集成電路的關鍵失效路徑分析方法、裝置、計算機設備 999     

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本申請涉及一種集成電路的分析方法、裝置、計算機設備和存儲介質(zhì)。所述方法包括：獲取待測器件包含的數(shù)字集成電路對應的門級網(wǎng)表，所述門級網(wǎng)表用于描述所述數(shù)字集成電路包括的多條路徑及每條路徑上的門電路包括的至少一邏輯門；根據(jù)所述門級網(wǎng)表獲取每條路徑的路徑信息；根據(jù)所述路徑信息和預設器件退化模型計算每條所述路徑的延時增量；根據(jù)所述延時增量和失效邊界條件計算每條所述路徑的失效時間，并將最小失效時間對應的路徑作為所述數(shù)字集成電路的關鍵失效路徑。通過本方法可基于電路負載及時序要求分析出集成電路中導致可靠性退化的關鍵失效路徑，從而在設計早期對該路徑進行加固，提高集成電路的可靠性。

LED失效分析方法及其過程中封裝樹脂的減薄方法 1021     

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本發(fā)明涉及一種LED失效分析方法及其過程中封裝樹脂的減薄方法。所述減薄方法，包括如下步驟：(1)取片狀板，在其上開孔或槽，形成樣品容納區(qū)域，所述樣品容納區(qū)域與待測LED樣品的尺寸相匹配，且深度小于所述待測LED樣品的厚度；(2)將待測LED樣品置于所述樣品容納區(qū)域；(3)打磨所述待測LED樣品，至其厚度與所述樣品容納區(qū)域的深度一致，即可。該減薄方法能夠有效保證打磨后的待測LED樣品表面平整光滑，能夠清晰的觀察到封裝的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，提高失效分析的準確性；同時，可通過控制樣品容納區(qū)域的深度對樣品的減薄厚度進行有效控制，防止減薄過度，破壞封裝的內(nèi)部構(gòu)造。

器件失效定位分析方法 866     

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本申請涉及失效分析技術領域，具體公開一種器件失效分析定位方法，包括：對掃描探頭進行校準，獲取校準數(shù)據(jù)；控制掃描探頭對待測器件進行掃描，并獲得第一參數(shù)信息，第一參數(shù)信息用于表征待測器件掃描高度平面的電磁場信息；根據(jù)第一參數(shù)信息和校準數(shù)據(jù)，確定待測器件目標高度平面的電磁場信息；根據(jù)待測器件目標高度平面的電磁場信息，確定待測器件表面的電學分布；根據(jù)待測器件表面的電學分布，確定待測器件的失效位置。基于電磁注入和探測的原理，結(jié)合待測器件表面的電磁場信息實現(xiàn)對待測器件的失效位置的分析，相對于傳統(tǒng)的失效分析方法而言，成本較低，且無需對待測器件進行破壞，整體失效定位方法可靠性較高。

開路失效分析方法和系統(tǒng) 960     

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本申請涉及印刷電路板測試技術領域，具體公開一種開路失效分析方法和系統(tǒng)。方法包括：注入射頻探測信號至待測電路板線路；接收反射信號，并對所述反射信號進行時域換算，得到時域曲線；對所述時域曲線進行分析，確定所述待測電路板線路的開路位置點。無需對待測電路板進行破壞，避免對失效位置造成破壞而找不到開路位置點，通過對時域曲線的分析可對任意一種開路狀態(tài)的線路的開路位置進行分析，且準確度較高，另外，相對于外場電磁場掃描定位方法，本申請的失效分析方法成本較低。

失效分析方法、裝置、設備和存儲介質(zhì) 1018     

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本申請涉及一種失效分析方法、裝置、計算機設備和存儲介質(zhì)，計算機設備獲取待測失效器件的至少一個測試數(shù)據(jù)；然后將測試數(shù)據(jù)輸入到深度學習模型中進行失效分析處理，獲取與每個測試數(shù)據(jù)關聯(lián)的失效節(jié)點信息；失效節(jié)點信息包括測試數(shù)據(jù)關聯(lián)的上級失效事件節(jié)點和下級失效事件節(jié)點，下級失效事件節(jié)點為上級失效事件節(jié)點的備選失效機理；最后根據(jù)每個測試數(shù)據(jù)關聯(lián)的失效節(jié)點信息，構(gòu)建各個失效事件節(jié)點之間的父子關系，并根據(jù)父子關系確定最底層的失效事件節(jié)點為待測失效器件的目標失效機理。采用上述方法可以提升失效分析的效率和準確率。

基于LIBS的鍋爐受熱面高溫失效趨勢快速分析方法 764     

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本發(fā)明公開了一種基于LIBS的鍋爐受熱面高溫失效趨勢快速分析方法，具體是：鍋爐停爐檢修期間，脈沖激光光源發(fā)出的激光聚焦于待檢測的受熱面管道表面，使檢測的金屬材料被燒蝕氣化并形成等離子體，采集等離子體膨脹冷卻過程中發(fā)射的光譜信息，提取表征受熱面管道物理和化學特性的光譜特征指標，利用激光等離子體光譜特征指標與材料組織和力學性能指標之間的關聯(lián)性，得到被測管道的組織狀態(tài)和力學性能指標，從而預測被檢測管道的失效趨勢。本發(fā)明無需割管即可對受熱面結(jié)構(gòu)特性和機械性能進行快速分析，在宏觀缺陷出現(xiàn)前判斷其失效的趨勢，可以有效提高檢修期間金屬檢查的效率，促進快速失效分析技術的發(fā)展。

邦定失效分析方法 878     

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本發(fā)明公開一種邦定失效分析方法，包括如下步驟：S1：使用X-ray測厚儀測量鍍層厚度；S2：用掃描電鏡觀察表面形貌是否存在異常；S3：若表面形貌異常，則用線掃分析表面是否存在局部無金，若是則判定為表面形貌異常是導致邦定不良的因素之一。本發(fā)明通過掃描電鏡可快速觀察經(jīng)過邦定工藝之后的產(chǎn)品表面是否存在形貌異常，得出邦定不良的真實原因與表面形貌異常的關系，為邦定工藝的進一步改進提供基礎。使用本方法，還能觀察到產(chǎn)品表面是否存在異常污染，再經(jīng)過針對性地清洗異常污染之后，檢測、對比產(chǎn)品前后的邦定性能，可得知邦定不良的真實原因與異常元素污染的關系，為邦定工藝的進一步改進提供基礎。

印制線路板燒板失效的根因分析方法及裝置 1156     

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本申請?zhí)峁┮环N印制線路板燒板失效的根因分析方法及裝置，涉及印制線路板技術領域，該方法包括：獲取燒板失效的印制線路板的失效基本信息；根據(jù)所述失效基本信息，獲得所述印制線路板的失效模式；對所述印制線路板進行檢測，得到對應的檢測結(jié)果；根據(jù)所述檢測結(jié)果和所述失效模式，分析得到所述印制線路板的失效根因。該方法及裝置可以不用過多地依賴分析人的經(jīng)驗，通過采用合理規(guī)范的分析流程，準確地得到燒板失效的根本原因。

基于LIBS的鍋爐受熱面高溫失效趨勢快速分析裝置 994     

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本實用新型公開了基于LIBS的鍋爐受熱面高溫失效趨勢快速分析裝置，包括電源模塊、脈沖激光光源模塊、光譜探測模塊、分析模塊和光學組件，所述電源模塊分別與脈沖激光光源模塊、光譜探測模塊和分析模塊連接，分析模塊與光譜探測模塊連接，光譜探測模塊還與脈沖激光光源模塊連接，所述分析模塊利用激光等離子體光譜特征指標與材料組織和力學性能指標之間的關聯(lián)性，得到被測管道的組織狀態(tài)和力學性能指標。本實用新型無需割管即可對受熱面結(jié)構(gòu)特性和機械性能進行快速分析，在宏觀缺陷出現(xiàn)前判斷其失效的趨勢，可以有效提高檢修期間金屬檢查的效率，促進快速失效分析技術的發(fā)展。

塑料結(jié)構(gòu)件失效原因的分析方法及裝置 727     

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本發(fā)明公開了一種塑料結(jié)構(gòu)件失效原因的分析方法及裝置，所述方法包括：先獲取待檢測對象的樣品數(shù)據(jù)，再根據(jù)樣品數(shù)據(jù)判斷所述待檢測對象是否需要執(zhí)行內(nèi)應力分析：若是，則對待檢測對象執(zhí)行形貌分析、成分分析和內(nèi)應力分析；否則對待檢測對象執(zhí)行形貌分析和成分分析，最后根據(jù)上述各分析結(jié)果，生成綜合分析結(jié)果。采用本發(fā)明實施例提出的分析方法步驟詳盡、重現(xiàn)性高，且通過采用多種分析方法對塑料結(jié)構(gòu)件進行分析，提高了塑料結(jié)構(gòu)件失效原因的分析結(jié)果的準確度。

元器件失效分析專家系統(tǒng)中失效分析流程構(gòu)建方法及系統(tǒng) 915     

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本發(fā)明提供一種元器件失效分析專家系統(tǒng)中失效分析流程構(gòu)建方法及系統(tǒng)，所述方法包括以下步驟：采集各門類電子元器件的失效信息；所述失效信息包括：失效分析方法、失效現(xiàn)象、失效模式、失效機理、失效環(huán)境；構(gòu)建各失效信息之間的關聯(lián)關系；以所述失效模式為觸發(fā)點，根據(jù)各失效信息之間的關聯(lián)關系構(gòu)建元器件失效分析專家系統(tǒng)中的失效分析流程。本發(fā)明的元器件失效分析專家系統(tǒng)中失效分析流程構(gòu)建方法及系統(tǒng)，滿足了在元器件失效分析專家系統(tǒng)中構(gòu)建不同門類電子元器件失效分析流程的需求，使失效分析專家系統(tǒng)成為一種具有邏輯判斷功能、可輔助完成實際失效分析的電子手段。

可靠性測試板及PCB板孔間CAF失效分析方法 1001     

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本發(fā)明公開了一種可靠性測試板及基于該可靠性測試板進行的PCB板孔間CAF失效分析方法，所述方法包括以下步驟：提供一種可靠性測試板，并通過分半測試法在可靠性測試板上確定發(fā)生CAF的兩個相鄰的失效孔的位置；對可靠性測試板上發(fā)生CAF的兩個失效孔及其鄰近區(qū)域進行水平研磨，直至導電陽極絲出現(xiàn)在研磨剖面上；垂直于所述可靠性測試板所在平面，并沿所述導電陽極絲對兩個失效孔及其鄰近區(qū)域進行切片，觀察孔壁的質(zhì)量及表觀，依此分析CAF形成的原因。通過所述方法，可給CAF的改善措施的制定提供有力的依據(jù)，從而有利于CAF的改善。