高溫儲(chǔ)能相變材料及其制備和應(yīng)用 1053     

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本發(fā)明涉及一種高溫儲(chǔ)能相變材料及其制備和應(yīng)用,采用A1-Mg-Sn三元合金體系通過(guò)高能球磨及粉末冶金的方法制備。Al-Mg-Sn三元合金中,Mg的質(zhì)量百分含量為25%-35%,Sn的質(zhì)量百分含量為5%-10%。本發(fā)明特點(diǎn)在于相變潛熱高,相變穩(wěn)定性及可逆循環(huán)性好。本發(fā)明可為解決工業(yè)余熱回收、熱電廠特別是太陽(yáng)能發(fā)電廠熱能儲(chǔ)存與運(yùn)輸蕭峰填谷、能源的高效利用提供可能。

通過(guò)造渣促進(jìn)電子束精煉鎳基高溫合金脫硫的方法 873     

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本發(fā)明提供一種通過(guò)造渣促進(jìn)電子束精煉鎳基高溫合金脫硫的方法，包括如下步驟：S1、高溫合金原材料的預(yù)處理；S2、電子束精煉提純鎳基高溫合金，得到高純的FGH4096高溫合金鑄錠。本發(fā)明將造渣冶金深脫硫工藝和電子束精煉技術(shù)相結(jié)合，利用脫S反應(yīng)發(fā)生在3CaO·A1₂O₃熔渣與合金液的界面上的原理，通過(guò)在原料底部添加CaO?A1₂O₃?CaF₂系渣劑，依靠熔渣上浮脫硫的過(guò)程，對(duì)鎳基高溫合金熔體進(jìn)行深脫硫。除此之外還利用電子束誘導(dǎo)凝固技術(shù)對(duì)夾雜物及渣劑進(jìn)行誘導(dǎo)去除，進(jìn)一步減少了造渣所引起的冶金污染問(wèn)題，提供了一種促進(jìn)電子束精煉鎳基高溫合金深度除硫的方法。

去除多晶硅中硼的方法 1154     

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本發(fā)明提供一種去除多晶硅中硼的方法，包括以下步驟：向待提純硅料中添加金屬，制成混合料；將混合料加熱至熔融態(tài)成為改性的硅液，向改性的硅液中加入SiO2-CaO-X渣劑進(jìn)行造渣熔煉提純；熔煉提純后，傾倒分離渣和硅液，將所述硅液冷卻后得到硼含量較低的多晶硅；其中，所述金屬為Ti、Sn、Al、Fe、Cu和Mn中一種或多種；所述SiO2-CaO-X渣劑中X為Na2SiO3、Na2CO3、Al2O3、Li2O、BaO、TiO2和CaF2中的一種。本發(fā)明步驟科學(xué)、合理，克服了現(xiàn)有技術(shù)的諸多缺點(diǎn)，采用該方法制備的多晶硅中硼含量符合太陽(yáng)能級(jí)多晶硅的要求。

生產(chǎn)鋁合金復(fù)合管材、棒材及線材的方法 664     

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本發(fā)明涉及有色金屬加工技術(shù)領(lǐng)域，一種生產(chǎn)鋁合金復(fù)合管材、棒材及線材的方法，包括以下步驟：1、熔煉，按芯材和皮材化學(xué)成分分別配制鋁合金原料，并分別在兩個(gè)熔煉爐中進(jìn)行熔煉2、復(fù)合鑄造，先將芯材熔體澆注到芯材結(jié)晶器中，再將皮材熔體澆注到芯材凝固殼與皮材結(jié)晶器形成的空腔中，啟車鑄造，獲得復(fù)合鑄棒或管坯；3、均勻化退火，將復(fù)合鑄棒或管坯加熱到均勻化溫度；4、熱加工，將復(fù)合鑄棒或管坯經(jīng)過(guò)鋸切、車皮、加熱，再進(jìn)行反向擠壓得到復(fù)合棒材或進(jìn)行穿孔加反向擠壓得到復(fù)合管材；5、冷加工，將復(fù)合管材或棒材進(jìn)行加熱、拉伸，得到H狀態(tài)的復(fù)合管材或棒材，6、控制產(chǎn)品狀態(tài)，將步驟4得到的復(fù)合管材或棒材退火加熱，得到O狀態(tài)復(fù)合管材或棒材。本發(fā)明降低了生產(chǎn)成本、確保了產(chǎn)品品質(zhì)的穩(wěn)定性。

超高功率石墨電極及其制造方法 804     

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本發(fā)明公開(kāi)了一種超高功率石墨電極及其制造方法，制備所述超高功率石墨電極的原料包括石墨烯、針狀焦、粘結(jié)劑、焙燒碎和石墨碎，原料經(jīng)過(guò)煅燒及配料、混捏、壓型、一次焙燒、浸漬、二次焙燒、石墨化、機(jī)械加工至成品。本發(fā)明的超高功率石墨電極生產(chǎn)時(shí)加入了石墨烯粉體改性，石墨烯粉體分散在石墨電極生坯中，進(jìn)行石墨化工序時(shí)，石墨烯粉體既可以作為晶核使周邊的碳原子在其上繼續(xù)進(jìn)行晶體生長(zhǎng)，形成尺寸更大的石墨層狀晶體，或生成多晶，又可以誘導(dǎo)周邊碳原子從非晶質(zhì)向晶質(zhì)進(jìn)行轉(zhuǎn)化，生成新的石墨層狀晶體，從而大幅度提高產(chǎn)品的石墨化程度，降低產(chǎn)品的電阻率，同時(shí)提高了產(chǎn)品的抗折強(qiáng)度。

電子束除磷、除金屬的耦合提純多晶硅的設(shè)備 726     

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本實(shí)用新型屬于用物理冶金技術(shù)提純多晶硅的技術(shù)領(lǐng)域。一種電子束除磷、除金屬的耦合提純多晶硅的設(shè)備,設(shè)備采用真空蓋、真空爐壁及裝粉蓋構(gòu)成真空設(shè)備,真空設(shè)備內(nèi)腔為真空室;真空室內(nèi)上部裝有裝粉桶,裝粉桶底部帶有出料口,出料口裝配有外驅(qū)式擋粉板,裝粉桶出料口底部裝有坩堝,坩堝底部裝有拉錠機(jī)構(gòu),拉錠機(jī)構(gòu)上裝有硅錠,電子槍安裝在真空室上部,電子束流對(duì)準(zhǔn)硅錠。本實(shí)用新型設(shè)備結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,同時(shí)進(jìn)行電子束熔煉粉體硅料和定向凝固,用電子束快速去除雜質(zhì)磷,用定向凝固將分凝系數(shù)較小的金屬雜質(zhì)去除,有效提高了多晶硅的純度,達(dá)到了太陽(yáng)能級(jí)硅的使用要求。本實(shí)用新型成本低,適合批量生產(chǎn)。

含多種原位增強(qiáng)顆粒的稀土鎂基復(fù)合材料的制備方法 768     

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本發(fā)明屬于冶金技術(shù)領(lǐng)域,涉及一種可同時(shí)制備含多種原位增強(qiáng)顆粒的鎂基復(fù)合材料的方法。其特征是將Al粉、Ti粉、B粉或Al粉、Ti粉、C粉配制混合,粉末球磨后,在室溫下壓制成預(yù)制塊;在熔煉稀土鎂基熔體中添加稀土元素,將壓制后的預(yù)制塊加入到稀土鎂合金熔體中,采用自蔓延高溫合成法原位合成含增強(qiáng)顆粒的鎂基復(fù)合材料熔體;預(yù)制塊被打碎、分散,殘余Al與稀土元素反應(yīng)析出金屬間化合物。本發(fā)明可用于多種原位顆粒增強(qiáng)稀土鎂基復(fù)合材料的制備,降低了對(duì)基體合金的影響,與基體有良好的潤(rùn)濕性;顆粒增強(qiáng)相在基體中均勻分布,增強(qiáng)效果明顯提高,并且制備工藝簡(jiǎn)單,生產(chǎn)成本低,適于大批量工業(yè)化生產(chǎn)。

太陽(yáng)能級(jí)高純多晶硅的制備方法 912     

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本發(fā)明提供一種制備太陽(yáng)能級(jí)高純多晶硅的制備方法,它是一種采用物理化學(xué)法制備太陽(yáng)能級(jí)多晶硅的生產(chǎn)方法。本方法以冶金級(jí)工業(yè)硅為原料,通過(guò)粉碎獲得含水量低于3%、粒度為50～100nm的硅粉物料,經(jīng)兩次酸浸、清洗、干燥,真空熔煉和定向凝固獲得純度可達(dá)99.999%以上的多晶硅產(chǎn)品。本發(fā)明的制備方法易操作,耗電量小、生產(chǎn)成本低,易實(shí)現(xiàn)大規(guī)模、工業(yè)化生產(chǎn)。

利用生產(chǎn)炭化硅而副產(chǎn)石墨塊的方法 1080     

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本發(fā)明所述的利用生產(chǎn)炭化硅而副產(chǎn)石墨塊的方法是屬于冶金領(lǐng)域中一種采用炭化硅生產(chǎn)工藝生產(chǎn)炭化硅的同時(shí)又生產(chǎn)出質(zhì)量好、經(jīng)濟(jì)性好的附屬產(chǎn)品石墨塊的新方法。本發(fā)明的方法是廢物利用,將生產(chǎn)炭化硅工藝中的爐芯料,用焙燒廢料炭塊替代,在裝窯時(shí)計(jì)算好爐芯體積和電流密度,分層填裝,既保持炭化硅的產(chǎn)量和質(zhì)量,又保證副產(chǎn)品電解石墨的產(chǎn)量。略改變送電曲線減少用電量,生產(chǎn)不墨塊。本發(fā)明具有操作簡(jiǎn)單、產(chǎn)品質(zhì)量好、經(jīng)濟(jì)效益大等特點(diǎn)。

鉻提取和有害廢物治理回收并制備鉻化合物的方法 818     

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本發(fā)明提供了一種鉻提取和有害廢物治理回收并制備鉻化合物的方法，屬于濕法冶金和資源回收領(lǐng)域。本發(fā)明以含鉻固體為原料，先用酸浸，使鉻、鐵、鋁三種元素充分溶解，過(guò)濾得到濾液；在弱酸性條件下，加入還原劑選擇還原，使六價(jià)鉻全部轉(zhuǎn)化為三價(jià)鉻；然后調(diào)節(jié)溶液pH，加入氧化劑選擇氧化，使二價(jià)鐵全部轉(zhuǎn)化為三價(jià)鐵；一并置于反應(yīng)釜中，低溫恒溫水熱一段時(shí)間；對(duì)反應(yīng)后的產(chǎn)物進(jìn)行過(guò)濾、洗滌、干燥，得到濾餅與濾液。濾餅為含F(xiàn)e沉渣，洗滌液返回重復(fù)使用。調(diào)節(jié)濾液pH，加入水化劑，高溫恒溫水熱一段時(shí)間，得到含Cr化合物，洗滌、干燥、焙燒得到氧化鉻。調(diào)節(jié)濾液和洗滌液pH，得到含Al固體，洗液洗滌液重復(fù)使用。

電子束層覆誘導(dǎo)凝固技術(shù)高純化制備鎳基高溫合金的方法 878     

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本發(fā)明公開(kāi)了一種電子束層覆誘導(dǎo)凝固技術(shù)高純化制備鎳基高溫合金的方法，具有如下步驟：S1、原料準(zhǔn)備；S2、熔煉前準(zhǔn)備；S3、電子束層覆熔煉。利用本發(fā)明制備的鎳基高溫合金鑄錠，降低了鑄錠宏觀偏析；在電子束誘導(dǎo)凝固技術(shù)下，大幅度提高了鑄錠的純凈度及冶金質(zhì)量；可實(shí)現(xiàn)大型鑄錠的工程化制備，并且將出成率從傳統(tǒng)技術(shù)的小于70％提高到85％以上。

四電極直流電熔鎂爐及使用方法 678     

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本發(fā)明提供一種四電極直流電熔鎂爐及使用方法，屬于冶金與礦業(yè)技術(shù)領(lǐng)域。包括直流供電電源、柔性短網(wǎng)、電極垂直升降機(jī)構(gòu)、電極水平移動(dòng)機(jī)構(gòu)、電極傾斜控制機(jī)構(gòu)、石墨電極、把持器和爐殼。所述直流供電電源通過(guò)柔性短網(wǎng)與石墨電極連接，電極傾斜控制機(jī)構(gòu)通過(guò)把持器與石墨電極上端連接，石墨電極下端設(shè)置在爐殼內(nèi)；電極傾斜控制機(jī)構(gòu)能夠調(diào)整石墨電極的傾斜角度。本發(fā)明四電極直流電熔鎂爐與現(xiàn)有直流電熔鎂冶煉相比，在相同熔煉電壓情況下熔煉功率擴(kuò)大一倍，注入功率高，能夠解決直流電熔鎂爐熔池小、偏弧等問(wèn)題，提高大結(jié)晶電熔鎂產(chǎn)率，促進(jìn)直流供電技術(shù)在電熔鎂行業(yè)的工業(yè)應(yīng)用。

電子束誘導(dǎo)精煉澆鑄技術(shù)制備高純鎳基高溫合金的方法 782     

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本發(fā)明公開(kāi)了一種電子束誘導(dǎo)精煉澆鑄技術(shù)制備高純鎳基高溫合金的方法，步驟為電子槍預(yù)熱完畢后，對(duì)第一水冷銅坩堝內(nèi)的小圓柱進(jìn)行電子束熔煉，并收束至鑄錠一側(cè)邊緣；待鑄錠全部凝固后再次開(kāi)啟電子槍，電子束斑從鑄錠最后收束區(qū)相對(duì)的一側(cè)向鑄錠最后收束區(qū)均勻緩慢的掃描鑄錠表面，保證電子束斑掃描過(guò)的位置處的合金全部熔化，掃描至靠近鑄錠最后收束區(qū)處停止掃描；將第一水冷銅坩堝中的熔融合金澆鑄至第二水冷銅坩堝；電子束熔煉爐冷卻后，取出精煉后的鎳基高溫合金。本發(fā)明在電子束精煉鎳基高溫合金的基礎(chǔ)上實(shí)現(xiàn)了高純合金熔體與雜質(zhì)的有效分離，電子束誘導(dǎo)精煉與澆鑄相結(jié)合，縮短了鎳基高溫合金鑄錠的生產(chǎn)周期，提高了鑄錠的純凈度及冶金質(zhì)量。

合金化分凝提純工業(yè)硅的方法 665     

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本發(fā)明屬于冶金法提純工業(yè)硅的技術(shù)領(lǐng)域。一種合金化分凝提純工業(yè)硅的方法,具體步驟如下:(1)酸洗除雜:采用無(wú)機(jī)酸溶液對(duì)工業(yè)硅粉進(jìn)行酸洗除雜,清洗、過(guò)濾、干燥;(2)合金化熔煉:以酸洗后的硅粉和金屬鋁為原料,在一定溫度下進(jìn)行合金化熔煉,緩慢冷卻到550℃,自然冷卻到室溫,破碎,得到鋁硅合金粉;(3)分離硅:采用鋅液溶解鋁硅合金中的鋁,分離得到鋁鋅熔體和固體硅粉;(4)鋅鋁分離:進(jìn)行鋁鋅熔體的真空蒸餾分離,氣相冷凝得到金屬鋅,鋁液冷卻得到鋁錠;(5)硅提純:固體硅粉采用無(wú)機(jī)酸溶液進(jìn)行酸洗提純后得到高純硅。本發(fā)明方法工藝簡(jiǎn)單,生產(chǎn)周期短,節(jié)能降耗,提純效果好,技術(shù)穩(wěn)定,生產(chǎn)效率高,環(huán)保效益好。

高純硅與高純鋁的電化學(xué)雙精煉提純的方法 825     

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本發(fā)明屬于硅和鋁提純的技術(shù)領(lǐng)域。一種高純硅與高純鋁的電化學(xué)雙精煉提純的方法，具體步驟如下:(1)合金精煉提純：采用合金精煉法對(duì)金屬鋁和冶金硅的混合原料進(jìn)行熔煉，去除冶金硅中的雜質(zhì)硼，從而得到鋁硅合金；(2)電解分離：鋁硅合金作為陽(yáng)極，不銹鋼作為陰極，低溫熔鹽作為電解液，進(jìn)行恒電流電解，陽(yáng)極富集的陽(yáng)極泥為多晶硅，陰極富集鋁；（3）后處理：將陽(yáng)極富集的多晶硅進(jìn)行破碎、酸洗除雜、去離子水清洗、過(guò)濾和干燥，獲得低硼的多晶硅，將陰極富集的鋁進(jìn)行清洗、干燥獲得高純鋁。本發(fā)明有效去除冶金硅中的雜質(zhì)硼，其提純效果好，環(huán)保效益高。鋁的回收利用率達(dá)到93%以上，純度達(dá)到99.999%以上。

電子束誘導(dǎo)定向凝固除雜的方法 704     

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本發(fā)明屬于多晶硅提純的技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種利用電子束誘導(dǎo)技術(shù)進(jìn)行定向凝固除雜的方法。該方法首先取鋁、鈣含量高的冶金級(jí)多晶硅，將其清洗烘干后置于坩堝內(nèi)，抽取真空后啟動(dòng)電子槍，以400-700mA的束流轟擊多晶硅，至全部熔化，形成熔池，持續(xù)熔煉30-60min；然后采用對(duì)數(shù)降束的方式降低電子束的束流，待電子束束流降低到100-150mA時(shí)，停止降束，熔體緩慢凝固形成鑄錠，關(guān)閉束流，可得到低鋁、低鈣的多晶硅鑄錠。本發(fā)明充分利用了雜質(zhì)在硅中的蒸發(fā)效應(yīng)和分凝效應(yīng)，實(shí)現(xiàn)了電子束熔煉蒸發(fā)與定向凝固兩種除雜方式的優(yōu)勢(shì)互補(bǔ)，保證了一次熔煉后雜質(zhì)鋁和鈣可以被去除到滿足太陽(yáng)能電池性能要求的程度，減少了工藝環(huán)節(jié)，降低了能耗，有利于大規(guī)模推廣應(yīng)用。

電子束高效提純多晶硅粉體的設(shè)備 1116     

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本實(shí)用新型屬于用物理冶金技術(shù)提純多晶硅的技術(shù)領(lǐng)域。一種電子束高效提純多晶硅粉體的設(shè)備,設(shè)備中由真空蓋、爐壁和裝粉蓋組成真空設(shè)備,真空設(shè)備內(nèi)腔是真空室;真空室內(nèi)上部裝有裝粉桶,裝粉桶頂部帶有裝粉蓋,裝粉蓋位于真空爐壁上,裝粉桶底部帶有出料口,出料口裝配有外驅(qū)式擋粉板,裝粉桶出料口底部裝有熔煉坩堝,熔煉坩堝底部通過(guò)支撐桿固定在真空室底部,熔煉坩堝出料口下方放置拉錠機(jī)構(gòu),電子槍安裝在真空室上部,電子束流對(duì)準(zhǔn)硅塊。本實(shí)用新型設(shè)備簡(jiǎn)便、技術(shù)穩(wěn)定、能源消耗少、成本低、整個(gè)設(shè)備同時(shí)應(yīng)用電子束熔煉硅粉和定向凝固技術(shù),從而實(shí)現(xiàn)除磷和除金屬的雙重效果,適合批量生產(chǎn)硅材料。

稀土鎢電極材料的制備方法 1030     

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本發(fā)明屬于冶金熔煉技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種熔煉制備鎢電極材料的方法。該方法首先將鎢粉和稀土氧化物粉充分混合得到混合粉，再通過(guò)熱壓成型對(duì)混合粉進(jìn)行處理得到鎢基塊狀混合物；然后采用電子束真空高溫熔煉鎢基塊狀混合物，凝固冷卻后得到稀土鎢合金錠；最后將稀土鎢合金錠在真空下進(jìn)行熱處理，得到稀土鎢電極材料。本發(fā)明利用電子束提供極高密度的能量熔煉稀土鎢材料，熔煉后得到的稀土鎢電極材料致密度較高，與熱壓燒結(jié)相比，電子束熔煉技術(shù)在制備難熔金屬方面，具有明顯的優(yōu)勢(shì)，取得的組織更優(yōu)良，通過(guò)摻入一定量的稀土氧化物提高電極材料的性能，通過(guò)分析顯微硬度的變化，可判定稀土氧化物的添加對(duì)電極的硬度會(huì)有一定程度的提高。

電子束高效提純多晶硅粉體的方法及設(shè)備 824     

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本發(fā)明屬于用物理冶金技術(shù)提純多晶硅的技術(shù)領(lǐng)域。一種電子束高效提純多晶硅粉體的方法,第一步備料:將低磷、低金屬的高純硅料放入底部帶冷卻的熔煉坩堝中,向裝粉桶中加入需提純的高磷、高金屬硅粉;第二步預(yù)處理:對(duì)真空室進(jìn)行抽真空;對(duì)熔煉坩堝及拉錠機(jī)構(gòu)冷卻至25-45℃;預(yù)熱電子槍;第三步提純:打開(kāi)電子槍進(jìn)行熔煉,去除揮發(fā)性雜質(zhì)磷;熔煉后的低磷硅液以定向凝固方式凝固,金屬雜質(zhì)聚集于硅錠上部;關(guān)閉電子槍,繼續(xù)抽真空15-30分鐘,打開(kāi)放氣閥放氣,打開(kāi)真空蓋,取出硅錠切去硅錠上部含金屬雜質(zhì)較多的部分即可。本發(fā)明同時(shí)實(shí)現(xiàn)電子束熔煉硅粉除磷和定向凝固除金屬的雙重效果,達(dá)到高效熔煉硅粉,快速除去雜質(zhì)的目的。

粉體均勻下落的裝置 739     

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本實(shí)用新型涉及冶金熔煉領(lǐng)域一種粉體均勻下落的裝置,驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)安裝于爐壁外壁之上,爐壁內(nèi)腔即為爐室,裝粉桶安裝于爐室內(nèi)壁上,轉(zhuǎn)動(dòng)主軸上端通過(guò)軸承安裝于爐壁上,其下端通過(guò)軸承安裝于裝粉桶中心,裝粉桶桶底開(kāi)設(shè)有若干個(gè)落粉通孔,連接桿固定安裝于轉(zhuǎn)動(dòng)主軸底端,連接桿自上到下固定套裝旋轉(zhuǎn)片和蒸汽檔板,旋轉(zhuǎn)片和蒸汽檔板上分別開(kāi)設(shè)若干個(gè)落粉通孔。本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)緊湊,通過(guò)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)在爐外驅(qū)動(dòng)旋轉(zhuǎn)片轉(zhuǎn)動(dòng),實(shí)現(xiàn)粉體周期下落,攪動(dòng)器和裝粉桶的傾斜側(cè)壁可實(shí)現(xiàn)粉體的順利下落,分散分布的落粉通孔實(shí)現(xiàn)粉體均勻下落,實(shí)現(xiàn)粉體的周期性、均勻性、可控性的下落,達(dá)到冶金熔煉快速除雜的目的,具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,精確控制,操作方便的優(yōu)點(diǎn)。

采用電子束注入去除多晶硅中雜質(zhì)硼的方法 1121     

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本發(fā)明采用電子束注入去除多晶硅中雜質(zhì)硼的方法屬于用物理冶金技術(shù)提純多晶硅的技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種利用電子束進(jìn)行電子注入,從而去除多晶硅中雜質(zhì)硼的方法。該方法首先利用高溫加熱爐加熱硅粉,然后將其置于電子束熔煉爐中,低束流電子束轟擊硅粉,最后用HF酸溶液除去硅粉表面氧化膜得到低硼硅粉。本發(fā)明的顯著效果是采用了電子束釋放電子顯負(fù)電的電效應(yīng),結(jié)合硅材料本身的特點(diǎn),增強(qiáng)了硅料自身的微電場(chǎng),在溫度的驅(qū)動(dòng)下使硼擴(kuò)散到界面進(jìn)而進(jìn)入到二氧化硅層中,最后酸洗去除含有硼的二氧化硅膜,從而達(dá)到去除雜質(zhì)硼的目的,以滿足太陽(yáng)能級(jí)硅的使用要求,其提純效果好,穩(wěn)定性好,能耗小,成本低,工藝簡(jiǎn)單,周期短,生產(chǎn)效率較高。

多晶硅定向凝固設(shè)備 668     

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本發(fā)明一種多晶硅定向凝固設(shè)備屬于用物理冶金技術(shù)提純多晶硅的技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種用定向凝固方法熔煉多晶硅的設(shè)備。該設(shè)備外殼的內(nèi)腔為真空室,真空室內(nèi)由上耐熱纖維保溫套、方形側(cè)耐熱纖維保溫套、下耐熱纖維保溫套構(gòu)成封閉的保溫區(qū)間;在下耐熱纖維保溫套中部開(kāi)有一個(gè)錐形孔,與拉桿固定相連的耐熱纖維散熱屏插入其中;多晶硅定向凝固設(shè)備有一個(gè)支撐臺(tái),它由框架形支架和安裝在框架形支架上的左、右滑動(dòng)拉桿構(gòu)成;設(shè)備外殼固定在框架形支架上。該設(shè)備有效控制液態(tài)多晶硅的散熱方式,保證溫度梯度始終保持一個(gè)方向,使液態(tài)多晶硅沿底部單一方向散熱,完成多晶硅的定向凝固。具有能耗低、側(cè)境污染小的特點(diǎn)。

原位顆粒增強(qiáng)鎂基復(fù)合材料的電磁/超聲制備方法 929     

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一種原位顆粒增強(qiáng)鎂基復(fù)合材料的電磁/超聲制備方法,屬于冶金技術(shù)領(lǐng)域,公開(kāi)一種用電磁連鑄技術(shù)制備鎂基復(fù)合材料的方法。其特征是熔煉添加微合金化元素CA、稀土Y、稀土CE的鎂基熔體;選擇AL-TI-C或AL-TI-B增強(qiáng)體系,采用自蔓延高溫合成法原位合成含增強(qiáng)顆粒的鎂基復(fù)合材料熔體,對(duì)鎂基復(fù)合材料熔體施加電磁/超聲復(fù)合攪拌;最后采用連鑄工藝將鎂基復(fù)合材料熔體連鑄成型,并且在結(jié)晶器范圍內(nèi)施加電磁場(chǎng)和超聲場(chǎng),獲得多相增強(qiáng)鎂基復(fù)合材料連鑄坯。本發(fā)明的效果和益處是將復(fù)合材料自蔓延反應(yīng)法與電磁連續(xù)鑄造技術(shù)、超聲波技術(shù)有機(jī)地結(jié)合,得到表面光潔、顆粒增強(qiáng)相在基體中均勻分布、增強(qiáng)體與基體結(jié)合良好的鎂基復(fù)合材料連鑄坯,制備工藝簡(jiǎn)單。

增強(qiáng)合金化分凝提純多晶硅的方法 1008     

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本發(fā)明屬于冶金提純技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種增強(qiáng)合金化分凝提純多晶硅的方法。該方法首先對(duì)工業(yè)硅和原鋁進(jìn)行清洗預(yù)處理，然后在氬氣保護(hù)下使原鋁完全熔化，之后向熔融的鋁液中加入工業(yè)硅，升溫至1100-1200℃進(jìn)行合金化熔煉，完全熔化后加入金屬或金屬氧化物，保溫之后緩慢冷卻，硼化物和初晶硅先后析出并沉積在坩堝底部，將坩堝上部鋁硅熔體傾倒并貯存，最后對(duì)初晶硅進(jìn)行無(wú)機(jī)酸處理，去除殘余金屬及硼化物，之后進(jìn)行烘干處理，即可得到硼含量低的多晶硅。本發(fā)明在Si-Al合金提純的基礎(chǔ)上加入Fe、Ti、TiO2等微量金屬或金屬氧化物，從而達(dá)到去除硅中硼雜質(zhì)，使硼含量達(dá)到滿足太陽(yáng)能級(jí)硅的要求，實(shí)用性強(qiáng)，工業(yè)生產(chǎn)周期短，節(jié)能降耗環(huán)保，技術(shù)穩(wěn)定，生產(chǎn)效率高。

基于固/氣共晶定向凝固制備多孔材料的方法 821     

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一種固/氣定向共晶凝固制備多孔材料的方法。利用本發(fā)明的設(shè)備和工藝,通過(guò)提高工作壓力、增加和控制冷卻速度、降低非金屬雜質(zhì)含量,使熔煉速度比現(xiàn)有技術(shù)提高2～10倍,并可直接監(jiān)測(cè)金屬熔化及澆鑄的全過(guò)程。制備的多孔材料,孔隙均勻(無(wú)論鑄件徑向上還是軸向上),材料內(nèi)部孔隙尺寸可以相同,也可以不同,還可以形成變截面的錐形孔腔。可應(yīng)用于冶金機(jī)械、石油化工、能源環(huán)保、國(guó)防軍工、核技術(shù)和生物制藥等工業(yè)過(guò)程中的流體滲透與過(guò)濾控制、高效燃燒、強(qiáng)化傳質(zhì)傳熱、阻燃防爆、人工骨骼、輻射吸收和消音控制等,是實(shí)現(xiàn)各種技術(shù)突破的關(guān)鍵技術(shù)。

高鉻含釩原料的提純方法 944     

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本發(fā)明提供一種高鉻含釩原料的提純方法，包括以下步驟：一次焙燒：高鉻含釩原料在400～600℃焙燒得到釩氧化物；堿浸：用堿液及氧化劑將冶金級(jí)的釩氧化物溶解，通空氣氧化、并加入第一沉淀劑得到含釩浸出液；保持含釩浸出液溫度不低于40℃，先調(diào)節(jié)溶液的pH到中性，再添加第二沉淀劑深度除硅，經(jīng)壓濾得含釩浸出液；加入第三沉淀劑浸出沉釩，水洗、抽濾得到偏釩酸銨；所述第三沉淀劑為含銨溶液和/或銨鹽；將偏釩酸銨烘干；500～600℃焙燒成品偏釩酸銨，制備高純V₂O₅。本發(fā)明提純方法能避免釩鉻分離過(guò)程引入的其他還原性雜質(zhì)，提高了產(chǎn)品質(zhì)量以及V₂O₅純度。

電子束除磷、除金屬的耦合提純多晶硅的方法及設(shè)備 769     

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本發(fā)明屬于用物理冶金技術(shù)提純多晶硅的技術(shù)領(lǐng)域。一種電子束除磷、除金屬的耦合提純多晶硅的方法,先通過(guò)電子束在低磷、低金屬的高純硅錠的頂部形成穩(wěn)定熔池,后將需提純的硅粉落入熔池熔煉,實(shí)現(xiàn)粉體的快速熔化去除硅粉中的揮發(fā)性雜質(zhì)磷,同時(shí)進(jìn)行定向拉錠使低磷多晶硅進(jìn)行定向凝固生長(zhǎng),通過(guò)分凝效應(yīng)去除多晶硅中金屬雜質(zhì)。本發(fā)明的顯著效果是同時(shí)采取電子束熔煉粉體硅料和定向凝固的方式,用電子束快速去除雜質(zhì)磷,用定向凝固將分凝系數(shù)較小的金屬雜質(zhì)去除,有效提高了多晶硅的純度,達(dá)到了太陽(yáng)能級(jí)硅的使用要求。本發(fā)明提純效果好,技術(shù)穩(wěn)定,工藝簡(jiǎn)單,生產(chǎn)效率高,節(jié)約能源,成本低,適合批量生產(chǎn)。

硅合金造渣提純多晶硅的方法 696     

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本發(fā)明屬于冶金提純技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種多晶硅提純的方法。該方法采用金屬與冶金硅進(jìn)行合金化熔煉得到硅合金；后以硅合金為原料，加入堿性渣劑，進(jìn)行造渣熔煉提純；最后將熔體保溫、冷卻后依據(jù)密度差分離得到高純硅、渣劑和硅合金，渣劑和硅合金回收重復(fù)利用。本發(fā)明通過(guò)向冶金硅中添加少量的金屬元素，使其與硅形成合金熔體，有效降低了造渣提純過(guò)程的熔煉溫度，降低坩堝損耗，冷卻過(guò)程中，雜質(zhì)在硅與合金熔體之間具有分凝作用，有效降低了初晶硅中硼雜質(zhì)的含量，提高提純效果，最后利用硅、合金、渣劑之間的密度差，實(shí)現(xiàn)三相的分離，獲得高純度的多晶硅，保證硅合金和渣劑的重復(fù)利用，并避免了后續(xù)酸洗提純的試劑消耗以及合金元素的損失。?

去除工業(yè)硅中硼的方法 1119     

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本發(fā)明一種工業(yè)硅除硼的方法屬于用物理冶金技術(shù)提純多晶硅的技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種利用電子束熔煉技術(shù)將工業(yè)硅中的雜質(zhì)硼去除的方法。該方法將工業(yè)硅料放入純度為99.9%以上的石英環(huán)中,在電子束作用下熔煉,利用高真空度將氧化硼去除。先將工業(yè)硅料放入石英環(huán)中;再將石英環(huán)放入水冷銅坩堝中,關(guān)閉真空裝置蓋。其所采用裝置由真空裝置蓋、真空?qǐng)A桶構(gòu)成裝置的外殼,真空?qǐng)A桶內(nèi)腔即為真空室?？梢詫⒎帜禂?shù)較大的硼用電子束熔煉去除,有效提高了多晶硅的純度,具有效率高、裝置簡(jiǎn)單、節(jié)約能源的優(yōu)點(diǎn)。

去除多晶硅中雜質(zhì)磷的方法及裝置 791     

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本發(fā)明一種去除多晶硅中雜質(zhì)磷的方法及裝置屬于用物理冶金技術(shù)提純多晶硅的技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種利用電子束熔煉技術(shù)將多晶硅中的雜質(zhì)磷去除的方法及裝置。該方法中采用雙電子束,用旋轉(zhuǎn)水冷銅坩堝的方式使電子束可以充分對(duì)多晶硅進(jìn)行熔煉,可以在熔煉過(guò)程中加料實(shí)現(xiàn)連續(xù)作業(yè),去除多晶硅中雜質(zhì)磷。將多晶硅料裝入水冷銅坩堝中,關(guān)閉真空裝置蓋;然后抽真空,給左、右電子槍預(yù)熱。所用的裝置由真空裝置蓋與真空?qǐng)A桶構(gòu)成裝置外殼,真空?qǐng)A桶內(nèi)腔即為真空室。多晶硅中有害的雜質(zhì)磷用電子束熔煉去除,充分完全,有效提高了多晶硅的純度,實(shí)現(xiàn)連續(xù)作業(yè)。方法效率高、裝置簡(jiǎn)單、節(jié)約能源。