本發(fā)明公開了一種降低電子束熔煉多晶硅能耗的裝置和方法,屬于冶金領(lǐng)域,裝置包括水冷熔煉坩堝,所述水冷熔煉坩堝內(nèi)壁底部設(shè)有10~50mm石墨襯底,所述石墨襯底上表面有SiC膜層;在熔煉坩堝與硅熔體之間增加石墨襯底,由于石墨材質(zhì)的熱導(dǎo)率遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于銅材質(zhì)的熱導(dǎo)率,所以在熔煉過程中會減少熱量被水冷熔煉坩堝大量帶走而帶來的熱量損失,從而達(dá)到節(jié)能的目的;加入石墨襯底后,若保持電子槍功率不變,可使熔煉時(shí)間縮短1/5~1/2;加入石墨襯底后,若保持熔煉時(shí)間不變,可使熔煉功率降低1/4~1/2;形成的SiC膜層可多次使用。
本實(shí)用新型涉及冶金熔煉技術(shù),具體涉及硅粉廢料的回收熔煉設(shè)備。提出提出了一種金剛線切割硅粉的連續(xù)熔煉設(shè)備,包括熔煉爐、電極及供電控制系統(tǒng),熔煉設(shè)備采用直流電弧熔煉方式,通過中空電極通氬氣的方法來提高熔煉效率和減少硅粉氧化,采用底部感應(yīng)連續(xù)出料系統(tǒng),出料料道部分設(shè)計(jì)有感應(yīng)加熱線圈,可以隨時(shí)對料道進(jìn)行加熱,實(shí)現(xiàn)連續(xù)放料功能。本實(shí)用新型具有結(jié)構(gòu)合理、提純效果好、熔煉效率高等優(yōu)點(diǎn)。
本發(fā)明公開了一種電子束熔煉高純化制備Fe?W中間合金的方法,具有如下步驟:對水冷銅熔煉坩堝中的原料進(jìn)行電子束熔煉,得到熔融合金;將此時(shí)水冷銅熔煉坩堝中部分熔融合金倒入水冷銅凝固坩堝中,待此時(shí)倒入水冷銅凝固坩堝中的熔融合金的量能夠滿足其凝固后的厚度要求時(shí),減小束流功率使水冷銅熔煉坩堝中的熔融合金凝固,并保持紅熱狀態(tài),以不流動為準(zhǔn),同時(shí),水冷銅凝固坩堝中的熔融合金快速凝固;加大束流功率,使水冷銅熔煉坩堝中的紅熱狀態(tài)的合金完全熔化;重復(fù)上述步驟直至水冷銅熔煉坩堝中熔融合金耗盡,得到位于水冷銅凝固坩堝中的Fe?W中間合金。本發(fā)明可大幅度提高Fe?W中間合金鑄錠的冶金質(zhì)量,同時(shí)降低了合金中雜質(zhì)元素C、P的含量。
本實(shí)用新型屬于用物理冶金技術(shù)提純多晶硅的技術(shù)領(lǐng)域。一種電子束及渣濾熔煉提純多晶硅的設(shè)備,設(shè)備由爐門及真空爐壁構(gòu)成真空設(shè)備,真空設(shè)備的內(nèi)腔即為真空室;真空室底部固定安裝拉錠機(jī)構(gòu),拉錠機(jī)構(gòu)上安裝熔煉坩鍋,熔煉坩鍋外套裝加熱裝置,真空室底部還安裝有水冷支撐桿,水冷銅坩堝安裝于水冷支撐桿之上,加料裝置固定安裝于水冷銅坩堝上方真空爐壁頂部內(nèi)側(cè),水冷銅坩堝通過導(dǎo)流裝置連通熔煉坩堝,電子槍安裝于真空爐壁頂部,放氣閥安裝于真空爐壁之上。本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡單,構(gòu)思獨(dú)特,一臺設(shè)備綜合利用電子束熔煉除磷、渣濾熔煉除硼及定向凝固除金屬技術(shù)去除多晶硅中的磷、硼和金屬雜質(zhì),結(jié)構(gòu)緊湊,設(shè)備集成度高,提純效果好,生產(chǎn)效率高。
本發(fā)明涉及冶金熔煉技術(shù),具體涉及硅粉廢料的回收熔煉方法及設(shè)備。提出了一種金剛線切割硅粉的連續(xù)熔煉方法,采用直流電弧熔煉技術(shù),通過通入氬氣提高主反應(yīng)區(qū)的溫度,有利于二氧化硅與還原劑充分反應(yīng),且能降低填料過程中硅粉的氧化,通過底部感應(yīng)出料的方式,進(jìn)一步提高了熔煉過程的效率,實(shí)現(xiàn)了連續(xù)出料。本發(fā)明還提出了一種金剛線切割硅粉的連續(xù)熔煉設(shè)備,包括熔煉爐、電極及供電控制系統(tǒng),具有結(jié)構(gòu)合理、提純效果好、熔煉效率高等優(yōu)點(diǎn)。
本發(fā)明一種電子束梯度熔煉提純多晶硅的方法屬于用物理冶金技術(shù)提純多晶硅的技術(shù)領(lǐng)域,涉及一種利用電子束熔煉技術(shù)去除多晶硅中磷和金屬雜質(zhì)的方法。該方法采用改變電子束束流大小,產(chǎn)生能量大小不同分布,去除揮發(fā)性雜質(zhì)磷的同時(shí)實(shí)現(xiàn)定向凝固效果。首先取磷和金屬雜質(zhì)含量高的硅料洗凈、烘干后置于電子束熔煉爐中,然后以高束流電子束完全熔化硅料;此后逐漸降低電子束的束流,在小束流下保溫;關(guān)閉束流后冷卻,最后取出硅錠,切去硅錠的頂部得到磷和金屬雜質(zhì)含量較低的硅錠。本發(fā)明去除磷和金屬雜質(zhì)效果好,采用電子束除磷和定向凝固去除金屬的雙重作用,提高提純效率,減少工藝環(huán)節(jié),技術(shù)穩(wěn)定,周期短,節(jié)約能源,成本低。
本發(fā)明屬于用物理冶金技術(shù)提純多晶硅領(lǐng)域。一種電子束淺熔池熔煉提純多晶硅的方法,先將需提純的大塊高磷、高金屬多晶硅錠置于水冷升降托盤之上,后通過電子束熔化硅錠的頂部,熔化的硅熔液在由硅錠頂部、水冷銅套以及石墨套環(huán)形成的空間內(nèi)形成淺熔池,熔煉一定時(shí)間后,去除雜質(zhì)磷,此后升高水冷升降托盤,低磷硅熔液液面升高后通過導(dǎo)流口流入石英坩堝中,在保溫作用下向下拉錠,進(jìn)行定向凝固生長,金屬雜質(zhì)向硅錠頂部富集,凝固后切除硅錠頂部,去除金屬雜質(zhì)。本發(fā)明綜合電子束淺熔池熔煉和定向凝固去除硅中的雜質(zhì)磷和金屬。多晶硅的純度達(dá)到太陽能級硅的使用要求,節(jié)約能源,工藝簡單,生產(chǎn)效率高,適合批量生產(chǎn)。
本發(fā)明屬于用物理冶金技術(shù)提純多晶硅的技術(shù)領(lǐng)域。一種淺熔池真空熔煉提純多晶硅的方法,在真空度為0.001Pa以下的高真空條件下,先在熔煉坩堝中通過感應(yīng)加熱1430-1460℃熔化高純多晶硅料,形成高純硅熔液,并使其保持液態(tài),然后升溫使硅熔液溫度達(dá)到1500-1600℃;高磷、高金屬硅棒連續(xù)緩慢的加入硅熔液之中,雜質(zhì)磷在淺層熔池中不斷蒸發(fā)而得到去除,待高磷、高金屬硅棒完全熔入熔池后,感應(yīng)加熱使熔煉坩堝中液態(tài)在1450-1500℃溫度下保持一段時(shí)間,進(jìn)行定向凝固,切去硅錠頂部金屬雜質(zhì)含量較高的多晶硅即可。本發(fā)明綜合高溫、高真空大面積淺熔池熔煉和定向凝固的技術(shù),其提純效果好,操作簡單,節(jié)約能源,成本低,生產(chǎn)效率高,適合批量生產(chǎn)。
本發(fā)明屬于冶金法提純多晶硅領(lǐng)域。一種真空感應(yīng)熔煉去除硅粉中磷及金屬雜質(zhì)的方法,首先,在高真空狀態(tài)下,利用感應(yīng)加熱方式熔煉硅粉,去除多晶硅中的磷雜質(zhì),然后進(jìn)行拉錠,利用定向凝固技術(shù)將硅粉中的金屬雜質(zhì)去除。本發(fā)明方法簡單,同時(shí)應(yīng)用真空感應(yīng)熔煉和定向凝固技術(shù)來去除多晶硅中的磷及金屬雜質(zhì),實(shí)現(xiàn)了硅粉的熔煉,除雜效果良好,去除效率高,有效地利用了感應(yīng)線圈加熱溫度高的特點(diǎn),方法簡單易行,集成了除磷和除金屬的雙重效果,產(chǎn)量大,適合大規(guī)模生產(chǎn)工業(yè)生產(chǎn),提純效果穩(wěn)定。
本發(fā)明屬于用物理冶金技術(shù)提純多晶硅的技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種利用電子束熔煉技術(shù)將多晶硅中的雜質(zhì)磷和硼去除的方法。該方法使用兩把電子槍發(fā)射電子束分別對多晶硅進(jìn)行熔煉,同時(shí)采用雙重工藝去除多晶硅中的磷和硼,首先去除多晶硅中雜質(zhì)磷,將低磷的多晶硅進(jìn)一步熔煉蒸發(fā)除硼,收集蒸發(fā)到沉積板上的低磷低硼的多晶硅的方法。所采用的裝置由真空蓋、真空圓桶構(gòu)成裝置的外殼,真空圓桶的內(nèi)腔即為真空室,真空室由左右兩個(gè)腔組成,中間由隔離板分割。本發(fā)明有效提高了多晶硅的純度,達(dá)到了太陽能級硅的使用要求,其提純效果好,技術(shù)穩(wěn)定,效率高。
本發(fā)明一種多晶硅熔煉的復(fù)合式加熱方法及裝置屬于用物理冶金技術(shù)提純多晶硅的技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種利用感應(yīng)線圈和石墨加熱器復(fù)合加熱的方式熔煉多晶硅的方法及裝置。本方法同時(shí)采用感應(yīng)加熱和輻射加熱兩種方式對加熱區(qū)進(jìn)行復(fù)合式加熱,使硅料熔化并進(jìn)行熔煉,通過拉錠裝置的運(yùn)動使熔體脫離加熱區(qū),實(shí)現(xiàn)定向凝固。該裝置由真空蓋、真空圓桶構(gòu)成裝置的外殼,真空圓桶的內(nèi)腔即為真空室,真空室內(nèi)裝有進(jìn)行感應(yīng)加熱的感應(yīng)線圈和進(jìn)行輻射加熱的石墨加熱器。本發(fā)明有效地利用了感應(yīng)加熱的高效性和輻射加熱的穩(wěn)定性,保證了熔煉過程的穩(wěn)定,減小了能耗,提高了加熱效率,且該方法簡單易行,適合大規(guī)模工業(yè)生產(chǎn)。
本發(fā)明屬于用物理冶金技術(shù)提純多晶硅的技術(shù)領(lǐng)域。一種電子束分次熔煉提純多晶硅的方法,首先備料:將洗凈烘干后的硅料置于電子束熔煉爐中;再預(yù)處理:對坩鍋水冷、電子槍預(yù)熱;最后提純:采用以200-300mA的小束流電子束熔化并熔煉一段時(shí)間,然后降低束流為零,待硅錠完全變暗,硅蒸氣回凝入熔池后,再次以200-300mA的小束流熔煉多晶硅一段時(shí)間后停止束流,重復(fù)小束流熔煉和停止束流的操作多次,最后冷卻凝固即可得到磷含量很低的多晶硅錠。本發(fā)明的顯著效果是采用了電子束分次熔煉的技術(shù),一方面降低硅的蒸發(fā)損失量,此方法提純效果好,技術(shù)穩(wěn)定,工藝簡單,節(jié)能降耗,周期短,生產(chǎn)效率高。
本發(fā)明屬于用物理冶金技術(shù)提純多晶硅的技術(shù)領(lǐng)域。一種電子束高效、連續(xù)熔煉提純多晶硅的方法,先通過電子束在坩堝中形成穩(wěn)定的高純硅熔池,然后將需提純硅粉通過進(jìn)料真空閘室連續(xù)落入熔池,快速熔化后熔煉,從而去除硅粉中的雜質(zhì)磷,得到的低磷硅液周期性地從坩堝中溢出,在水冷傾斜銅槽中形成硅塊,并落入收集筒中冷卻,最后通過出料真空閘室連續(xù)出料,完成連續(xù)提純多晶硅的工藝過程。本發(fā)明采取連續(xù)加料和連續(xù)出料的熔煉方式,采用電子束熔煉多晶硅可去除飽和蒸汽壓高的揮發(fā)性雜質(zhì)磷,達(dá)到高效、連續(xù)熔煉除雜的目的,純度達(dá)到了太陽能級硅的使用要求,技術(shù)穩(wěn)定,能耗小,成本低,生產(chǎn)效率高,適合大規(guī)模工業(yè)化生產(chǎn)。
本發(fā)明屬于用物理冶金技術(shù)提純多晶硅的技術(shù)領(lǐng)域。一種定向凝固及渣濾熔煉提純多晶硅的方法,加熱在熔煉坩堝中的造渣劑,并使其保持液態(tài),同時(shí)通過另一小坩堝中熔化高硼、高金屬的多晶硅料形成多晶硅熔液;將多晶硅熔液連續(xù)導(dǎo)入并分散于液態(tài)造渣劑中,熔煉反應(yīng)去除雜質(zhì)硼,待熔煉坩堝中液體裝滿時(shí),停止加入多晶硅熔液,加熱使熔煉坩堝中保持液態(tài),熔煉后進(jìn)行定向凝固,切去硅錠頂部雜質(zhì)含量較高的多晶硅及廢渣,即可得到硼和金屬雜質(zhì)含量較低的多晶硅錠。綜合渣濾熔煉和定向凝固的技術(shù)去除多晶硅中的雜質(zhì)硼和金屬,有效提高了多晶硅的純度,達(dá)到了太陽能級硅的使用要求,其提純效果好,技術(shù)穩(wěn)定,工藝簡單,節(jié)約能源,成本低,生產(chǎn)效率高。
本發(fā)明屬于用物理冶金技術(shù)提純多晶硅的技術(shù)領(lǐng)域。一種電子束造渣熔煉去除多晶硅中雜質(zhì)硼的方法,將洗凈后的多晶硅料及造渣劑均勻混合形成混合料;再預(yù)處理:將混合料放入電子束熔煉爐內(nèi)的熔煉坩堝中,對熔煉坩堝進(jìn)行坩堝水冷,預(yù)熱電子槍;采用小束流電子束轟擊混合料,混合料熔化后增大電子束至250-500mA進(jìn)行熔煉,雜質(zhì)硼在熔煉過程中與堿性造渣劑反應(yīng)生成氣體揮發(fā)而去除,冷卻凝固得到低硼的多晶硅錠。本發(fā)明采用了電子束造渣熔煉的技術(shù),結(jié)合了造渣除硼和電子束除去揮發(fā)性雜質(zhì)的特點(diǎn),工藝更加簡單,有效將電子束與造渣工藝結(jié)合,工藝條件溫和易于操作,生產(chǎn)周期短,節(jié)能降耗,提純效果好,技術(shù)穩(wěn)定,生產(chǎn)效率高。
本發(fā)明屬于用物理冶金技術(shù)提純多晶硅的技術(shù)領(lǐng)域。一種電子束及渣濾熔煉提純多晶硅的方法,在熔煉坩堝中加熱熔化造渣劑形成造渣劑熔液,并保持其液態(tài),同時(shí)通過加料裝置向水冷銅坩堝中連續(xù)加入高磷、高硼和高金屬的多晶硅料,硅料在電子束轟擊下熔化成硅熔液,并熔煉去除雜質(zhì)磷;除磷后的低磷硅熔液導(dǎo)流進(jìn)入到造渣劑熔液之中,在熔入的過程中,硅熔液中的雜質(zhì)硼與造渣劑反應(yīng)去除雜質(zhì)硼,加滿料后將熔煉坩堝中的熔液加熱保持液態(tài)熔煉3-10分鐘,定向凝固,切去硅錠頂部廢渣及金屬含量較高的硅塊即可。本發(fā)明綜合利用電子束熔煉除磷、渣濾熔煉除硼及定向凝固除金屬的技術(shù)去除多晶硅中的磷、硼和金屬雜質(zhì),提純效果好,生產(chǎn)效率高,適合批量生產(chǎn)。
本發(fā)明涉及到一種粉礦懸浮磁化焙燒粉體急冷降溫工藝余熱鍋爐,主要包括前置蒸發(fā)器、鎖氣器Ⅰ、懸浮床蒸發(fā)器、旋風(fēng)分離器、鎖氣器Ⅱ、流化床換熱器、流化風(fēng)裝置Ⅱ、汽包、除氧器、加藥裝置和排污系統(tǒng)。冶金工藝中粉礦懸浮磁化焙燒粉體通過前置蒸發(fā)器、懸浮床蒸發(fā)器及流化床換熱器三段式降溫工藝有效控制粉的降溫過程和實(shí)現(xiàn)粉體不失磁的降溫工藝。不僅能夠有效利用粉體中的余熱,降低企業(yè)生產(chǎn)能耗和生產(chǎn)成本,而且主要滿足冶金選礦工藝要求和節(jié)能、降耗,具有可觀的經(jīng)濟(jì)價(jià)值和社會效益。
本實(shí)用新型公開了一種帶有清理除渣機(jī)構(gòu)的火法冶金設(shè)備,包括清理除渣裝置本體,清理除渣裝置本體包括移動環(huán)以及除渣刀環(huán),移動環(huán)包括環(huán)形卡槽、滑動塊以及限位孔,環(huán)形卡槽開設(shè)在移動環(huán)的頂部板面上,滑動塊連接在移動環(huán)的外壁上,滑動塊的數(shù)量不少于四個(gè),且滑動塊包括滾動槽以及滾珠,滾動槽開設(shè)在滑動塊的前后兩個(gè)板面上,每個(gè)板面上的滾動槽的數(shù)量不少于三個(gè),且滾動槽的內(nèi)部設(shè)置有滾珠,滾珠的表面與滾動槽的底面接觸,限位孔開設(shè)在移動環(huán)的內(nèi)壁上,將刀座設(shè)置成雙層刀環(huán)結(jié)構(gòu),相較于傳統(tǒng)的刀環(huán),雙層刀環(huán)結(jié)構(gòu)不僅對冶金爐的內(nèi)壁表面進(jìn)行清理,而且對滑動塊的移動軌道進(jìn)行清理。
不銹鋼相對于普碳鋼,機(jī)械性能更好,軋制變形抗力大。想要軋出合格的板帶相比于普碳鋼難度大一些。軋制普碳鋼選擇四輥軋機(jī)或者六輥軋機(jī),軋制不銹鋼選擇多輥軋機(jī)。由于多輥軋機(jī)自身特點(diǎn),為了大的軋制壓下量等因素,工作輥直徑很小,受空間限制,工作輥沒有軸承座,只有一根光輥,輥身靠周邊輥系支撐。其軸向固定不能像普通四六輥軋機(jī)那樣鎖住工作輥軸承座即可。既需要軸向固定工作輥,又需要承受工作輥徑向旋轉(zhuǎn),所以開發(fā)一種新型工作輥軸向固定裝置非常有必要。
本發(fā)明鋼渣輥式破碎風(fēng)淬冷卻干法處理裝置及其工作方法,涉及冶金技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及液態(tài)與固態(tài)高溫鋼渣輥式破碎風(fēng)淬冷卻干法處理裝置及其工作方法。
本發(fā)明爪式展平機(jī),涉及冶金機(jī)械設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及用于將帶立筋的擠壓鋁銅進(jìn)行展平的爪式展平機(jī)。
本發(fā)明旋轉(zhuǎn)式上升管石墨清掃裝置及其使用方法,涉及冶金焦化技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及應(yīng)用在頂裝焦?fàn)t裝煤車和搗固焦?fàn)t導(dǎo)煙車上的旋轉(zhuǎn)式上升管石墨清掃裝置。
本發(fā)明提供了永磁直驅(qū)混鐵車及其控制方法,用于實(shí)現(xiàn)混鐵車自帶動力行駛,提高混鐵車的運(yùn)用效率。
本發(fā)明的目的是提供一種自動上料系統(tǒng)及使用方法,能夠?qū)㈤_袋卸料時(shí)產(chǎn)生的粉塵收集回收,整個(gè)過程均在負(fù)壓下進(jìn)行,避免了對周圍環(huán)境造成污染,改善了工人工作環(huán)境,避免卸料時(shí)噸袋的碎屑混入物料內(nèi)污染原料,減少原料浪費(fèi),減輕工人的勞動強(qiáng)度,提高上料效率。
本發(fā)明焦化除塵用焦油處理系統(tǒng),涉及冶金焦化環(huán)保技術(shù)領(lǐng)域,具體而言,尤其涉及一種焦化除塵用的焦油處理系統(tǒng)。
本發(fā)明三滑板滑動水口,涉及冶金鑄造及連鑄技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及薄帶鑄軋機(jī)中間罐與分流罐連接處的三滑板滑動水口。
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