期短,生產(chǎn)效率高。

定向凝固及渣濾熔煉提純多晶硅的方法及設備 1010     

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本發(fā)明屬于用物理冶金技術提純多晶硅的技術領域。一種定向凝固及渣濾熔煉提純多晶硅的方法,加熱在熔煉坩堝中的造渣劑,并使其保持液態(tài),同時通過另一小坩堝中熔化高硼、高金屬的多晶硅料形成多晶硅熔液;將多晶硅熔液連續(xù)導入并分散于液態(tài)造渣劑中,熔煉反應去除雜質(zhì)硼,待熔煉坩堝中液體裝滿時,停止加入多晶硅熔液,加熱使熔煉坩堝中保持液態(tài),熔煉后進行定向凝固,切去硅錠頂部雜質(zhì)含量較高的多晶硅及廢渣,即可得到硼和金屬雜質(zhì)含量較低的多晶硅錠。綜合渣濾熔煉和定向凝固的技術去除多晶硅中的雜質(zhì)硼和金屬,有效提高了多晶硅的純度,達到了太陽能級硅的使用要求,其提純效果好,技術穩(wěn)定,工藝簡單,節(jié)約能源,成本低,生產(chǎn)效率高。

專用于不銹鋼工件表面裂紋激光修復的含有納米Al2O3的復合粉末 653     

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本發(fā)明屬于裂紋修復技術領域，提供一種專用于不銹鋼工件表面裂紋激光修復的含有納米Al2O3的復合粉末，該復合粉末包括質(zhì)量分數(shù)為1％?3％的Al2O3納米粉末，余量為不銹鋼粉末，二者通過機械球磨充分混合后，利用無水乙醇調(diào)和進一步混合均勻；不銹鋼粉末包含質(zhì)量分數(shù)為0.08％的C，0.5％的Si，1.46％的Mn，0.03％的P，0.005％的S，19％的Cr，9.5％的Ni，0.5％的Mo，余量為Fe。采用本發(fā)明的復合粉末進行激光修復后，修復層與基體間能夠形成致密的冶金結合，修復層組織中的晶粒細小均勻，無裂紋和氣孔等缺陷，能夠達到延壽和提高構件可靠性和安全性的目的，應用前景極其廣闊，經(jīng)濟效益和社會效益顯著。

生產(chǎn)鋁包銅管的工藝及設備 917     

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一種生產(chǎn)鋁包銅管的工藝及設備,以銅管、鋁帶為原料,在包覆焊接設備上將鋁帶包覆焊接在銅管外側形成鋁包銅管坯,在包覆焊接前對銅管進行矯直和磨刷處理,對鋁帶進行扒皮處理;將鋁包銅管坯送入拉拔設備中,采用帶有游動芯頭的模具至少拉拔兩個道次,使外層的鋁管與內(nèi)層的銅管緊密貼合,形成鋁包銅管坯并纏繞收盤;對鋁包銅管坯進行退火處理,將鋁包銅管坯內(nèi)腔放入發(fā)氣物質(zhì),將兩端頭密封,放入加熱爐中進行擴散退火,使鋁與銅冶金結合;采用帶有游動芯頭的模具對實現(xiàn)冶金結合的鋁包銅管進行再次拉拔,使其達到設計尺寸規(guī)整的形狀。本方法以鋁帶和銅帶為原料,利用了現(xiàn)有的結構簡單、易操作的設備,具有工藝步驟簡單、容易控制、生產(chǎn)效率高、成本低的優(yōu)點。

檢測連鑄結晶器銅板局部熱流的方法 797     

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一種檢測連鑄結晶器銅板局部熱流的方法,屬于冶金連鑄檢測技術領域。本方法基于專門設計的結晶器熱電偶埋設方案,將連鑄結晶器銅板溫度測量與結晶器傳熱實時計算方法相結合,實時反映連鑄生產(chǎn)中結晶器內(nèi)的傳熱狀況,其主要步驟為:結晶器銅板熱電偶測點布置方案設計、結晶器銅板溫度在線檢測、結晶器銅板測點位置局部熱流計算、結晶器傳熱狀態(tài)實時計算。其優(yōu)點是,在結晶器銅板的每個測點僅布置一只熱電偶即可獲得相應位置的局部熱流,熱電偶安裝和維護簡便;能夠在線得到結晶器銅板測點與非測點任意位置的局部熱流,為考察和監(jiān)控結晶器內(nèi)劇烈的熱交換過程提供全面的準確信息;方法同樣適用于方坯、圓坯或異性坯連鑄的結晶器熱流測量。

不用作動平衡型大扭矩彈性聯(lián)軸器 668     

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本發(fā)明涉及一種不用作動平衡的帶有中間段超大扭矩彈性聯(lián)軸器。該聯(lián)軸器包括兩個半聯(lián)軸節(jié)、兩個對接盤和膜片組,其改進在于:聯(lián)軸器還包括中間段、高強彈力圈和松緊裝置,兩個對接盤和兩個半連軸節(jié)通過螺栓安裝在中間段的兩端,對接盤與半連軸節(jié)的采用子口定位,膜片組為疊層膜片組,安裝在對接盤與中間段之間,對接盤的外側面還設有凹槽,凹槽內(nèi)安裝高強彈力圈,半連軸節(jié)和中間段上都設有一圈向外凸出的凸臺,松緊裝置包括兩個松緊螺栓和一個長螺母,松緊裝置分為內(nèi)接和外接式。本發(fā)明聯(lián)軸器具有傳遞功率扭矩大、使用壽命更長、配置范圍廣、裝卸簡單,適用于石油、化工、冶金、機械、環(huán)保、礦山、船舶、航天、引水工程、核電、軍事等領域。

利用工業(yè)廢渣資源制備造渣脫硫劑的方法 838     

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本發(fā)明涉及冶金輔料精煉造渣脫硫劑鋁酸鈣的生產(chǎn)方法。利用工業(yè)廢渣資源制備造渣脫硫劑的方法，以粉煤灰為主要原料，配以碳酸鈉、熟石灰，混勻制粒；將制備的物料投入回轉窯燒結，燒結溫度950℃-1250℃，燒結時間30-50min，燒制成熟料；采用50-80g／L的氫氧化鈉稀堿液溶熟料；溶出的鋁酸鈉溶液按溶質(zhì)凈含量摩爾比2:1加入氫氧化鈣，充分攪拌反應，對反應后的溶液進行過濾，過濾沉淀為鋁酸鈣，濾液為氫氧化鈉溶液，可重復使用；本發(fā)明一種利用工業(yè)廢渣資源制備造渣脫硫劑的方法，以粉煤灰為主要原料，生產(chǎn)冶金輔料精煉造渣脫硫劑——鋁酸鈣，擴大粉煤灰綜合利用規(guī)模的同時，提供高品質(zhì)的鋁酸鈣精煉渣。

多晶硅熔煉的復合式加熱方法及裝置 946     

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本發(fā)明一種多晶硅熔煉的復合式加熱方法及裝置屬于用物理冶金技術提純多晶硅的技術領域,特別涉及一種利用感應線圈和石墨加熱器復合加熱的方式熔煉多晶硅的方法及裝置。本方法同時采用感應加熱和輻射加熱兩種方式對加熱區(qū)進行復合式加熱,使硅料熔化并進行熔煉,通過拉錠裝置的運動使熔體脫離加熱區(qū),實現(xiàn)定向凝固。該裝置由真空蓋、真空圓桶構成裝置的外殼,真空圓桶的內(nèi)腔即為真空室,真空室內(nèi)裝有進行感應加熱的感應線圈和進行輻射加熱的石墨加熱器。本發(fā)明有效地利用了感應加熱的高效性和輻射加熱的穩(wěn)定性,保證了熔煉過程的穩(wěn)定,減小了能耗,提高了加熱效率,且該方法簡單易行,適合大規(guī)模工業(yè)生產(chǎn)。

低鉻稀土合金鋼磨球材料 1125     

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本發(fā)明涉及一種低鉻稀土合金鋼磨球材料。它是 采用控制鉻/碳比, 多元少量合金化方法強化含金的基體及碳化 物, 并根據(jù)磨球直徑大小的結構物理性能, 采用不同的配方, 使材 料性能既能滿足鍛造、軋制工藝條件要求, 又能提高材料的綜合 機械性能與耐磨性。以本發(fā)明材料制造的合金鋼磨球, 在高強度 下具有良好的沖擊韌性, 磨球性能為HRC≥60, ak≥10J/cm2, σb≥100kg/cm2, 本發(fā)明的材料, 還可以做為礦山、冶金、電力等各類機械的耐磨材料。

采用復合式彎輥液壓缸的帶鋼軋機 1053     

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本發(fā)明所述的采用復合式彎輥液壓缸的帶鋼軋機,屬于冶金行業(yè)中的熱軋帶鋼設備。軋機的上、下工作輥通過上、下工作輥軸承座安裝在牌坊的中部。彎輥用的液壓缸安裝在上、下工作輥軸承座之間。其結構在于復合式彎輥液壓缸共有四臺,分別安裝在上、下工作輥軸承座之間固定塊的中心圓孔內(nèi),并可以上下浮動伸縮,固定塊把合在牌坊窗口的中部。復合式彎輥液壓缸缸體的上、下端分別裝有上壓板和下壓板組成油缸,里面裝有活塞桿和連接桿。工作時,上壓板頂住上工作輥軸承座,下壓板頂住下工作輥軸承座。本發(fā)明具有結構新穎、結構簡單緊湊、維修量小、換輥方便等特點,故屬于一種集經(jīng)濟性與實用性為一體新型的采用復合式彎輥液壓缸的帶鋼軋機。

增強合金化分凝提純多晶硅的方法 683     

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本發(fā)明屬于冶金提純技術領域，特別涉及一種增強合金化分凝提純多晶硅的方法。該方法首先對工業(yè)硅和原鋁進行清洗預處理，然后在氬氣保護下使原鋁完全熔化，之后向熔融的鋁液中加入工業(yè)硅，升溫至1100-1200℃進行合金化熔煉，完全熔化后加入金屬或金屬氧化物，保溫之后緩慢冷卻，硼化物和初晶硅先后析出并沉積在坩堝底部，將坩堝上部鋁硅熔體傾倒并貯存，最后對初晶硅進行無機酸處理，去除殘余金屬及硼化物，之后進行烘干處理，即可得到硼含量低的多晶硅。本發(fā)明在Si-Al合金提純的基礎上加入Fe、Ti、TiO2等微量金屬或金屬氧化物，從而達到去除硅中硼雜質(zhì)，使硼含量達到滿足太陽能級硅的要求，實用性強，工業(yè)生產(chǎn)周期短，節(jié)能降耗環(huán)保，技術穩(wěn)定，生產(chǎn)效率高。

專用于激光修復不銹鋼表面微小裂紋的微納米復合粉末 672     

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本發(fā)明公開一種專用于激光修復不銹鋼表面微小裂紋的微納米復合粉末，包括重量百分比為3％?7％的納米WC，0.5％?2％的納米Al2O3，余量為微米級的不銹鋼粉末，微納米粉末通過機械球磨充分混合，然后利用無水乙醇調(diào)和后進一步混合均勻；不銹鋼粉末包含重量百分比為0.08％的C，0.5％的Si，1.46％的Mn，0.03％的P，0.005％的S，19％的Cr，9.5％的Ni，0.5％的Mo，余量為Fe。本發(fā)明提供的復合粉末適用于有高強韌性要求的不銹鋼零件表面微小裂紋的激光修復；激光修復后，復合粉末可與基材充分融合，修復層和基體的界面發(fā)生冶金結合，無裂紋、無夾雜，修復層中含有細小晶粒，提高修復層的致密性、斷裂性能。

去除工業(yè)硅中硼的方法 750     

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本發(fā)明一種工業(yè)硅除硼的方法屬于用物理冶金技術提純多晶硅的技術領域,特別涉及一種利用電子束熔煉技術將工業(yè)硅中的雜質(zhì)硼去除的方法。該方法將工業(yè)硅料放入純度為99.9%以上的石英環(huán)中,在電子束作用下熔煉,利用高真空度將氧化硼去除。先將工業(yè)硅料放入石英環(huán)中;再將石英環(huán)放入水冷銅坩堝中,關閉真空裝置蓋。其所采用裝置由真空裝置蓋、真空圓桶構成裝置的外殼,真空圓桶內(nèi)腔即為真空室?？梢詫⒎帜禂?shù)較大的硼用電子束熔煉去除,有效提高了多晶硅的純度,具有效率高、裝置簡單、節(jié)約能源的優(yōu)點。