電芯檢測柜檢測點失效的檢測方法 839     

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本發(fā)明公開了一種電芯檢測柜檢測點失效的檢測方法,包括以下步驟:A)將標準電芯放置在檢測點上充放電;B)當標準電芯充放電進入設(shè)定的恒壓電壓階段后,每間隔設(shè)定時間測量一次電芯正、負極端子間的電壓。步驟A)中還在電池的正極端子和負極端子上各連接一根導(dǎo)線,并將導(dǎo)線的一端牽引到防爆網(wǎng)外,步驟B)中通過測量兩根導(dǎo)線間的電壓來測量電芯正、負極端子間的電壓。通過使用一個標準電池充電,并在充電的過程中動態(tài)連續(xù)地測量該點的電壓,測量過程與實際充電過程一致,從而可以分辨出電芯起火爆炸是由電芯缺陷引起還是由檢測點缺陷引起,從而減少在檢測過程中起火爆炸事故的發(fā)生、減少電芯損失和提高檢測柜的利用效率。

光模塊的失效分析拆卸裝置 965     

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本發(fā)明公開了一種光模塊的失效分析拆卸裝置，包括用于放置光模塊的工作臺、設(shè)置于工作臺的底端的升降組件、設(shè)置于工作臺的上方的下壓組件、分設(shè)于工作臺兩側(cè)的拆蓋組件、以及分別對應(yīng)驅(qū)動兩組拆蓋組件靠近或遠離工作臺的直線往復(fù)機構(gòu)，拆蓋組件的自由端呈尖角結(jié)構(gòu)設(shè)置，下壓組件的驅(qū)動端設(shè)置有至少一組與之可拆卸連接的下壓件。通過上述方式，本發(fā)明由直線往復(fù)機構(gòu)驅(qū)動拆蓋組件運動，從而實現(xiàn)光模塊的半自動拆卸，提高了拆卸效率，且通過調(diào)節(jié)工作臺的高度及刀具的行程能夠減少拆蓋時對光模塊內(nèi)部器件的損傷。

電子產(chǎn)品失效率分析系統(tǒng)及方法 955     

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一種電子產(chǎn)品失效率分析系統(tǒng)及方法,該系統(tǒng)包括:料號編碼模塊,用于根據(jù)電子產(chǎn)品資料產(chǎn)生該電子產(chǎn)品各個零件的料號編碼規(guī)則,根據(jù)該料號編碼規(guī)則制作電子產(chǎn)品資料的BOM表;零件分類模塊,用于從產(chǎn)品BOM表中讀取零件料號,根據(jù)料號編碼規(guī)則對零件料號進行分類編碼,及整理零件類型并計算各種零件類型的零件數(shù)量;失效率計算模塊,用于依據(jù)各零件類型的參數(shù)公式計算各類型零件的單一失效率,及將各類型零件的單一失效率相加總計算電子產(chǎn)品的總失效率;報告產(chǎn)生模塊,用于根據(jù)電子產(chǎn)品的總失效率產(chǎn)生電子產(chǎn)品壽命的預(yù)估報告。實施本發(fā)明,能夠快速對BOM表內(nèi)大量的零件料號進行分類,達到準確地計算產(chǎn)品失效率之目的。

城鎮(zhèn)燃氣聚乙烯管道失效事故分析實現(xiàn)方法及系統(tǒng) 925     

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本發(fā)明公開了一種城鎮(zhèn)燃氣聚乙烯管道失效事故分析實現(xiàn)方法及系統(tǒng)，方法包括：獲取城鎮(zhèn)燃氣聚乙烯管道的管道失效后果分類信息，及管道事故后果嚴重度影響因素信息；其中，所述管道事故后果嚴重度影響因素信息中所包括的輸送介質(zhì)危害性信息具體包括介質(zhì)危險系數(shù)、泄露量因子及泄露擴散因子；根據(jù)管道失效后果分類信息、及管道事故后果嚴重度影響因素信息，獲取風(fēng)險可接受值，并判斷風(fēng)險可接受值在預(yù)先設(shè)置的最低合理可行區(qū)域，當風(fēng)險可接受值在最低合理可行區(qū)域內(nèi)則提示事故的風(fēng)險可接受。本發(fā)明中建立了城鎮(zhèn)燃氣聚乙烯管道失效后果評價因素體系，實現(xiàn)城鎮(zhèn)燃氣聚乙烯管道風(fēng)險評價因素體系、及管道失效風(fēng)險等級的建立和進行事故分析。

半導(dǎo)體激光芯片失效分析方法 917     

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本申請公開了一種半導(dǎo)體激光芯片失效分析方法。其中，所述方法包括：去除半導(dǎo)體激光芯片的襯底，直至露出所述半導(dǎo)體激光芯片的外延層；通過顯微鏡的暗場模式觀察所述外延層，分析得出失效部位。由于無需專門設(shè)備，僅使用顯微鏡即可解決激光芯片失效模式分析問題，從而降低了高功率半導(dǎo)體激光芯片失效分析成本；并且，顯微鏡是常用工具，不像專門設(shè)備，操作簡單，無需專業(yè)技術(shù)人員即可操作，降低了高功率半導(dǎo)體激光芯片失效的門檻。并且，通過顯微鏡的暗場模式來直接觀察所述外延層，保持了對失效區(qū)域高質(zhì)量的成像，對推動高功率半導(dǎo)體激光芯片各項性能指標的研究有重要作用。

LNG儲罐泄露的失效模式分析實現(xiàn)方法 969     

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本發(fā)明公開了一種LNG儲罐泄露的失效模式分析實現(xiàn)方法，方法包括：獲取LNG儲罐泄露的嚴重度值、頻度值及可探測度值；根據(jù)LNG儲罐泄露的嚴重度值、頻度值及可探測度值的乘積獲取風(fēng)險系數(shù)；判斷風(fēng)險系數(shù)是否大于預(yù)先設(shè)置的風(fēng)險系數(shù)閾值，當風(fēng)險系數(shù)大于所述風(fēng)險系數(shù)閾值時，則進行泄露風(fēng)險高的提示。本發(fā)明中準確的根據(jù)LNG儲罐泄露的嚴重度值、頻度值及可探測度值的乘積獲取風(fēng)險系數(shù)，并判斷該風(fēng)險系數(shù)是否超出風(fēng)險系數(shù)閾值，也就可根據(jù)事故的風(fēng)險系數(shù)準確指導(dǎo)采取相應(yīng)的控制措施。

戰(zhàn)略備件的失效概率分析方法、系統(tǒng) 893     

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本發(fā)明涉及了一種戰(zhàn)略備件的失效概率分析方法、系統(tǒng)，該失效概率分析方法包括：根據(jù)戰(zhàn)略備件在各工廠的工單領(lǐng)用數(shù)據(jù)及驗收入庫數(shù)據(jù)，確定每個已更換的戰(zhàn)略備件的更換類型；統(tǒng)計特定時段內(nèi)戰(zhàn)略備件的每個更換類型所對應(yīng)的更換數(shù)量；獲取各工廠的戰(zhàn)略備件的安裝數(shù)據(jù)及各工廠的機組分布數(shù)據(jù)；根據(jù)戰(zhàn)略備件的安裝數(shù)據(jù)及各工廠的機組分布數(shù)據(jù)，計算特定時段內(nèi)戰(zhàn)略備件的運行堆年數(shù)；根據(jù)特定時段內(nèi)戰(zhàn)略備件的運行堆年數(shù)及每個更換類型所對應(yīng)的更換數(shù)量，分別計算戰(zhàn)略備件的每個更換類型的年失效概率。實施本發(fā)明的技術(shù)方案，實現(xiàn)了戰(zhàn)略備件的失效概率分析方法的標準化、自動化，不但提升了工作效率，而且，提高了準確性。

失效分析報告生成系統(tǒng)及方法 799     

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一種失效分析報告生成系統(tǒng),包括一報告處理模塊及一用于將失效分析文件匯總的學(xué)習(xí)分享模塊,所述報告處理模塊包括一匯出單元,用于匯出失效分析文件;一轉(zhuǎn)換單元,用于將失效分析文件轉(zhuǎn)換成標準格式;一判斷單元,用于判斷失效分析文件是否轉(zhuǎn)換成標準格式,如果否,則重新匯出失效分析文件,如果是,則發(fā)送一控制信號給報告生成單元;及一報告生成單元,用于在接收到控制信號后將標準格式下的失效分析文件轉(zhuǎn)換成方便閱讀的查閱格式并寫入學(xué)習(xí)分享模塊。所述失效分析報告生成系統(tǒng)可有效對失效分析文件進行管理。

適用于多芯片失效分析的LPDDR晶圓RDL設(shè)計方法 787     

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本發(fā)明公開了一種適用于多芯片失效分析的LPDDR晶圓RDL設(shè)計方法，屬于半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域，包括以下步驟：S1：基于常規(guī)LPDDR RDL設(shè)計，增加鍵合焊位；S2：設(shè)計封裝基板，增加若干用于DIE連接的基板正面金手指；S3：進行封裝，并將鍵合焊位與基板正面金手指連接S4:測量電阻，通過電阻測試判斷DIE狀態(tài)，完成設(shè)計。只需要在設(shè)計原始RDL布線時候，同步新增如下1條RDL走線即可；圍繞DIE四周新增1條不封閉的口字型走線和2個鍵合焊墊(焊墊開窗位置需尋找合適位置，不影響原始產(chǎn)品RDL布線即可)，通過走線電阻的測量數(shù)據(jù)來判定DIE是否有開裂，無需專門測試機器，只需要使用萬用表或者簡易測試設(shè)備來測試電阻即可判定多芯片堆疊中存在某一顆DIE開裂。

SSD失效分析方法、裝置、計算機設(shè)備及存儲介質(zhì) 754     

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本發(fā)明涉及SSD失效分析方法、裝置、計算機設(shè)備及存儲介質(zhì)，該方法包括當SSD出現(xiàn)失效時，獲取SSD全盤信息；根據(jù)SSD全盤信息構(gòu)建失效場景，并對失效場景進行分析，以得到分析結(jié)果；發(fā)送所述失效結(jié)果至終端，以在終端顯示所述失效結(jié)果。本發(fā)明通過在SSD出現(xiàn)失效時，導(dǎo)出SSD全盤信息，并根據(jù)SSD全盤信息重建失效場景并在本地進行分析，以此形成分析結(jié)果，且導(dǎo)出SSD全盤信息可以無限次重建失效場景，能永久保存失效場景，也極大便利了失效分析及問題解決后的驗證，實現(xiàn)多種場景的失效分析，提升分析的成功率和準確率。

芯片失效分析儀器 1040     

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本發(fā)明公開了一種芯片失效分析儀器，其測試夾具包括底板、載板及夾板，底板中央設(shè)有均勻布置的金屬凸起，貫穿載板上表面、下表面設(shè)有與金屬凸起對應(yīng)的均勻布置的通孔，通孔內(nèi)設(shè)有用于與被測芯片的引腳連接的連接件，連接件包括設(shè)于載板上表面的金屬薄片及連接于金屬薄片下的金屬探針，金屬探針套設(shè)有彈性部件，且彈性部件固定于通孔內(nèi)壁，被測芯片置于載板上表面時，夾板輕壓于被測芯片上，被測芯片的引腳壓于金屬薄片上，彈性部件一起被壓縮，且金屬探針與金屬凸起電性連接；其測試機臺用于對被測芯片輸出測試信號，且可選擇地與金屬凸起電性連接。本發(fā)明是一種能夠廣泛適用于各種封裝結(jié)構(gòu)的芯片進行失效分析的測試設(shè)備。

電涌保護器防雷器件失效分析的裝置 1064     

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本發(fā)明的一種電涌保護器防雷器件失效分析的裝置,包括:一整流濾波電路;一DC/DC變換器;一DC/AC變換器,用于將來自所述DC/DC變換器的直流電壓進行變換,變成預(yù)定頻率的交流電壓;一限流電路,串聯(lián)在DC/DC變換器與DC/AC變換器的回路中;一電流采樣,串聯(lián)在DC/DC變換器與DC/AC變換器的回路中,用于將流過電涌保護器的電流轉(zhuǎn)換成電壓信號;一電流放大電路,用于將來自所述電路采樣的電流信號進行放大,送給所述DC/DC變換器,以保證流過電涌保護器的電流不變。本發(fā)明裝置由于采用了先進閉環(huán)控制技術(shù),達到了實時調(diào)節(jié)流過SPD的電流的效果,使設(shè)備的成本大大降低,同時提高了測試的準確度。

用于制備芯片失效分析樣品的制樣裝置 742     

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本實用新型提出一種用于制備可供掃描電容顯微鏡研究的芯片失效分析樣品的制樣裝置，包括聚焦離子束、金屬墊片、離子風(fēng)扇、加熱臺和UV燈，待測試的芯片經(jīng)由所述聚焦離子束切割得到芯片樣品，將所述芯片樣品粘貼在所述金屬墊片上，所述離子風(fēng)扇對所述金屬墊片上的芯片樣品進行吹拭以除去所述芯片樣品表面沉積的離子，隨后將所述金屬墊片移送至所述加熱臺，所述加熱臺對所述芯片樣品進行加熱，所述UV燈對所述芯片樣品進行照射，所述加熱臺與所述UV燈共同作用以在所述芯片樣品的表面形成致密的氧化層。本實用新型提供的制樣裝置操作簡單，制樣完整精確，能有效地保證芯片失效分析結(jié)果的準確性，提高測試分析結(jié)果的精確度。

失效分析系統(tǒng) 997     

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本實用新型公開了一種失效分析系統(tǒng)，其測試夾具包括底板、載板及夾板，載板為分層結(jié)構(gòu)，貫穿載板設(shè)有均勻布置的垂直通孔，貫穿每層載板的兩相對側(cè)面設(shè)置有一層水平通孔，垂直通孔內(nèi)設(shè)有用于與被測芯片的引腳連接的連接件，連接件包括金屬薄片及第一金屬探針，第一金屬探針套設(shè)有彈性部件，還包括第二金屬探針，且彈性部件固定于垂直通孔之內(nèi)壁處，被測芯片置于載板上表面時，夾板輕壓于被測芯片上，被測芯片的引腳壓于金屬薄片上，彈性部件一起被壓縮，且第一金屬探針與第二金屬探針電性連接；測試機臺，測試機可選擇地與第二金屬探針電性連接，并輸出測試信號。本實用新型是一種能夠廣泛適用于各種封裝結(jié)構(gòu)的芯片進行失效分析的測試設(shè)備。

芯片失效分析儀 753     

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本實用新型公開了一種芯片失效分析儀，其測試夾具包括底板、載板及夾板，底板中央設(shè)有均勻布置的金屬凸起，貫穿載板上表面、下表面設(shè)有與金屬凸起對應(yīng)的均勻布置的通孔，通孔內(nèi)設(shè)有用于與被測芯片的引腳連接的連接件，連接件包括設(shè)于載板上表面的金屬薄片及連接于金屬薄片下的金屬探針，金屬探針套設(shè)有彈性部件，且彈性部件固定于通孔內(nèi)壁，被測芯片置于載板上表面時，夾板輕壓于被測芯片上，被測芯片的引腳壓于金屬薄片上，彈性部件一起被壓縮，且金屬探針與金屬凸起電性連接；其測試機臺用于對被測芯片輸出測試信號，且可選擇地與金屬凸起電性連接。本實用新型是一種能夠廣泛適用于各種封裝結(jié)構(gòu)的芯片進行失效分析的測試設(shè)備。

并網(wǎng)逆變器的失效檢測方法和繼電器失效檢測裝置 689     

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本申請公開了一種并網(wǎng)逆變器的失效檢測方法和繼電器失效檢測裝置，方法應(yīng)用于單相和三相的并網(wǎng)逆變器的繼電器失效檢測電路，電路包括逆變模塊、繼電器組、電網(wǎng)，繼電器組并聯(lián)依次串聯(lián)的第一電容、阻抗元件、第二電容，繼電器組的主繼電器和從繼電器分別由第一驅(qū)動信號和第二驅(qū)動信號控制導(dǎo)通或斷開。方法包括：同時控制主繼電器和從繼電器斷開，以通過比對繼電器組的電網(wǎng)側(cè)電壓和逆變側(cè)電壓判斷是否是第一故障原因，若不是則交替控制主繼電器或從繼電器中的一個導(dǎo)通，從而在阻抗元件電壓大于所述預(yù)設(shè)電壓閾值時，比較阻抗元件電壓和第二電網(wǎng)側(cè)電壓的相位方向，進而判斷出具體短路故障的繼電器。本申請有利于提高繼電器故障檢測的準確性。

電子產(chǎn)品失效分析方法 1078     

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本發(fā)明提供一種電子產(chǎn)品失效分析方法,該方法包括如下步驟:從存儲裝置中獲取失效電子產(chǎn)品的失效信息;根據(jù)所獲取的失效信息進行失效復(fù)制驗證,以驗證所獲取的失效信息對應(yīng)的失效現(xiàn)象能否復(fù)制;當所獲取的失效信息對應(yīng)的失效現(xiàn)象不能復(fù)制時,對失效電子產(chǎn)品進行測試以判斷所述失效電子產(chǎn)品的失效原因是否屬于不能復(fù)制問題;當所述失效電子產(chǎn)品不屬于不能復(fù)制問題時,判斷所述失效電子產(chǎn)品是否未出故障。

電性能失效分析定位方法和裝置 707     

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本申請公開了一種電性能失效分析定位方法和裝置。其中，該電性能失效分析定位方法具體包括以下步驟：步驟S11，將監(jiān)測導(dǎo)線與待測元器件或待測PCB進行電性連接，并將待測元器件或所述待測PCB灌封成待測樣本；步驟S12，將監(jiān)測導(dǎo)線與阻值監(jiān)測設(shè)備進行電性連接；步驟S13，對待測樣本進行研磨，并通過阻值監(jiān)測設(shè)備監(jiān)測待測樣本的當前阻值；步驟S14，根據(jù)當前阻值確定待測樣本的阻值異常位置。因此，本申請通過對待測樣本進行研磨，并通過阻值監(jiān)測設(shè)備實時監(jiān)測待測樣本的當前阻值，能夠準確地定位失效的待測樣本的阻值異常位置。

流程失效狀態(tài)的分析方法及其系統(tǒng)、計算機設(shè)備 712     

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本發(fā)明提供了一種流程失效狀態(tài)的分析方法，所述流程失效狀態(tài)的分析方法包括：設(shè)置末尾埋點于流程的結(jié)束節(jié)點，其中，所述流程包括若干流程步驟；運行所述流程；當所述流程運行至所述結(jié)束節(jié)點時，判斷所述流程的狀態(tài)是否為失效狀態(tài)；當所述流程為失效狀態(tài)時，采集所述末尾埋點；解析所述末尾埋點得到運行所述流程時經(jīng)歷的流程步驟為運行步驟；根據(jù)所述結(jié)束節(jié)點的前一個運行步驟回溯推測步驟；以及根據(jù)所述運行步驟與所述推測步驟分析導(dǎo)致所述流程的狀態(tài)為失效狀態(tài)的缺失場景。此外，本發(fā)明還提供了一種流程失效狀態(tài)的分析系統(tǒng)以及計算機設(shè)備。本發(fā)明技術(shù)方案有效解決了程序無法根據(jù)流程失效狀態(tài)得知原因，彌補空缺場景的問題。

陶瓷電容失效的分析方法 849     

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本發(fā)明實施例提供了一種陶瓷電容失效的分析方法，屬于電子設(shè)備中陶瓷電容領(lǐng)域，以能夠準確分析出陶瓷電容的內(nèi)部缺陷，提高分析成功率。所述陶瓷電容失效的分析方法，包括：對待分析的陶瓷電容進行阻值測試，將測得的阻值記為初始阻值，并根據(jù)所述初始阻值判斷所述待分析的陶瓷電容的失效狀態(tài)；將所述待分析的陶瓷電容制成金相切片樣品，研磨，在研磨過程中對阻值進行實時測試，并將測得的阻值記為測試值；當所述測試值的變化量超過所述初始阻值的10%時，停止研磨，定位觀察所述待分析的陶瓷電容的缺陷部位；對所述缺陷部位進行綜合分析，確定所述待分析的陶瓷電容的失效原因。本發(fā)明可用于陶瓷電容失效的分析中。

檢測激光器失效與老化的裝置和方法 987     

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一種檢測激光器失效與老化的裝置和方法,該裝置包括分路器、光探測器和判斷器,其中分路器串接在激光器輸出端,將激光器輸出的光分出一部分輸入到光探測器做檢測;光探測器檢測分路器分光后的一部分光的電流,并將檢測結(jié)果送給判斷器;判斷器根據(jù)該檢測結(jié)果,判斷該激光器是否失效或老化情況。本發(fā)明的檢測方法能夠?qū)崟r監(jiān)控和檢測激光器的失效和老化狀況,讓維護人員及時了解激光器的工作性能和發(fā)現(xiàn)失效或老化的激光器,在激光器老化嚴重或雖然損壞但還沒影響到系統(tǒng)性能的情況下,通過告警提示相關(guān)人員提前進行相應(yīng)準備和及時干預(yù)處理,將激光器損壞對系統(tǒng)的影響程度減少到最小,避免發(fā)生重大通信事故。

塑料卡扣斷裂的失效分析方法 1179     

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本發(fā)明公開了一種塑料卡扣斷裂的失效分析方法，該方法包括以下步驟：對塑料卡扣斷裂部位的斷面進行光學(xué)檢查，是否有異物或是液體的化學(xué)試劑，判斷是否是化學(xué)腐蝕導(dǎo)致斷裂；對比卡扣斷裂面與與未斷裂件工業(yè)CT圖片，卡扣是否在裝配期間發(fā)生偏移，判斷是否是裝配不良導(dǎo)致斷裂；拆下卡扣斷裂部位，對卡扣斷裂處的斷面進行形貌觀察，判斷斷面是否有疲勞紋路、應(yīng)力紋路、塑性變形，從而判斷斷裂模式；通過X射線能譜儀分析步驟S3中斷面，對比正常位置，是否含有異常元素，進一步分析元素存在的形式，確定異常元素的具體物質(zhì)；判斷化學(xué)成分是否一致；分析是否發(fā)生了降解；本發(fā)明能夠?qū)蹟嗔堰M行有效的分析檢測，分析速度快、檢測準確性高。

失效分析顯微鏡 823     

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本實用新型提供了一種失效分析顯微鏡，包括：會聚超透鏡和顯微系統(tǒng)，所述顯微系統(tǒng)包括顯微物鏡；所述會聚超透鏡位于所述顯微系統(tǒng)外側(cè)，并與所述顯微物鏡位置對應(yīng)；所述會聚超透鏡遠離所述顯微物鏡的一側(cè)用于放置待測樣品，所述會聚超透鏡用于對所述待測樣品所出射的激發(fā)光線進行會聚，并將會聚的激發(fā)光線射向所述顯微物鏡。通過本實用新型實施例提供的失效分析顯微鏡，利用會聚超透鏡對待測樣品所出射的激發(fā)光線進行會聚，可以增大系統(tǒng)數(shù)值孔徑，能夠提高光學(xué)顯微鏡的分辨率，可以用來檢測待測樣品的表面缺陷或破損，實現(xiàn)失效分析。并且，使用超表面作為會聚光線的會聚超透鏡，可以有效地減小整體的尺寸，減輕整體的重量。

電子元件接觸點失效分析方法 704     

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一種電子元件接觸點失效分析方法,該方法包括以下步驟:找到插槽中不合格的針腳;檢測上述不合格的針腳是否被氧化;當不合格針腳被氧化時,檢測出氧化物的成分及氧化物在不合格針腳中的具體位置;檢測不合格的針腳中是否有助焊劑;當不合針腳中有助焊劑時,檢測出助焊劑在針腳中的具體位置。利用本方法可以對電子元件進行驗證,準確地得出失效的原因及失效點的確切位置,提高了失效驗證的精確度。

發(fā)光芯片失效原因背面分析方法 747     

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本發(fā)明涉及一種發(fā)光芯片失效原因背面分析方法。該方法包括：S10、研磨拋光N電極上與光波導(dǎo)對應(yīng)位置的金屬陶瓷層，使光波導(dǎo)對應(yīng)位置的N電極裸露；S20、在N電極上設(shè)置測試連接點，且測試連接點位于光波導(dǎo)在N電極的對應(yīng)區(qū)域之外；S30、供電電路的正極連接P電極上的鍵合金屬線，供電電路的負極連接測試連接點，供電電路提供供電電壓以使發(fā)光芯片發(fā)光；S40、使用光檢測設(shè)備檢測發(fā)光芯片背面發(fā)出的光，根據(jù)獲取光確定發(fā)光芯片的失效區(qū)域。本發(fā)明解決了光芯片表面覆蓋金屬層導(dǎo)致失效現(xiàn)象無法顯現(xiàn)的問題，提高光芯片失效分析的準確率。

半導(dǎo)體器件失效分析方法、裝置、設(shè)備及存儲介質(zhì) 1000     

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本發(fā)明實施例提供的半導(dǎo)體器件失效分析方法、裝置、設(shè)備及存儲介質(zhì)，通過物理檢測獲取正常半導(dǎo)體器件的目標檢測參數(shù)，目標檢測參數(shù)包括正常半導(dǎo)體器件對應(yīng)失效半導(dǎo)體器件上的失效點區(qū)域的檢測參數(shù)，其包括失效點區(qū)域的表面檢測參數(shù)、失效點區(qū)域的元素濃度檢測參數(shù)、失效點區(qū)域的剖面檢測參數(shù)；然后將獲取到的目標檢測參數(shù)作為預(yù)設(shè)仿真算法的輸入?yún)?shù)輸入，通過預(yù)設(shè)仿真算法結(jié)合預(yù)測失效結(jié)果，從而得到失效半導(dǎo)體器件的失效原因。也即本發(fā)明實施例實現(xiàn)了對失效半導(dǎo)體器件失效原因的逆向分析，以真實的失效半導(dǎo)體器件作為直接的分析對象，分析結(jié)果為全面、準確。

通用型芯片失效分析的測試裝置 781     

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本實用新型公開了一種通用型芯片失效分析的測試裝置，其測試夾具包括底板、載板及夾板，底板中央設(shè)有金屬凸起，載板設(shè)有通孔，通孔內(nèi)壁均設(shè)有金屬彈片，通孔內(nèi)設(shè)有用于與被測芯片的引腳連接的連接件，連接件包括設(shè)于載板上表面的金屬薄片及連接于金屬薄片下的金屬探針，金屬探針套設(shè)有彈性部件，且彈性部件固定于通孔內(nèi)壁，被測芯片置于載板上表面時，夾板輕壓于被測芯片上，被測芯片的引腳壓于金屬薄片上，彈性部件一起被壓縮，且金屬探針與金屬凸起電性連接，同時金屬彈片被壓縮；其測試裝置包括測試機臺及邏輯開關(guān)，測試機臺通過邏輯開關(guān)對被測芯片輸出測試信號。本實用新型是一種能夠廣泛適用于各種封裝結(jié)構(gòu)的芯片進行失效分析的測試設(shè)備。

芯片失效分析的測試設(shè)備 961     

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本發(fā)明公開了一種芯片失效分析的測試設(shè)備，其測試夾具包括底板、載板及夾板，底板中央設(shè)有均勻布置的金屬凸起，貫穿載板上表面、下表面設(shè)有與金屬凸起對應(yīng)的均勻布置的通孔，通孔內(nèi)設(shè)有用于與被測芯片的引腳連接的連接件，連接件包括設(shè)于載板上表面的金屬薄片及連接于金屬薄片下的金屬探針，金屬探針套設(shè)有彈性部件，且彈性部件固定于通孔內(nèi)壁，被測芯片置于載板上表面時，夾板輕壓于被測芯片上，被測芯片的引腳壓于金屬薄片上，彈性部件一起被壓縮，且金屬探針與金屬凸起電性連接；其測試機臺用于對被測芯片輸出測試信號，且可選擇地與金屬凸起電性連接。本發(fā)明是一種能夠廣泛適用于各種封裝結(jié)構(gòu)的芯片進行失效分析的測試設(shè)備。

通用型芯片失效分析的測試設(shè)備 1059     

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本發(fā)明公開了一種通用型芯片失效分析的測試設(shè)備，其測試夾具包括底板、載板及夾板，底板中央設(shè)有金屬凸起，載板設(shè)有通孔，通孔內(nèi)壁均設(shè)有金屬彈片，通孔內(nèi)設(shè)有用于與被測芯片的引腳連接的連接件，連接件包括設(shè)于載板上表面的金屬薄片及連接于金屬薄片下的金屬探針，金屬探針套設(shè)有彈性部件，且彈性部件固定于通孔內(nèi)壁，被測芯片置于載板上表面時，夾板輕壓于被測芯片上，被測芯片的引腳壓于金屬薄片上，彈性部件一起被壓縮，且金屬探針與金屬凸起電性連接，同時金屬彈片被壓縮；其測試裝置包括測試機臺及邏輯開關(guān)，測試機臺通過邏輯開關(guān)對被測芯片輸出測試信號。本發(fā)明是一種能夠廣泛適用于各種封裝結(jié)構(gòu)的芯片進行失效分析的測試設(shè)備。

芯片失效分析的測試裝置 814     

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本實用新型公開了一種芯片失效分析的測試裝置，其測試夾具包括底板、載板及夾板，底板中央設(shè)有均勻布置的金屬凸起，貫穿載板上表面、下表面設(shè)有與金屬凸起對應(yīng)的均勻布置的通孔，通孔內(nèi)設(shè)有用于與被測芯片的引腳連接的連接件，連接件包括設(shè)于載板上表面的金屬薄片及連接于金屬薄片下的金屬探針，金屬探針套設(shè)有彈性部件，且彈性部件固定于通孔內(nèi)壁，被測芯片置于載板上表面時，夾板輕壓于被測芯片上，被測芯片的引腳壓于金屬薄片上，彈性部件一起被壓縮，且金屬探針與金屬凸起電性連接；其測試機臺用于對被測芯片輸出測試信號，且可選擇地與金屬凸起電性連接。本實用新型是一種能夠廣泛適用于各種封裝結(jié)構(gòu)的芯片進行失效分析的測試設(shè)備。