本申請涉及一種集成電路失效檢測方法及裝置。方法包括:獲取待檢測集成電路的第一圖像,其中,待檢測集成電路包括至少一條待檢測的金屬線,第一圖像中包括待檢測的金屬線的圖像;使用檢測探針接觸金屬線,獲取接觸到檢測探針后的待檢測集成電路的第二圖像,其中,第二圖像中包括第一圖像中的金屬線的圖像;根據(jù)第一圖像、第二圖像,確定待檢測集成電路的失效情況。從而僅通過圖像的變化即可檢測集成電路的內(nèi)部失效情況,檢測方法方便簡單,并且無需將集成電路研磨到待檢測的那一層,即可通過其上層的互連情況,對其內(nèi)部的失效情況進行初步的檢測,效率更高。
本申請實施例提供了一種無線鏈路失效檢測方法、裝置、設(shè)備及存儲介質(zhì),涉及移動通信技術(shù)領(lǐng)域,該方法包括:當(dāng)集中單元檢測到觸發(fā)無線鏈路檢測的觸發(fā)事件時,集中單元向分布單元發(fā)送RRC消息;分布單元響應(yīng)于RRC消息,向終端發(fā)送查詢消息,并監(jiān)聽終端反饋的對應(yīng)于查詢消息的應(yīng)答消息;基于監(jiān)聽結(jié)果,分布單元向集中單元發(fā)送對應(yīng)于RRC消息的RRC反饋消息;集中單元根據(jù)對RRC反饋消息的解析結(jié)果,確定無線鏈路是否失效。本申請?zhí)峁┝烁煽康臋z測方案,能夠有效地識別出基站與終端連接的無線鏈路是否失效,及時釋放無線資源,避免造成無線資源的浪費。
一種紅外焦平面陣列芯片貯存失效率、可靠度的檢測方法,其貯存失效率方法包括:測量紅外焦平面陣列芯片的樣品的像元個數(shù);將樣品進行分組;測量貯存前每組樣品的初始有效像元率,將每組樣品在一組高溫貯存應(yīng)力下進行貯存,測量貯存后每組樣品的最終有效像元率;根據(jù)樣品的最終有效像元率和初始有效像元率的差值確定該組樣品在對應(yīng)高溫貯存應(yīng)力下的像元失效率;根據(jù)各像元失效率計算樣品貯存退化的激活能值,并根據(jù)激活能值計算常溫貯存應(yīng)力下的加速系數(shù);根據(jù)加速系數(shù)和像元個數(shù)計算樣品的像元在常溫條件、預(yù)設(shè)置信水平下的貯存失效率上限值,將貯存失效率上限值確定為紅外焦平面陣列芯片的貯存失效率。本方案降低了檢測成本。
本實用新型涉及一種信號防雷器,具體涉及一種帶失效檢測功能的信號防雷器。本實用新型的帶失效檢測功能的信號防雷器,包括了信號源線、屏蔽層線和地線,其輸入端向輸出端依次包括放電管電路和二級管電路,所述放電管電路與地線之間連接一個電磁感應(yīng)環(huán)。本實用新型的帶失效檢測功能的信號防雷器。本實用新型的帶失效檢測功能的信號防雷器檢測信號的靈敏度高,能實現(xiàn)對防雷器電路的實時監(jiān)控,在防雷器失效后,仍可以檢測到失效信息,實施對與雷器連接的其他設(shè)備的保護。
本申請涉及一種貼片電容失效檢測方法及磨拋方法。其中,貼片電容失效檢測方法,包括獲取待測電容的外表面圖像,并判斷外表面圖像中是否存在異常區(qū)域;若判斷的結(jié)果為否,則確定待測電容的疊層側(cè),并基于疊層側(cè)獲取待測電容的顯微圖像;其中,顯微圖像為疊層側(cè)經(jīng)磨拋處理后得到;根據(jù)顯微圖像以及預(yù)設(shè)失效圖像,確定待測電容的當(dāng)前狀態(tài)。通過對疊層側(cè)進行磨拋,得到貼片電容內(nèi)部結(jié)構(gòu)的顯微圖像,并根據(jù)貼片電容內(nèi)部結(jié)構(gòu)的比對、貼片電容不同類型失效的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的區(qū)別以及常見的貼片電容失效形式進行分析,能夠快速有效的找到貼片電容的失效原因,避免給生產(chǎn)造成更大的損失,從而能夠盡快地找到設(shè)計、加工、運輸過程中的問題點。
本發(fā)明公開了一種檢測LED光源變色失效的方法及裝置,其方法包括:獲取LED光源的變色區(qū)域;檢測所述變色區(qū)域是否存在變色斑點;若所述變色區(qū)域存在變色斑點,則提取變色區(qū)域的變色色斑;采用X射線能譜儀對變色色斑的斑點元素進行分析;基于X射線能譜儀輸出斑點元素中的結(jié)果成分。通過實施本發(fā)明,能夠快速檢測LED燈光源是否發(fā)生了變色失效,首先通過檢測變色區(qū)域是否存在變色色斑,在通過對變色色斑的元素進行分析,得出分析結(jié)果,達到快速解析LED光源變色失效原因和結(jié)果的目的。
本發(fā)明公開了一種對LED芯片表征進行失效檢測的方法,包括如下步驟:透過環(huán)氧樹脂透鏡觀察檢測未開封LED芯片上的失效情況;在分析出LED芯片表面有LED芯片裂紋、燒毀腐蝕情況時,基于掃描電子顯微鏡SEM掃描LED芯片裂紋、燒毀腐蝕情況,并基于失效部位輸出形狀、尺寸、大小、結(jié)構(gòu)、顏色信息;基于二次離子質(zhì)譜分析SIMS對LED芯片表面失效部分成分的污染成分進行分析,獲取芯片制造和裝備過程中附著的污染物和離子殘留物所具有的成分;對LED芯片進行斷面分析。通過本發(fā)明實施例,針對開封前、開封后以及斷面整體性分析,可以針對LED芯片失效得出一個全面分析的結(jié)果數(shù)據(jù)。
本發(fā)明涉及一種芯片失效分析過程中的剝層方法,包括如下步驟:(1)提供芯片,所述芯片具有多層結(jié)構(gòu),且包括至少一層目標分析層,所述目標分析層包括待分析區(qū)域;(2)利用離子束自所述芯片的表面開始進行剝層處理,去除所述目標分析層之上的一層或多層,露出所述待分析區(qū)域,即可,其中,所述離子束包括至少一束寬束離子束,束斑直徑不小于1mm。該剝層方法,采用至少一束寬束離子束形成的離子束,可獲得較為均一的剝層加工面,避免了單束的高能聚焦離子束直接打在芯片表面,造成目標分析區(qū)域的損傷,有效提高了剝層的精度,同時還擴大了加工范圍,剝層效率高。
本發(fā)明公開了一種基于ANSYS的MMC子模塊壓接式IGBT短期失效分析方法,包括以下步驟:步驟一、利用ANSYS的Simplorer得到MMC子模塊壓接式IGBT在工況下的損耗;步驟二、利用ANSYS的SpaceClaim,進行IGBT模型的建立;步驟三、通過ANSYS的Icepak以及Simplorer對步驟二得到的IGBT模型進行Foster網(wǎng)絡(luò)的提??;步驟四、將步驟一計算得到的損耗,導(dǎo)入到步驟三提取的Foster網(wǎng)絡(luò)中,得到IGBT內(nèi)部各位置的實時溫度變化情況。本發(fā)明能夠抓住短時間尺度下MMC子模塊壓接式IGBT失效的主要因素,逐步得到工況下IGBT內(nèi)部溫度的精確分布情況。
本發(fā)明公開一種浮式風(fēng)機相關(guān)部件失效風(fēng)險分析方法及系統(tǒng),方法包括以下步驟:步驟S1、建立共因失效下海上浮式風(fēng)機關(guān)鍵部件的貝葉斯網(wǎng)絡(luò)模型并計算其子節(jié)點條件概率表;步驟S2、采用貝葉斯推理分別獲取貝葉斯網(wǎng)絡(luò)節(jié)點的初始狀態(tài)與證據(jù)更新后的關(guān)鍵部件的失效概率;步驟S3、計算風(fēng)機的每個關(guān)鍵部件的失效關(guān)聯(lián)度,并更新基于專家評分法的失效風(fēng)險優(yōu)先數(shù),最后篩選并確定重點關(guān)注的海上浮式風(fēng)機存在高故障風(fēng)險的關(guān)鍵部件清單。本發(fā)明中的可靠性分析可信度將隨著故障統(tǒng)計先驗數(shù)據(jù)的不斷擴充而逐步提高,可將其拓展至海上浮式風(fēng)機全壽命周期的不同階段以提高其運行可靠性。
本發(fā)明公開一種并行管道噴射火場景下目標管道動態(tài)熱失效分析方法,包括以下步驟:1、輸入源管道運行參數(shù),獲得瞬時噴射火近場內(nèi)目標管道接收的瞬時熱輻射值;2、建立瞬時熱輻射值與時間變化的擬合函數(shù)關(guān)系式;4、計算目標管道內(nèi)壁對流換熱系數(shù);3、計算目標管道的管壁瞬時溫度分布結(jié)果;5、計算目標管道的管壁周向、徑向和軸向承受的瞬時熱應(yīng)力和瞬時總應(yīng)力;6、試驗獲得不同溫度對應(yīng)的屈服強度和極限抗拉強度;7、分析判定目標管道動態(tài)熱失效結(jié)果。本發(fā)明通過解決當(dāng)前靜態(tài)熱失效分析技術(shù)不符合實際情況的問題,并基于分析結(jié)果合理優(yōu)化并行管道的安全間距,實現(xiàn)防止目標管道發(fā)生熱失效。
本申請?zhí)峁┮环N芯片失效分析定位方法、裝置、設(shè)備及存儲介質(zhì),其中,芯片失效分析定位方法包括以下步驟:獲取待分析產(chǎn)品的芯片層的結(jié)構(gòu)圖像,所述待分析產(chǎn)品包括至少兩層芯;根據(jù)所述芯片層的結(jié)構(gòu)圖像構(gòu)建所述待分析產(chǎn)品的三維圖像;基于所述待分析產(chǎn)品的三維圖像對所述待分析產(chǎn)品進行失效定位分析。本申請能夠形成三維圖像,從而能夠基于三維圖像高效地對整個芯片進行失效分析。
本發(fā)明公開了一種線路板通孔受熱膨脹的失效分析試驗方法,包括如下步驟:提供具有通孔的線路板,對線路板的通孔進行灌錫操作;對線路板側(cè)壁進行打磨處理;將視頻顯微鏡與線路板具有通孔軸向截面的側(cè)表面進行對焦操作;對所述線路板進行升溫處理,并通過所述視頻顯微鏡錄制所述線路板的通孔受熱膨脹的變化過程。如此本發(fā)明能夠模擬產(chǎn)品在受熱過程(焊件組裝、使用)中會出現(xiàn)如孔銅拉裂、分層等等的失效情況,并能夠便于根據(jù)錄制視頻進行分析。本發(fā)明的失效分析試驗方法無需采樣分析不同環(huán)境溫度下多個線路板的受熱膨脹的結(jié)果圖,而是通過控制改變線路板的在錄制過程中的溫度即可,可見本發(fā)明失效分析試驗效率更高,分析數(shù)據(jù)將更加準確。
本發(fā)明公開了洪水和颶風(fēng)耦合作用下立式儲罐屈曲失效易損性分析方法。所述方法包括以下步驟:確定立式儲罐的基本信息;確定立式儲罐受到的作用力;計算出立式儲罐的抵抗荷載;計算立式儲罐的外部作用力;根據(jù)儲罐屈曲失效判斷依據(jù),建立洪水和颶風(fēng)耦合作用下儲罐屈曲失效的極限狀態(tài)方程;采用蒙特卡洛模擬方法統(tǒng)計目標儲罐發(fā)生屈曲失效的次數(shù),計算失效概率;繪制儲罐在洪水和颶風(fēng)耦合作用下的易損性曲線,分析儲罐受不同風(fēng)速、水速、水深和充裝率的影響。本發(fā)明能精確計算洪水和颶風(fēng)耦合作用下立式儲罐的屈曲失效概率,為化工過程裝備多災(zāi)種耦合作用下易損性評估提供有力依據(jù)。
本發(fā)明提供一種基于失效機理的元器件FMEA分析方法與系統(tǒng),對元器件進行FMEA結(jié)構(gòu)劃分,將元器件分解為功能單元,功能單元具有獨立的失效機理,分析功能單元的失效機理和分析導(dǎo)致失效機理的失效模式,分析失效機理和失效模式對元器件的影響,根據(jù)功能單元的失效機理,構(gòu)建失效物理模型,根據(jù)失效物理模型,分析引起失效機理的失效原因,整合元器件失效影響分析結(jié)果和引起失效機理的失效原因,獲得FMEA分析結(jié)果,以提高元器件可靠性。整個元器件FMEA分析的起點是失效機理,在識別失效機理的基礎(chǔ)上,對其失效物理模型進行分析,分析失效機理的加速因子,從深層次上對元器件進行準確的可靠性分析,準確反映元器件可靠性狀況。
本發(fā)明提供一種元器件失效歸零分析方法與系統(tǒng),系統(tǒng)建立元器件失效物理故障樹,將失效物理故障樹轉(zhuǎn)換為失效定位故障樹,建立機理原因與失效特征相對應(yīng)的元器件故障字典,根據(jù)故障樹和故障字典進行元器件失效歸零分析。本發(fā)明元器件失效歸零分析方法與系統(tǒng),能夠通過失效定位故障樹將元器件故障定位到內(nèi)部物理結(jié)構(gòu),給出清晰的失效路徑,通過故障字典的失效特征向量分析快速確定元器件失效模式對應(yīng)的失效機理,通過失效物理故障樹確定相關(guān)失效機理的機理因子和影響因素,提出針對性的失效控制措施,實現(xiàn)對電子元器件故障的快速、準確定位和診斷。
本申請?zhí)峁┝艘环N用于分析繼電保護系統(tǒng)失效的數(shù)據(jù)處理方法及系統(tǒng),通過所述變電站配置描述文件、薄弱環(huán)節(jié)分析目的信息、所述專家經(jīng)驗信息和所述風(fēng)險庫數(shù)據(jù)信息分析得出影響系統(tǒng)失效的故障樹事件,分析影響本次薄弱環(huán)節(jié)分析的故障樹事件間邏輯關(guān)系和前后級關(guān)系,并以此為基礎(chǔ)搭建系統(tǒng)失效樹模型,計算得出薄弱環(huán)節(jié),本方案能夠針對薄弱環(huán)節(jié)進行分析,解決了不基于薄弱環(huán)節(jié)分析基礎(chǔ)而盲目進行繼電保護可靠性提升策略研究的問題。同時,本方案通過分析薄弱環(huán)節(jié)分析目的信息,能夠針對不同的目的進行不同的薄弱環(huán)節(jié)分析,解決了沒有針對不同分析目的進行薄弱環(huán)節(jié)分析的問題。
本申請涉及一種集成電路的分析方法、裝置、計算機設(shè)備和存儲介質(zhì)。所述方法包括:獲取待測器件包含的數(shù)字集成電路對應(yīng)的門級網(wǎng)表,所述門級網(wǎng)表用于描述所述數(shù)字集成電路包括的多條路徑及每條路徑上的門電路包括的至少一邏輯門;根據(jù)所述門級網(wǎng)表獲取每條路徑的路徑信息;根據(jù)所述路徑信息和預(yù)設(shè)器件退化模型計算每條所述路徑的延時增量;根據(jù)所述延時增量和失效邊界條件計算每條所述路徑的失效時間,并將最小失效時間對應(yīng)的路徑作為所述數(shù)字集成電路的關(guān)鍵失效路徑。通過本方法可基于電路負載及時序要求分析出集成電路中導(dǎo)致可靠性退化的關(guān)鍵失效路徑,從而在設(shè)計早期對該路徑進行加固,提高集成電路的可靠性。
本發(fā)明涉及一種LED失效分析方法及其過程中封裝樹脂的減薄方法。所述減薄方法,包括如下步驟:(1)取片狀板,在其上開孔或槽,形成樣品容納區(qū)域,所述樣品容納區(qū)域與待測LED樣品的尺寸相匹配,且深度小于所述待測LED樣品的厚度;(2)將待測LED樣品置于所述樣品容納區(qū)域;(3)打磨所述待測LED樣品,至其厚度與所述樣品容納區(qū)域的深度一致,即可。該減薄方法能夠有效保證打磨后的待測LED樣品表面平整光滑,能夠清晰的觀察到封裝的內(nèi)部結(jié)構(gòu),提高失效分析的準確性;同時,可通過控制樣品容納區(qū)域的深度對樣品的減薄厚度進行有效控制,防止減薄過度,破壞封裝的內(nèi)部構(gòu)造。
本申請涉及失效分析技術(shù)領(lǐng)域,具體公開一種器件失效分析定位方法,包括:對掃描探頭進行校準,獲取校準數(shù)據(jù);控制掃描探頭對待測器件進行掃描,并獲得第一參數(shù)信息,第一參數(shù)信息用于表征待測器件掃描高度平面的電磁場信息;根據(jù)第一參數(shù)信息和校準數(shù)據(jù),確定待測器件目標高度平面的電磁場信息;根據(jù)待測器件目標高度平面的電磁場信息,確定待測器件表面的電學(xué)分布;根據(jù)待測器件表面的電學(xué)分布,確定待測器件的失效位置。基于電磁注入和探測的原理,結(jié)合待測器件表面的電磁場信息實現(xiàn)對待測器件的失效位置的分析,相對于傳統(tǒng)的失效分析方法而言,成本較低,且無需對待測器件進行破壞,整體失效定位方法可靠性較高。
本申請涉及印刷電路板測試技術(shù)領(lǐng)域,具體公開一種開路失效分析方法和系統(tǒng)。方法包括:注入射頻探測信號至待測電路板線路;接收反射信號,并對所述反射信號進行時域換算,得到時域曲線;對所述時域曲線進行分析,確定所述待測電路板線路的開路位置點。無需對待測電路板進行破壞,避免對失效位置造成破壞而找不到開路位置點,通過對時域曲線的分析可對任意一種開路狀態(tài)的線路的開路位置進行分析,且準確度較高,另外,相對于外場電磁場掃描定位方法,本申請的失效分析方法成本較低。
本申請涉及一種失效分析方法、裝置、計算機設(shè)備和存儲介質(zhì),計算機設(shè)備獲取待測失效器件的至少一個測試數(shù)據(jù);然后將測試數(shù)據(jù)輸入到深度學(xué)習(xí)模型中進行失效分析處理,獲取與每個測試數(shù)據(jù)關(guān)聯(lián)的失效節(jié)點信息;失效節(jié)點信息包括測試數(shù)據(jù)關(guān)聯(lián)的上級失效事件節(jié)點和下級失效事件節(jié)點,下級失效事件節(jié)點為上級失效事件節(jié)點的備選失效機理;最后根據(jù)每個測試數(shù)據(jù)關(guān)聯(lián)的失效節(jié)點信息,構(gòu)建各個失效事件節(jié)點之間的父子關(guān)系,并根據(jù)父子關(guān)系確定最底層的失效事件節(jié)點為待測失效器件的目標失效機理。采用上述方法可以提升失效分析的效率和準確率。
本發(fā)明公開了一種基于LIBS的鍋爐受熱面高溫失效趨勢快速分析方法,具體是:鍋爐停爐檢修期間,脈沖激光光源發(fā)出的激光聚焦于待檢測的受熱面管道表面,使檢測的金屬材料被燒蝕氣化并形成等離子體,采集等離子體膨脹冷卻過程中發(fā)射的光譜信息,提取表征受熱面管道物理和化學(xué)特性的光譜特征指標,利用激光等離子體光譜特征指標與材料組織和力學(xué)性能指標之間的關(guān)聯(lián)性,得到被測管道的組織狀態(tài)和力學(xué)性能指標,從而預(yù)測被檢測管道的失效趨勢。本發(fā)明無需割管即可對受熱面結(jié)構(gòu)特性和機械性能進行快速分析,在宏觀缺陷出現(xiàn)前判斷其失效的趨勢,可以有效提高檢修期間金屬檢查的效率,促進快速失效分析技術(shù)的發(fā)展。
本發(fā)明公開一種邦定失效分析方法,包括如下步驟:S1:使用X-ray測厚儀測量鍍層厚度;S2:用掃描電鏡觀察表面形貌是否存在異常;S3:若表面形貌異常,則用線掃分析表面是否存在局部無金,若是則判定為表面形貌異常是導(dǎo)致邦定不良的因素之一。本發(fā)明通過掃描電鏡可快速觀察經(jīng)過邦定工藝之后的產(chǎn)品表面是否存在形貌異常,得出邦定不良的真實原因與表面形貌異常的關(guān)系,為邦定工藝的進一步改進提供基礎(chǔ)。使用本方法,還能觀察到產(chǎn)品表面是否存在異常污染,再經(jīng)過針對性地清洗異常污染之后,檢測、對比產(chǎn)品前后的邦定性能,可得知邦定不良的真實原因與異常元素污染的關(guān)系,為邦定工藝的進一步改進提供基礎(chǔ)。
本申請?zhí)峁┮环N印制線路板燒板失效的根因分析方法及裝置,涉及印制線路板技術(shù)領(lǐng)域,該方法包括:獲取燒板失效的印制線路板的失效基本信息;根據(jù)所述失效基本信息,獲得所述印制線路板的失效模式;對所述印制線路板進行檢測,得到對應(yīng)的檢測結(jié)果;根據(jù)所述檢測結(jié)果和所述失效模式,分析得到所述印制線路板的失效根因。該方法及裝置可以不用過多地依賴分析人的經(jīng)驗,通過采用合理規(guī)范的分析流程,準確地得到燒板失效的根本原因。
本實用新型公開了基于LIBS的鍋爐受熱面高溫失效趨勢快速分析裝置,包括電源模塊、脈沖激光光源模塊、光譜探測模塊、分析模塊和光學(xué)組件,所述電源模塊分別與脈沖激光光源模塊、光譜探測模塊和分析模塊連接,分析模塊與光譜探測模塊連接,光譜探測模塊還與脈沖激光光源模塊連接,所述分析模塊利用激光等離子體光譜特征指標與材料組織和力學(xué)性能指標之間的關(guān)聯(lián)性,得到被測管道的組織狀態(tài)和力學(xué)性能指標。本實用新型無需割管即可對受熱面結(jié)構(gòu)特性和機械性能進行快速分析,在宏觀缺陷出現(xiàn)前判斷其失效的趨勢,可以有效提高檢修期間金屬檢查的效率,促進快速失效分析技術(shù)的發(fā)展。
本發(fā)明公開了一種塑料結(jié)構(gòu)件失效原因的分析方法及裝置,所述方法包括:先獲取待檢測對象的樣品數(shù)據(jù),再根據(jù)樣品數(shù)據(jù)判斷所述待檢測對象是否需要執(zhí)行內(nèi)應(yīng)力分析:若是,則對待檢測對象執(zhí)行形貌分析、成分分析和內(nèi)應(yīng)力分析;否則對待檢測對象執(zhí)行形貌分析和成分分析,最后根據(jù)上述各分析結(jié)果,生成綜合分析結(jié)果。采用本發(fā)明實施例提出的分析方法步驟詳盡、重現(xiàn)性高,且通過采用多種分析方法對塑料結(jié)構(gòu)件進行分析,提高了塑料結(jié)構(gòu)件失效原因的分析結(jié)果的準確度。
本發(fā)明提供一種元器件失效分析專家系統(tǒng)中失效分析流程構(gòu)建方法及系統(tǒng),所述方法包括以下步驟:采集各門類電子元器件的失效信息;所述失效信息包括:失效分析方法、失效現(xiàn)象、失效模式、失效機理、失效環(huán)境;構(gòu)建各失效信息之間的關(guān)聯(lián)關(guān)系;以所述失效模式為觸發(fā)點,根據(jù)各失效信息之間的關(guān)聯(lián)關(guān)系構(gòu)建元器件失效分析專家系統(tǒng)中的失效分析流程。本發(fā)明的元器件失效分析專家系統(tǒng)中失效分析流程構(gòu)建方法及系統(tǒng),滿足了在元器件失效分析專家系統(tǒng)中構(gòu)建不同門類電子元器件失效分析流程的需求,使失效分析專家系統(tǒng)成為一種具有邏輯判斷功能、可輔助完成實際失效分析的電子手段。
本發(fā)明公開了一種可靠性測試板及基于該可靠性測試板進行的PCB板孔間CAF失效分析方法,所述方法包括以下步驟:提供一種可靠性測試板,并通過分半測試法在可靠性測試板上確定發(fā)生CAF的兩個相鄰的失效孔的位置;對可靠性測試板上發(fā)生CAF的兩個失效孔及其鄰近區(qū)域進行水平研磨,直至導(dǎo)電陽極絲出現(xiàn)在研磨剖面上;垂直于所述可靠性測試板所在平面,并沿所述導(dǎo)電陽極絲對兩個失效孔及其鄰近區(qū)域進行切片,觀察孔壁的質(zhì)量及表觀,依此分析CAF形成的原因。通過所述方法,可給CAF的改善措施的制定提供有力的依據(jù),從而有利于CAF的改善。
本實用新型涉及魚類形態(tài)學(xué)科研用具技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種活體魚類拍攝輔助裝置,包括透明缸體,以及設(shè)置于透明缸體內(nèi)、可在透明缸體內(nèi)平移的移動擋板;還包括可在透明缸體上平移的擋板固定桿,所述擋板固定桿的兩端分別設(shè)置于透明缸體的兩個相對側(cè)板,所述移動擋板可拆卸固定于擋板固定桿。利用本實用新型的活體魚類拍攝輔助裝置可以獲得清晰的、可用于幾何形態(tài)測量學(xué)的魚類照片,且該裝置結(jié)構(gòu)簡單,重量小,易攜帶,操作方便,對被拍魚體無損傷。
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